单粒子烧毁

作品数：51被引量：82H指数：5
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基于TCAD的阶梯源VDMOSFET单粒子烧毁的研究
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》2025年第1期11-18,共8页项君 王颖 于成浩 
国家自然科学基金重大科研仪器研制项目(62027814)。
通过二维数值仿真工具给出了加固前后1.7 kV碳化硅(4H-SiC)功率VDMOSFET单粒子烧毁(SEB)的仿真结果。研究结果表明,与传统的五缓冲层的VDMOSFET(FB-VDMOSFET)相比,改进后的VDMOSFET在高线性能量密度(linear energy transfer, LET)值范...
关键词：单粒子烧毁 集成二极管 高可靠性 线性能量密度 
栅场板型Ga_(2)O_(3)MOSFET器件单粒子烧毁仿真研究
《现代应用物理》2024年第3期120-131,共12页刘涵勋 汪柯佳 曹荣幸 韩丹 王祖军 曾祥华 薛玉雄 
强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室基金资助项目(SKLIPR2115)。
设计了1种抗单粒子烧毁(single event burnout,SEB)效应能力较强的栅场板型结构Ga_(2)O_(3)MOSFET器件,并与平面型结构进行了对比,采用基于计算机辅助设计(technology computer aided design,TCAD)的商用半导体器件仿真模拟软件研究了2...
关键词：Ga_(2)O_(3)金属氧化物半导体场效应晶体管 栅场板 单粒子烧毁 TCAD仿真 
300 MeV质子重离子加速器及电子器件单粒子效应试验研究
《现代应用物理》2024年第4期130-136,共7页沈志强 刘剑利 陈启明 肖一平 刘超铭 王天琦 
国家自然科学基金资助项目(12075069,12275061,62304102,62234007,62293522,U21A20503,U21A2071)。
300 MeV质子重离子加速器主要用于模拟空间环境中高能粒子辐照,探索高能粒子与材料、器件以及生命体的相互作用机理。该加速器主要由离子源、直线加速器、注入线、同步加速器、引出线和3个实验终端组成。自2022年11月验收以来,该加速器...
关键词：质子重离子加速器 高能粒子辐照 SiC功率MOSFET器件 栅极潜损伤 泄漏电流永久退化 单粒子烧毁 
碳化硅功率二极管辐射效应测试系统的开发
《科技资讯》2024年第14期28-33,共6页刘建成 郭刚 韩金华 刘翠翠 
中核集团青年英才项目(项目编号:11FY212306000801)。
为探究碳化硅功率器件抗辐照损伤能力和辐射效应机制,基于LabVIEW软件开发平台,利用Keithley公司的2410高压源表、USB-GPIB接口适配器等设备,针对两款商用碳化硅功率二极管,建立了一套辐射效应测试系统。系统在集成了Keithley 2410高压...
关键词：碳化硅功率二极管 辐射效应 单粒子烧毁 测试系统 
SiC MOSFET的质子单粒子效应
《半导体技术》2024年第7期654-659,共6页史慧琳 郭刚 张峥 李府唐 刘翠翠 张艳文 殷倩 
国家自然科学基金(U2167208,U2267210);中核集团青年英才基金项目(11FY212306000801)。
SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在深空探测领域具有广阔的应用前景,但空间质子引发的单粒子效应(SEE)对航天器稳定运行造成了严重威胁。对平面栅结构与非对称沟槽栅结构的SiC MOSFET进行了能量为70、100与200 MeV的质子辐照...
关键词：碳化硅(SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 单粒子效应(SEE) 单粒子烧毁(SEB) 电离效应 辐射损伤 
一种抗辐射Trench型N 30 V MOSFET器件设计
《电子与封装》2024年第5期72-78,共7页廖远宝 谢雅晴 
由于Trench结构在降低元胞单元尺寸、提升沟道密度和消除JFET区电阻等方面的优势,Trench型MOSFET已广泛应用于低压产品领域。在研究抗辐射机理和抗辐射加固技术的基础上,设计了一款新型抗辐射Trench型N30VMOSFET器件。实验结果显示,产...
关键词：总剂量 单粒子烧毁 单粒子栅穿 MOSFET TRENCH 
NLDMOS器件单粒子效应及Nbuffer加固被引量：2
《集成电路与嵌入式系统》2024年第3期13-18,共6页杨强 葛超洋 李燕妃 谢儒彬 洪根深 
提出了一种漂移区具有Nbuffer结构的N型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)结构,以提高器件抗单粒子烧毁(single-event burnout,SEB)能力。通过TCAD仿真验证了该结构的电学和抗单粒子特征。在不改变器件性能的前提下,18 V NLDMOS SEB触...
关键词：LDMOS 单粒子烧毁 Nbuffer 抗辐射加固 TCAD 
功率MOSFET抗单粒子加固技术研究被引量：1
《集成电路与嵌入式系统》2024年第3期19-22,共4页陈宝忠 宋坤 王英民 刘存生 王小荷 赵辉 辛维平 杨丽侠 邢鸿雁 王晨杰 
针对功率MOSFET的单粒子效应(SEE)开展了工艺加固技术研究,在单粒子烧毁(SEB)加固方面采用优化的体区掺杂工艺,有效降低了寄生双极晶体管(BJT)增益,抑制了单粒子辐照下的电流正反馈机制。在单粒子栅穿(SEGR)加固方面,通过形成缓变掺杂...
关键词：功率MOSFET 单粒子效应 抗辐射加固 单粒子烧毁 单粒子栅穿 
高海拔地区晶闸管宇宙射线失效等效加速试验研究被引量：1
《中国电机工程学报》2024年第2期682-690,I0021,共10页李尧圣 张进 陈中圆 李金元 王忠明 刘杰 梁红胜 彭超 
国家电网公司科技项目(B555GB220001)。
大气环境中的高能中子、γ射线和电磁脉冲以及空间辐射环境中的高能电子和质子等,都能造成半导体材料性质变化和器件性能蜕变以至失效,而在大气层内宇宙射线引起功率器件失效的主要原因是高能中子导致的单粒子烧毁(single event burnout...
关键词：宇宙射线 高能中子 单粒子烧毁 平均失效率 
双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管重离子单粒子效应被引量：1
《物理学报》2024年第2期234-241,共8页李洋帆 郭红霞 张鸿 白如雪 张凤祁 马武英 钟向丽 李济芳 卢小杰 
本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管升展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验,分析了器件产生单粒子效应的物理机制.实验结果表明,辐照过程中随着初始偏置电压的增大,器件漏极电流增长更明显;在偏置电压为400 V时,重离子...
关键词：双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管 重离子辐照 单粒子烧毁 
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