云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 赵永梅

赵永梅: 作品数：14被引量：18H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：碳化硅3C-SIC衬底刻蚀碳化硅材料更多>>; 发文领域：电子电信机械工程理学自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《红外》《科技纵览》《微纳电子技术》《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>

场效应晶体管太赫兹探测器在太赫兹成像领域的研究进展(下): 《红外》2024年第8期1-12,共12页靳晨阳康亚茹黄镇赵永梅颜伟李兆峰王晓东杨富华; 国家自然科学基金项目(61971395,52075519)。; 太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于...; 关键词：太赫兹成像场效应晶体管太赫兹探测器 HEMT CMOS 低维材料

场效应晶体管太赫兹探测器在太赫兹成像领域的研究进展(上): 《红外》2024年第7期1-8,共8页靳晨阳康亚茹黄镇赵永梅颜伟李兆峰王晓东杨富华; 国家自然科学基金项目(61971395,52075519)。; 太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于...; 关键词：太赫兹成像场效应晶体管太赫兹探测器 HEMT CMOS 低维材料

更耐高压、更低功耗:新型碳化硅IGBT器件闪耀半导体器件舞台: 《科技纵览》2019年第9期64-65,共2页申占伟张峰闫果果刘兴昉赵万顺王雷赵永梅黄亚军宋庆文张艺蒙; 国家973计划青年科学家项目“高压大容量碳化硅IGBT电力电子器件若干基础科学问题研究”(项目编号:2015CB759600)的支持。; 几十年前,在功率半导体器件领域,半导体硅材料一直“独唱主角”,硅基超大规模集成技术对硅功率器件的发展产生了重大影响。然而,随着功率领域对小型化、高频、高温、高压和抗辐照特性的迫切需求,硅基功率器件达到了理论极限,第二代半导...; 关键词：宽禁带半导体材料功率半导体器件理论极限半导体硅材料功率器件 IGBT器件耐高压低功耗

氮化铝面内伸缩模态谐振器的研究现状被引量：2: 《微纳电子技术》2014年第6期374-380,393,共8页杨健韩国威司朝伟赵永梅宁瑾; 国家自然科学基金资助项目(61274001;61234007);北京市科技创新基地培育与发展工程专项(Z131103002813070); 综述了氮化铝面内伸缩模态的射频MEMS谐振器。氮化铝面内伸缩模态谐振器(contour-mode resonator,CMR)利用了氮化铝薄膜的压电效应,由器件的机械谐振再通过机电转化实现谐振功能,基本结构为电极层-氮化铝层-电极层。当前研究的两种典型...; 关键词：射频微机电系统(RF-MEMS) 氮化铝(AlN) 面内伸缩模态谐振器谐振频率品质因子温度稳定性动态电阻

高性能音叉结构MEMS陀螺的抗冲击设计被引量：7: 《微纳电子技术》2014年第5期302-307,共6页司朝伟韩国威宁瑾赵永梅杨富华; 国家自然科学基金资助项目(61274001);北京市科技创新基地培育与发展工程专项(Z131103002813070); MEMS音叉陀螺存在很多振动模态,分析发现,其在驱动方向上受到冲击时的振动形式与工作在驱动模态的振动形式是不同的。通过改进悬挂梁的尺寸结构,提高了冲击振动模态谐振频率以增强陀螺的抗冲击性,同时保持驱动模态谐振频率不超过20 kHz...; 关键词：MEMS音叉陀螺冲击模态抗冲击性高品质因数惯性导航

基于谐振原理的RF MEMS滤波器的研制被引量：3: 《微纳电子技术》2012年第7期467-470,共4页康中波韩国威司朝伟钟卫威赵永梅宁瑾; 国家自然科学基金资助项目(61006073);国家高技术研究发展项目(2006AA04Z339); 采用与IC工艺兼容的硅表面MEMS加工技术,以碳化硅材料作为结构材料,研制出一种新型的基于谐振原理工作的RF MEMS滤波器。详细介绍了器件的工作原理、制备方法、测试技术和结果,并对测试结果做出分析。该RF MEMS滤波器由弹性耦合梁连接...; 关键词：射频微机电系统(RFMEMS) 滤波器谐振原理碳化硅亚微米间隙

立方相SiC MEMS器件研究进展被引量：2: 《微纳电子技术》2010年第7期415-424,共10页杨挺孙国胜吴海雷闫果果宁瑾赵永梅刘兴昉罗木昌王雷赵万顺曾一平; 国家自然科学基金资助项目(60876003); 主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC)MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低残余应力、低应力梯度的薄膜材料,应当采用合适...; 关键词：立方相碳化硅 MEMS器件基本结构加工工艺测试结果可靠性

Si基SiC微通道及其制备工艺被引量：4: 《微纳电子技术》2008年第8期458-461,共4页王亮孙国胜刘兴昉赵永梅宁瑾王雷赵万顺曾一平李晋闽; 国家自然科学基金资助项目(60406010);国家863高技术研究发展计划资助项目(2006AA04Z339); 提出了一种用于MEMS的硅基SiC微通道(阵列)及其制备方法,它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相淀积方法制备SiC。在Si(100)衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构,凹槽之间留出台面,凹槽和台面的几何尺寸(深度、宽度、长度)及其分布方式...; 关键词：微流体微通道碳化硅化学气相沉积模板单体

Laterally Electrostatically Driven Poly 3C-SiC Folded-Beam Resonant Microstructures: 《Journal of Semiconductors》2008年第8期1453-1456,共4页王亮赵永梅宁瑾孙国胜王雷刘兴坊赵万顺曾一平李晋闽; 国家自然科学基金(批准号:60406010);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA04Z339)资助项目~~; Micromachined comb-drive electrostatic resonators with folded-cantilever beams were designed and fabricated. A combination of Rayleigh＇s method and finite-element analysis was used to calculate the resonant frequency...; 关键词：lateral resonant device folded-beam comb structure MEMS RESONATOR silicon carbide

Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Films on Maskless Patterned Silicon Substrates: 《Journal of Semiconductors》2008年第7期1254-1257,共4页赵永梅孙国胜宁瑾刘兴昉赵万顺王雷李晋闽; 国家自然科学基金(批准号:60406010,0713170000);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA04Z339)资助项目~~; Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on patterned Si substrates by low pressure chemical vapor deposition （LPCVD） has been investigated to improve the crystal quality of 3C-SiC films. Si substrates were patterned with p...; 关键词：3C-SIC LPCVD patterned substrates

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