王小荷

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
发文主题：抗辐射加固氧抗辐射深源MOS场效应晶体管更多>>
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功率MOSFET抗单粒子加固技术研究被引量：1
《集成电路与嵌入式系统》2024年第3期19-22,共4页陈宝忠 宋坤 王英民 刘存生 王小荷 赵辉 辛维平 杨丽侠 邢鸿雁 王晨杰 
针对功率MOSFET的单粒子效应(SEE)开展了工艺加固技术研究,在单粒子烧毁(SEB)加固方面采用优化的体区掺杂工艺,有效降低了寄生双极晶体管(BJT)增益,抑制了单粒子辐照下的电流正反馈机制。在单粒子栅穿(SEGR)加固方面,通过形成缓变掺杂...
关键词：功率MOSFET 单粒子效应 抗辐射加固 单粒子烧毁 单粒子栅穿 
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