嵌入式闪存

作品数：185被引量：21H指数：2
导出分析报告
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
相关作者：张华王宗宝周秀梅郑茳黄其煜更多>>
相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司华虹半导体(无锡)有限公司上海华力微电子有限公司更多>>
相关期刊：《中国集成电路》《软件和集成电路》《汽车制造业》《电子技术应用》更多>>
相关基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
铠侠正式发布业界首款车载UFS 4.0嵌入式闪存
《世界电子元器件》2024年第2期32-32,共1页
存储器解决方案的全球领导者铠侠株式会社宣布,该公司已开始提供业界首款(2)面向车载应用的通用闪存(3)(UFS)4.0版嵌入式闪存设备的样品(1)。新产品性能高,采用小型封装,提供快速的嵌入式存储传输速度,适用于多种新一代车载应用,诸如车...
关键词：嵌入式闪存 写入速度 用户体验 嵌入式存储 车载应用 顺序读取 存储器 全球领导者 
格芯和Microchip宣布Microchip 28 nm SuperFlash嵌入式闪存解决方案投产
《单片机与嵌入式系统应用》2023年第11期94-94,共1页
格芯(Global Foundries)与Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)及其旗下子公司Silicon Storage Technology(SST)共同宣布,采用GF 28SLPe制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM解决方案即将投产。在实施SST广泛部署的ESF...
关键词：FLASH技术 编程时间 嵌入式闪存 MICROCHIP CMOS器件 Super 单元尺寸 STORAGE 
180 nm嵌入式闪存工艺中高压NMOS器件工艺加固技术
《物理学报》2022年第23期347-354,共8页陈晓亮 孙伟锋 
抗辐射嵌入式闪存工艺在航空航天领域应用广泛,其中高压NMOS器件对总剂量辐射效应最敏感,对该器件进行加固是提高芯片抗辐射能力的关键之一.本文采用浅槽隔离(STI)场区离子注入工艺对180 nm嵌入式闪存工艺中的高压NMOS器件进行加固,实...
关键词：总剂量辐射效应 工艺加固 高压器件 嵌入式闪存 
闪存读出电路的电流基准设计
《电子技术（上海）》2021年第2期12-13,共2页皮小燕 
基于SST闪存工艺,设计了一款温度系数可抵消并且电压波动可跟随的参考电流基准,作为闪存读出放大电路的基准电流。该电路在GF 55nm的嵌入式闪存工艺上完成多次流片,测试结果表明该电路可工作在1.5~3.6V电压范围,-50C~150℃温度范围,实现...
关键词：嵌入式闪存 读出电路 基准电流 
高效率低成本嵌入式闪存存储器的测试方案被引量：3
《集成电路应用》2020年第1期26-28,共3页钱亮 
嵌入式闪存测试不同于传统的存储器测试,它是将内建自测试和传统存储器测试相互结合的专业测试。在传统嵌入式闪存测试方法 JTAG 接口的基础上,通过对测试接口和测试方法的不断创新和优化,从五个测试信号、四个测试信号、三个测试信号...
关键词：集成电路测试 嵌入式闪存 JTAG接口 
一种EFlash高压自校准电路被引量：1
《微电子学与计算机》2019年第11期1-6,共6页孙铭阳 郑晓 郭桂良 
国家自然基金(61501453)
嵌入式闪存(Embedded Flash,EFlash)内部高压的准确性对其读取、编程和擦除的有效性至关重要.为了EFlash IP的高压误差尽可能小,电路预留了可调接口用于调整内部高压的数值.通过提出自动检测的算法和设计集自动化检测和校准一体的自测电...
关键词：嵌入式闪存 高压 ATE 自校准 高效 
Mythic公司公布模拟AI芯片战略，把所有东西放在内存里
《世界电子元器件》2019年第10期9-12,共4页
说到人工智能硬件,我们向来事无巨细。Wiki Chip密切关注的一家公司是Mythic。这家公司还没有完全公开他们的架构和产品,但一些细节已经开始慢慢浮出水面。在最近的人工智能硬件峰会上,该公司的创始人兼首席执行官Mike Henry绍了该芯片...
关键词：内存访问 欧姆定律 嵌入式闪存 Mythic AI 
新一代微控制器STM32H7:双核性能与丰富功能完美结合被引量：1
《单片机与嵌入式系统应用》2019年第8期94-96,共3页
意法半导体发布全新微控制器STM32H7。该新产品是业界性能最高的Arm CortexM通用MCU,集强劲的双核处理器和节能型功能以及强化的网络安保功能于一身。新产品采用Arm CortexM系列中性能最高的480 MHz CortexM7内核,并增加一颗240 MHz Cor...
关键词：双核处理器 微控制器 性能 ACCELERATOR 意法半导体 嵌入式闪存 加速技术 Arm 
超低功耗应用中Flash高压采样电路的设计
《集成电路应用》2019年第5期7-9,共3页黄明永 贾敏 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223)
低功耗系统中嵌入式闪存模块需要在工作和待机时均保持很低的功耗,嵌入式闪存的读、写、擦过程均涉及不同程度的高压,而要保持高压的稳定性则需要常开的高压采样电路,考虑到电荷泵的转换效率,电路在待机和工作时的功耗就比较可观。探讨...
关键词：高压采样电路 嵌入式闪存 超低功耗 
円星科技开发台积电28nm嵌入式闪存工艺IP
《中国集成电路》2019年第5期9-9,共1页円星科技 
日前,円星科技宣布,将在台积电28nm嵌入式闪存工艺技术(TSMC28nm Embedded Flash Process)开发SRAMCompilerIP,这些IP解决方案将能协助设计人员提升在移动装置、电源管理、物联网、汽车电子等应用的SoC功耗表现。此系列IP预计于今年第3...
关键词：嵌入式闪存 科技开发 台积电 工艺 设计人员 移动装置 电源管理 汽车电子 
全选清除导出
共19页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部