热载流子注入

作品数：42被引量：44H指数：4
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相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司信息产业部电子第五研究所中芯国际集成电路制造(北京)有限公司长江存储科技有限责任公司更多>>
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薄硅膜SOI LDMOS器件的HCI劣变机理研究
《微电子学与计算机》2024年第12期132-138,共7页顾祥 张庆东 纪旭明 李金航 赵杨婧 
由于薄硅膜——绝缘体上硅型横向扩散金属氧化物半导体(Silicon On Insulator Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,SOI LDMOS)制作在厚度仅有几十到几百纳米的硅膜上,器件在高电压、大电流的作用下,热载流子注入(Hot Carrier...
关键词：绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 热载流子注入 电荷泵 缺陷 
一种40 V NLDMOS器件热载流子寿命研究
《微电子学与计算机》2024年第9期126-134,共9页鹿祥宾 单书珊 余山 刘芳 钟明琛 邵亚利 
国家电网有限公司科技项目(5500-202156469A-0-5-ZN)。
为了更精确预测基于0.18μm工艺的40 V NLDMOS器件实际应用条件下的热载流子寿命,介绍了一种通过可靠性测试和计算机辅助数学解析相结合的热载流子可靠性寿命预计方法。该方法基于实际直流状态下的热载流注入测试数据,结合TCAD仿真,对...
关键词：40 V NLDMOS 热载流子注入 可靠性 交直流转换因子 寿命预计 Kirk效应 
LDD MOSFET热载流子退化分析及其寿命预测
《固体电子学研究与进展》2024年第4期351-356,共6页陈光前 刘伟景 刘先婷 李清华 
国家自然科学基金资助项目(52177185,62174055)。
集成电路器件密集化导致电场梯度增大和电流密度集中,加剧了热载流子效应,电热性能退化。本文聚焦热载流子注入(Hot carrier injection, HCI)效应对器件可靠性的影响问题,通过研究N型轻掺杂漏极金属氧化物半导体场效应晶体管(N-type lig...
关键词：可靠性 热载流子注入(HCI) 轻掺杂漏极(LDD) 器件退化 寿命预测 
基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究
《电子学报》2024年第5期1582-1590,共9页邵红 李永顺 宋亮 金华俊 张森 
为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect...
关键词：横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 热载流子注入 高温氧化层 低损耗 高可靠性 
纳米CMOS器件中热载流子产生缺陷局域分布的表征
《物理学进展》2024年第2期96-101,共6页马丽娟 陶永春 
国家自然科学基金项目(12274232,12104232)的资助
本文针对纳米小尺寸CMOS器件,提出了一种根据表面势模型表征热载流子产生电荷陷阱和界面态局域分布的方法。热载流子注入(Hot Carrier Injectione,HCI)应力会在栅氧化层和Si/SiO_(2)界面中产生电荷陷阱和界面态,随着应力时间递增,这些...
关键词：CMOS器件 热载流子注入 界面态 电荷陷阱 
CMOS器件热载流子注入老化的SPICE建模与仿真
《半导体技术》2023年第10期902-910,共9页王正楠 张昊 李平梁 
为了准确预测芯片电路寿命,建立了一种能成功双向预测CMOS器件寿命和器件老化程度的可靠性模型。结合改进的衬底电流方程、漏源电流和时间变量t,组建了Age(t)模型。通过挑选合适的BSIM4模型参数,联合Age(t)方程构建指数函数关系式,建立...
关键词：热载流子注入(HCI) 可靠性仿真 老化模型 模型参数提取 SPICE模型 
JLNT-FET和IMNT-FET中传导机制对电热特性影响研究
《微电子学》2023年第5期910-916,共7页刘先婷 刘伟景 李清华 
国家自然科学基金资助项目(52177185,62174055)
无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力而被关注,自热效应(SHE)作为影响其电热性能的关键问题而被广泛研究。文章基于TCAD数值仿真,通过对环...
关键词：无结纳米管场效应晶体管 反转模式纳米管场效应晶体管 电热特性 自热效应 热载流子注入 
22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第5期384-388,共5页王保顺 崔江维 郑齐文 席善学 魏莹 雷琪琪 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(11605282,11505282,11805268);中国科学青年创新促进会资助项目(2018473);中国科学院西部之光资助项目(2019-XBQNXZ-A-003)。
为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器...
关键词：鳍式场效应晶体管 热载流子注入效应 总剂量效应 
高k介质金属栅器件热载流子测试及其失效机理
《半导体技术》2020年第4期317-322,共6页周昊 蔡小五 郝峰 赵永 
预研项目(31513040204)。
高k介质金属栅工艺器件的热载流子注入(HCI)效应已经表现出与成熟工艺不同的退化现象和失效机理。对不同栅电压下n型和p型金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的饱和漏电流退化情况,以及器件的退化效应进行测试和分析。通过分析衬底电流和...
关键词：栅电压 热载流子注入(HCI) 饱和漏电流 衰退 老化机理 
基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析被引量：4
《半导体技术》2019年第7期531-536,共6页何玉娟 刘远 章晓文 
国家自然科学基金资助项目(61574048,61204112);广东省省级科技计划项目(2017B090921001,2018A050506044)
随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪...
关键词：热载流子注入(HCI)效应 低频噪声 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 界面态陷阱电荷 氧化层陷阱电荷 
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