云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- LDMOS

LDMOS: 作品数：423被引量：341H指数：7; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李肇基张波乔明孙伟锋方健更多>>; 相关机构：电子科技大学东南大学上海华虹宏力半导体制造有限公司西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>

SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究: 《半导体技术》2024年第8期758-766,共9页王永维黄柯月王芳温恒娟陈浪涛周锌赵永瑞; 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化...; 关键词：辐射电荷总电离剂量(TID)辐射效应绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压导通电流

Review of the SiC LDMOS power device: 《Journal of Semiconductors》2024年第8期4-17,共14页Ziwei Hu Jiafei Yao Ang Li Qi Sun Man Li Kemeng Yang Jun Zhang Jing Chen Maolin Zhang Yufeng Guo; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.62074080);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province(Grant Nos.BK20211104 and BK20201206);the Jiangsu Provincial Key Research and Development Program(Grant No.BE2022126).; Silicon carbide(SiC),as a third-generation semiconductor material,possesses exceptional material properties that significantly enhance the performance of power devices.The SiC lateral double-diffused metal–oxide–sem...; 关键词：SIC LDMOS specific on-resistance breakdown voltage

薄硅膜SOI N型LDMOS浮体效应优化研究: 《中国集成电路》2024年第6期72-74,81,共4页纪旭明邵红李金航顾祥张庆东谢儒彬; 为避免PD SOI浮体效应对高压N型LDMOS器件的击穿电压的影响,本文从SOI LDMOS器件的结构和工艺出发,分析了N型LDMOS衬底电荷积累的影响,研究体引出优化方法,通过流片验证了方案的可行,规避了浮体效应引起的击穿电压的降低及漏电增加,为SO...; 关键词：PD SOI LDMOS 浮体效应击穿电压功率集成

基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究: 《电子学报》2024年第5期1582-1590,共9页邵红李永顺宋亮金华俊张森; 为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect...; 关键词：横向双扩散金属氧化物半导体场效应管热载流子注入高温氧化层低损耗高可靠性

具有阶梯掺杂缓冲层的双栅超结LDMOS: 《电子元件与材料》2024年第5期505-512,共8页唐盼盼张峻铭南敬昌; 国家自然科学基金(61971210)。; 具有N型缓冲层的超结横向双扩散金属-半导体场效应晶体管(SJ-LDMOS)结构能够有效抑制传统结构中存在的衬底辅助耗尽效应(SAD)。为进一步优化器件性能,提出了一种具有阶梯型掺杂缓冲层的双栅极SOI基SJ-LDMOS(DG SDB SJ-LDMOS)器件结构。...; 关键词：SJ-LDMOS 阶梯掺杂沟槽栅极击穿电压比导通电阻

NLDMOS器件单粒子效应及Nbuffer加固被引量：2: 《集成电路与嵌入式系统》2024年第3期13-18,共6页杨强葛超洋李燕妃谢儒彬洪根深; 提出了一种漂移区具有Nbuffer结构的N型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)结构,以提高器件抗单粒子烧毁(single-event burnout,SEB)能力。通过TCAD仿真验证了该结构的电学和抗单粒子特征。在不改变器件性能的前提下,18 V NLDMOS SEB触...; 关键词：LDMOS 单粒子烧毁 Nbuffer 抗辐射加固 TCAD

U型高K介质膜槽栅垂直场板LDMOS: 《微电子学》2024年第1期110-115,共6页钱图代红丽周春行陈威宇; 天津市大学生创新创业训练计划项目(202210060101)。; 近年来,随着汽车电子和电源驱动的发展,集成度较高的LDMOS作为热门功率器件受到了关注,如何提高其击穿电压与降低其比导通电阻成为提高器件性能的关键。基于SOI LDMOS技术,文章提出了在被4μm的高K介质膜包围的SiO_(2)沟槽中引入垂直场...; 关键词：LDMOS 高K介质垂直场板击穿电压比导通电阻

回字形抗辐射环栅LDMOS建模与验证: 《微电子学》2023年第6期1011-1016,共6页肖洋; 重庆市自然基金项目(CSTB2023NSCQMSX0153); 介绍了一种回字形抗辐射环栅LDMOS器件。分析了该器件在版图绘制中的结构优势,并结合Sentaurus仿真结果,通过区域划分和类MOS结构拟合阈值电压,给出了该器件的等效宽长比模型和饱和电流模型。在标准商用0.18μm BCD工艺下流片,测试结果...; 关键词：总剂量效应 LDMOS 环栅器件等效宽长比模型

一种利用多P埋层的低导通电阻高压SOILDMOS结构: 《桂林电子科技大学学报》2023年第6期439-445,共7页姜焱彬李琦王磊杨保争何智超; 国家自然科学基金(61464003)。; 为了实现低比导通电阻(Ron,sp)和高击穿电压(VBV),提出并仿真一种利用多个P埋层与阶跃掺杂漂移区的低导通电阻高电压SOI LDMOS(PL-SOI LDMOS)结构。PL-SOI LDMOS结构由多个不同的P埋层组成,其长度与浓度均在垂直方向依次递减。利用多个...; 关键词：击穿电压比导通电阻多埋层阶跃掺杂 LDMOS

SiC功率LDMOS器件发展现状及新进展被引量：1: 《半导体技术》2023年第11期949-960,共12页杨帅强刘英坤; 集成化和小型化是未来电力电子技术的发展方向,SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件兼有SiC材料优势和LDMOS器件优势,击穿电压高、比导通电阻低、易与其他器件集成,在单片功率集成和小型化应用中起着重要的作用,但受限于晶圆材料...; 关键词：SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 衬底晶面器件结构击穿电压比导通电阻

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