CMOS器件

作品数：234被引量：250H指数：8
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相关机构：中国科学院微电子研究所中芯国际集成电路制造(上海)有限公司北京大学西北核技术研究所更多>>
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纳米CMOS器件中热载流子产生缺陷局域分布的表征
《物理学进展》2024年第2期96-101,共6页马丽娟 陶永春 
国家自然科学基金项目(12274232,12104232)的资助
本文针对纳米小尺寸CMOS器件,提出了一种根据表面势模型表征热载流子产生电荷陷阱和界面态局域分布的方法。热载流子注入(Hot Carrier Injectione,HCI)应力会在栅氧化层和Si/SiO_(2)界面中产生电荷陷阱和界面态,随着应力时间递增,这些...
关键词：CMOS器件 热载流子注入 界面态 电荷陷阱 
格芯和Microchip宣布Microchip 28 nm SuperFlash嵌入式闪存解决方案投产
《单片机与嵌入式系统应用》2023年第11期94-94,共1页
格芯(Global Foundries)与Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)及其旗下子公司Silicon Storage Technology(SST)共同宣布,采用GF 28SLPe制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM解决方案即将投产。在实施SST广泛部署的ESF...
关键词：FLASH技术 编程时间 嵌入式闪存 MICROCHIP CMOS器件 Super 单元尺寸 STORAGE 
CMOS器件热载流子注入老化的SPICE建模与仿真
《半导体技术》2023年第10期902-910,共9页王正楠 张昊 李平梁 
为了准确预测芯片电路寿命,建立了一种能成功双向预测CMOS器件寿命和器件老化程度的可靠性模型。结合改进的衬底电流方程、漏源电流和时间变量t,组建了Age(t)模型。通过挑选合适的BSIM4模型参数,联合Age(t)方程构建指数函数关系式,建立...
关键词：热载流子注入(HCI) 可靠性仿真 老化模型 模型参数提取 SPICE模型 
金刚石衬底异质集成GaN HEMT——新一代固态微波功率器件——专访中国电科集团有限公司制造工艺领域首席科学家陈堂胜
《固体电子学研究与进展》2023年第4期287-288,共2页曹敏华 
当今半导体行业已进入后摩尔时代,单一半导体器件性能提升遇到瓶颈,器件与系统的联动发展已成为半导体技术发展的主题。摩尔定律遇到的困境不仅表现于Si CMOS器件,GaN微波功率器件从问世到现在也三十年了,其快速发展阶段也已经过去,GaN...
关键词：微波功率器件 半导体技术 CMOS器件 半导体器件 异质集成 GaN 后摩尔时代 摩尔定律 
超薄柔性硅CMOS器件及无源元件性能退化仿真研究
《微电子学》2023年第1期139-145,共7页杨洪 张正元 陈仙 易孝辉 陈文锁 
重庆市自然科学基金资助项目(cstc2020jcyj-msxmX0572);中央高校基本科研业务费项目(2019CDXYDQ0009,2020CDJ-LHZZ-076)
基于150 mm 0.35μm CMOS工艺,利用Silvaco TCAD软件,针对50μm厚硅基上NMOS与PMOS器件、多晶硅-介电层-多晶硅(PIP)电容和N+型多晶硅电阻,在单轴状态不同弯曲半径下,仿真了压缩与拉伸对器件电学参数变化的影响程度。结果表明,单轴拉伸...
关键词：超薄 柔性 硅基 弯曲 器件模型 
具有或与开关功能的T沟道隧穿场效应管
《无线通信技术》2022年第3期54-58,62,共6页杨源 胡建平 柳苗龙 
为了应对传统CMOS器件所面临的一系列问题,本文提出了一种具有"或与"开关功能的新型TFET器件,并将其命名为具有或与开关功能的T沟道隧穿场效晶体管(T-Channel tunnel field-effect transistors with OR-AND switching behavior:TOA-TFET...
关键词：CMOS器件 TFET器件 开关功能 Silvaco TCAD仿真 
CMOS器件单粒子效应电路级建模与仿真
《原子能科学技术》2021年第12期2113-2120,共8页丁李利 王坦 张凤祁 杨国庆 陈伟 
Supported by National Natural Science Foundation of China(11690043,61634008)。
单粒子效应电路级建模与仿真是近年来的热点问题。为实现更高的准确度和更精细的机制分析,研究了单粒子瞬态受重离子入射位置的影响并解析建模,基于纳米尺度测试芯片的辐照试验结果验证了仿真方法的准确性。以此为基础开发了瞬时辐射效...
关键词：电路级 建模与仿真 单粒子效应 TREES CMOS器件 
40nm射频MOS器件性能及模型研究被引量：1
《电子技术（上海）》2021年第7期11-13,共3页刘林林 
上海科技企业技术创新课题项目
基于40nm CMOS工艺平台,设计了MOS器件的版图结构,根据去嵌方法设计了测试结构。基于器件寄生因素及物理效应的分析,提出器件的射频子电路模型,提出模型中各参数的提取流程。模型在0~60GHz范围内与测试数据一致性良好。以测试数据评估...
关键词：集成电路设计 CMOS器件 截止频率 射频模型 去嵌 
北大排列高密度半导体碳纳米管 电子学性能超同尺寸硅基器件
《中国粉体工业》2020年第3期46-46,共1页
集成电路的发展要求互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管在持续缩减尺寸的同时提升性能,降低功耗。随着主流CMOS集成电路缩减到亚10 nm技术节点,采用新结构或新材料对抗场效应晶体管中的短沟道效应、进一步提升器件能量利用效率变得愈加...
关键词：CMOS集成电路 场效应晶体管 新型半导体 短沟道效应 CMOS器件 原子尺度 半导体碳纳米管 技术节点 
一种计算纳米CMOS器件中应力致界面态的方法
《淮阴师范学院学报（自然科学版）》2020年第2期128-132,共5页马丽娟 徐跃 
国家自然科学基金项目(61871231)。
在纳米CMOS器件中,负栅压温度不稳定性、热载流子注入效应和栅氧化层经时击穿等应力使得Si/SiO 2界面产生界面态,引起器件参数的退化.随着CMOS器件不断缩小,这种退化将严重制约器件性能.提出了一种改进的计算纳米CMOS器件中应力产生界...
关键词：CMOS器件 界面态 计算方法 
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