高压器件

作品数：94被引量：104H指数：5
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3He管探测器前端处理电路设计与实现
《电子元件与材料》2024年第9期1104-1112,共9页王蕾 张校尧 史涛 郑其斌 金钻明 
国家自然科学基金(12105177);国家重点研发计划(2023YFF0719202)。
面向3 He管中子探测器的测量需求,设计了一款前端处理电路,主要由信号成形模块和高压供电模块组成。信号成形模块采用分立元件方法,集成电荷灵敏放大、极零相消、多级滤波、基线恢复等功能电路,实现了信号的快速放大成形,可满足高计数...
关键词：前端电路 分立元件 整形滤波 高压器件 3 He管中子探测器 
低成本全电子安全与解除保险装置研究现状
《火工品》2024年第3期14-21,共8页汪柯 施长军 郭莎 郑监 任新联 胡宏伟 
装发预研项目。
随着全电子引信技术的不断成熟和快速发展,对全电子引信及安保装置的低成本化提出了新的要求,以便进一步扩展其应用领域。本文重点介绍了全电子安保装置高压元器件(高压变压器、高压电容、高压开关、爆炸箔起爆器)的低成本化发展现状,...
关键词：全电子安保装置 低成本 高压器件 MEMS 
提升高压器件氦质谱真空室法检漏效率
《中国科技信息》2023年第19期100-103,共4页丁海城 许飞 
高压器件通常是指设计工作压力在10MPa至100MPa范围之间的压力组件。由于高压器件在使用中是带高压工作,具有一定的危险性。如果在投入使用前不对其进行密封性检测或者在检测过程中出现漏检或未检出的情况,那么高压器件在工作中如果贮...
关键词：高压器件 氦质谱 气体泄漏 人身伤害 泄漏检测 密封性检测 高压气体 真空室 
180 nm嵌入式闪存工艺中高压NMOS器件工艺加固技术
《物理学报》2022年第23期347-354,共8页陈晓亮 孙伟锋 
抗辐射嵌入式闪存工艺在航空航天领域应用广泛,其中高压NMOS器件对总剂量辐射效应最敏感,对该器件进行加固是提高芯片抗辐射能力的关键之一.本文采用浅槽隔离(STI)场区离子注入工艺对180 nm嵌入式闪存工艺中的高压NMOS器件进行加固,实...
关键词：总剂量辐射效应 工艺加固 高压器件 嵌入式闪存 
双极型碳化硅固态高压器件技术研究进展
《中国工程物理研究院科技年报》2017年第1期93-99,共7页李俊焘 
碳化硅（SIC）材料具有比硅（Si）材料更高的击穿场强，更高的载流子饱和速度和更高的热导率，使SiC高压器件比Si的同类器件具有阻断电压高、导通电阻小、开关频率高、效率高、高温性能好及抗辐照能力强的特点。近年来SiC材料的突破给...
关键词：高压器件 器件技术 碳化硅 固态 双极型 SIC材料 击穿场强 阻断电压 
P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延生长研究被引量：3
《智能电网》2017年第8期752-756,共5页刘兴昉 闫果果 桑玲 郑柳 钮应喜 王嘉铭 张峰 杨霏 杨香 樊中朝 孙国胜 曾一平 温家良 何志 
国家重点研发计划(2016YFB0400500);北京市科技计划(D16110300430000);国家自然科学基金(61574140);全球能源互联网研究院项目(SGRI-GL-81-16-001)~~
基于碳化硅半导体的高压电力电子器件如MOSFET、IGBT等有望用于智能电网系统中。这些器件的基本结构包含PN结及其变体,其特点是包括N-漂移层、P阱区及位于其中的N+和P+并列阱区,形成了P+(N+)/P/N-结构。一般采用高温高能离子注入的方式...
关键词：碳化硅 高压器件 外延 阱区 智能电网 
微电子所在高迁移率沟道MOS器件研究上取得显著进展
《今日电子》2016年第4期27-27,共1页Mary 
微电子所高频高压器件与集成研发中心刘洪刚研究员、王盛凯副研究员带领CMOS研究团队在国家科技重大专项02专项、国家“973”课题和国家自然科学基金等项目的支持下,对high-k/III-V、high-k/Ge界面的缺陷行为及控制方法开展了系统研究,...
关键词：微电子 MOS器件 迁移率 国家自然科学基金 “973”课题 沟道 研发中心 高压器件 
氮化镓功率技术大热Transphorm创新HEMT结构高压器件
《半导体信息》2016年第1期4-6,共3页
氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力，近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上，这个主题受到国内媒体的集体关注。
关键词：功率技术 氮化镓 高压器件 HEMT 结构 创新 生产能力 特性设计 
深槽和阱邻近效应对MOSFET性能的影响
《中国集成电路》2015年第7期35-36,74,共3页Hanyu Sheng Tamara Bettinger John Bates 
开发测试结构是为了实现深槽和阱邻近效应在0.13μm间距工艺中对MOSFET影响的量化。本文分析了两类结构:深槽和阱边缘一起变化以及这些边缘单独变化。测量结果表明,深槽和阱邻近效应能够影响器件性能。
关键词：邻近效应 深槽 器件性能 测试结构 类结构 测量结果 高压技术 高压器件 浅槽 半导体技术 
新型图形化三埋层SOI LDMOS高压器件被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第3期272-276,共5页高迎霞 孙秀婷 卢智嘉 孟纳新 
河北省科学计划资助项目(13220344);石家庄市科研与发展课题(11113451)
提出了一种新型图形化三埋层SOI LDMOS高压器件结构,利用阶梯埋层和埋层1窗口将大量空穴束缚于埋层1和埋层2的上表面,提高了两者的纵向电场,并将器件的耐压从常规结构的470V提高到了805V。因为埋层2的厚度和介电常数对器件耐压无影响,...
关键词：三埋层 空穴 耐压 自热效应 高热导率 
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