闫果果

作品数：7被引量：9H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：碳化硅外延层衬底硅源碳化硅衬底更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术化学工程机械工程更多>>
发文期刊：《科技纵览》《军民两用技术与产品》《微纳电子技术》《半导体光电》更多>>
所获基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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无偏角4H-SiC同质外延温场分布系数的仿真及实验研究被引量：2
《半导体光电》2022年第5期909-913,共5页汪久龙 赵思齐 李云凯 闫果果 申占伟 赵万顺 王雷 关敏 刘兴昉 孙国胜 曾一平 
广东省重点研发计划项目(2021B0101300005);国家自然科学基金项目(12175236,62104222,61804149)。
采用化学气相沉积(CVD)方法进行碳化硅(4H-SiC)同质外延生长,生长过程中温场分布是决定外延层质量的关键因素。对CVD系统的温场分布进行了仿真研究,并采用无偏角4H-SiC衬底进行同质外延生长实验验证。结果表明,无偏角4H-SiC外延层中的3C...
关键词：碳化硅 无偏角衬底 同质外延 温度场 
更耐高压、更低功耗:新型碳化硅IGBT器件闪耀半导体器件舞台
《科技纵览》2019年第9期64-65,共2页申占伟 张峰 闫果果 刘兴昉 赵万顺 王雷 赵永梅 黄亚军 宋庆文 张艺蒙 
国家973计划青年科学家项目“高压大容量碳化硅IGBT电力电子器件若干基础科学问题研究”(项目编号:2015CB759600)的支持。
几十年前,在功率半导体器件领域,半导体硅材料一直“独唱主角”,硅基超大规模集成技术对硅功率器件的发展产生了重大影响。然而,随着功率领域对小型化、高频、高温、高压和抗辐照特性的迫切需求,硅基功率器件达到了理论极限,第二代半导...
关键词：宽禁带半导体材料 功率半导体器件 理论极限 半导体硅材料 功率器件 IGBT器件 耐高压 低功耗 
P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延生长研究被引量：3
《智能电网》2017年第8期752-756,共5页刘兴昉 闫果果 桑玲 郑柳 钮应喜 王嘉铭 张峰 杨霏 杨香 樊中朝 孙国胜 曾一平 温家良 何志 
国家重点研发计划(2016YFB0400500);北京市科技计划(D16110300430000);国家自然科学基金(61574140);全球能源互联网研究院项目(SGRI-GL-81-16-001)~~
基于碳化硅半导体的高压电力电子器件如MOSFET、IGBT等有望用于智能电网系统中。这些器件的基本结构包含PN结及其变体,其特点是包括N-漂移层、P阱区及位于其中的N+和P+并列阱区,形成了P+(N+)/P/N-结构。一般采用高温高能离子注入的方式...
关键词：碳化硅 高压器件 外延 阱区 智能电网 
氯基条件下4H-SiC衬底的同质外延生长研究被引量：2
《半导体光电》2016年第3期353-357,共5页闫果果 张峰 钮应喜 杨霏 刘兴昉 王雷 赵万顺 孙国胜 曾一平 
国网智能电网研究院项目(SGRI-WD-71-14-004);国家"863"计划项目(2014AA041402);国家自然科学基金项目(61474113;61274007和61574140);北京市自然科学基金项目(4132076和4132074);中国科学院青年创新促进会项目(2012098)
利用课题组自主研发的热壁低压化学气相沉积（HWLPCVD）系统,在朝[11-20]方向偏转4°的（0001）Si面4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,研究了生长温度及氯硅比（Cl/Si比）对外延生长速率的影响机理。研究发现,外延生长速率随生长温度...
关键词：碳化硅 低压化学气相沉积 同质外延 生长温度 
新一代宽禁带4H-SiC功率半导体外延材料的产业化进展被引量：1
《军民两用技术与产品》2013年第6期36-38,共3页孙国胜 董林 俞军 闫果果 李锡光 王占国 
使用10×100mm暖壁行星式外延生长系统进行了4H-SiC大面积多片外延生长,获得了具有良好掺杂与厚度均匀性的高质量4H-SiC外延晶片。测试结果显示,所制得外延晶片X射线衍射谱最高峰的半高宽为26.74″,具有良好的结晶质量;片内厚度均匀性...
关键词：4H-SIC 外延生长 暖壁行星式外延生长系统 多片 
4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究被引量：1
《半导体光电》2011年第3期359-362,共4页闫果果 孙国胜 吴海雷 王雷 赵万顺 刘兴昉 董林 郑柳 曾一平 
国家自然科学基金项目(60876003);中国科学院项目(Y072011000);中科院知识创新项目(Y072011000)
利用自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在5.08 cm(2英寸)4°偏轴4H-SiC衬底上生长4H-SiC同质外延膜。讨论了4H-SiC同质外延层中的两种扩展缺陷——彗星缺陷和胡萝卜缺陷,研究了这两种缺陷的起源与消除方法。研究发现采用化...
关键词：碳化硅 低压化学气相沉积 同质外延 扩展缺陷 
立方相SiC MEMS器件研究进展被引量：2
《微纳电子技术》2010年第7期415-424,共10页杨挺 孙国胜 吴海雷 闫果果 宁瑾 赵永梅 刘兴昉 罗木昌 王雷 赵万顺 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(60876003)
主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC)MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低残余应力、低应力梯度的薄膜材料,应当采用合适...
关键词：立方相碳化硅 MEMS器件 基本结构 加工工艺 测试结果 可靠性 
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