云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- LPCVD

LPCVD: 作品数：149被引量：201H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：陈大鹏叶甜春王雷孙国胜李晋闽更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所中国电子科技集团公司第四十八研究所中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划上海市科学技术发展基金更多>>

立式LPCVD设备的设计: 《电子工艺技术》2025年第2期45-48,共4页陈庆广樊坤赵瓛黄志海郑红应; 针对传统的卧式炉特点,从目前8~12英寸90 nm到28 nm制程的工艺需求出发,提出了一种立式LPCVD设备设计方案。设备对标国际主流应用装备,结合主流FAB产线大尺寸晶圆、高温度均匀性、颗粒污染控制、全自动控制的需求,进行了设备的针对性设...; 关键词：立式LPCVD 颗粒金属污染膜厚

LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺中防颗粒污染技术: 《电子工艺技术》2025年第2期52-55,共4页樊坤黄志海王理正王志伟苏子懿; 二氧化硅(SiO_(2))薄膜制备作为集成电路制造工艺中重要的一个步骤,在芯片的制造过程中具有多种用途,但易受颗粒污染造成产品不良。对采用TEOS源LPCVD法沉积SiO_(2)膜颗粒污染的方法进行了探索,设计了一种用于防颗粒污染的机构,该机构...; 关键词：半导体 CVD 温度控制微环境颗粒污染二氧化硅

TOPCon太阳电池LPCVD技术路线下的EL黑边、黑角改善研究: 《太阳能》2025年第1期70-78,共9页周塘华谢婉丽易辉谌业斌邹佳朴孙浩月; EL黑边、黑角是TOPCon太阳电池采用LPCVD技术路线时遇到的重点和难点问题,其不仅会导致光电转换效率和良品率下降,还会使太阳电池内出现EL图像明暗不均的问题。为了改善EL黑边、黑角问题,对TOPCon太阳电池采用LPCVD技术路线时的EL黑边...; 关键词：TOPCon太阳电池 LPCVD EL黑边、黑角 EL石英舟印

碳化硅陶瓷在光伏领域的应用与研究被引量：1: 《中国高新科技》2024年第11期103-105,共3页李梦飞马波; 随着太阳能光伏行业的发展,扩散炉、LPCVD炉成为生产太阳能电池片的主要设备,直接影响着太阳能电池片的性能。综合衡量产品性能和使用成本,碳化硅陶瓷材料在太阳能电池领域的应用均比石英材料更具有优势,碳化硅陶瓷材料应用于光伏行业,...; 关键词：太阳能光伏碳化硅陶瓷电池设备 LPCVD

硅片预清洗处理对LPCVD多晶硅薄膜生长的影响分析: 《集成电路应用》2024年第4期48-49,共2页郭国超姜波; 阐述不同预清洗条件下,晶片表面化学键状态的变化对LPCVD多晶硅沉积速率和晶粒大小的影响,通过实验优化预清洗条件,实现颗粒数降低,同时保持多晶硅薄膜的晶粒大小和沉积速率的稳定。; 关键词：集成电路制造 LPCVD 多晶硅薄膜预清洗

低压化学气相沉积氮化硅薄膜工艺研究: 《智能物联技术》2024年第1期81-84,共4页刘宗芳尤益辉 LEE Choonghyun; 浙江省“领雁”研发攻关计划项目(2022C1098)。; 低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)沉积的氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))具有质量高、副产物少、厚度均匀性好等特性,常应用于局部氧化的掩蔽膜、电容的介质膜、层间绝缘膜等工艺制程。介绍低压化学气相沉...; 关键词：低压化学气相沉积(LPCVD) 氮化硅薄膜均匀性沉积速率

基于TEOS源LPCVD设备的设计开发被引量：2: 《电子工艺技术》2024年第1期56-60,共5页彭浩姬常晓赵瓛; 在以TEOS源为SiO_(2)薄膜淀积源的低压化学气相沉积(LPCVD)工艺过程中,频繁出现薄膜厚度均匀性差、表面颗粒度高、设备维护周期短的问题。针对这个问题,设计并开发出一种适用于半导体工艺中的立式LPCVD设备。在设备结构上,工艺腔采用双...; 关键词：立式LPCVD 工艺腔旋转舟架排气管道

适用于低应力氮化硅薄膜的LPCVD设备被引量：3: 《电子工艺技术》2023年第6期52-55,共4页姬常晓王成宇赵瓛彭浩袁野易文杰; 针对适用于低应力氮化硅薄膜淀积的低压化学气相沉积(LPCVD)工艺中出现的薄膜应力大、应力均匀性差、工艺颗粒超标的问题,设计开发出一种适用于半导体器件的低应力立式LPCVD设备。在结构上,工艺腔采用双管式结构,内管为直筒式结构,以提...; 关键词：立式LPCVD 工艺腔旋转舟架低应力氮化硅

High threshold voltage enhancement-mode GaN p-FET with Sirich LPCVD SiN_(x) gate insulator for high hole mobility被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2023年第8期78-86,共9页Liyang Zhu Kuangli Chen Ying Ma Yong Cai Chunhua Zhou Zhaoji Li Bo Zhang Qi Zhou; This work was supported in part by the Natural Science Foundation of China under Grant 62174019;in part by the Guangdong Basic and Applied Basic Research Foundation China under Grant 2021B1515140039;in part by the Zhuhai Industry-University Research Cooperation Project under Grant ZH22017001210041PWC.; In this work,the GaN p-MISFET with LPCVD-SiN_(x) is studied as a gate dielectric to improve device performance.By changing the Si/N stoichiometry of SiN_(x),it is found that the channel hole mobility can be effectivel...; 关键词：p-channel GaN p-FET LPCVD channel mobility hole mobility ENHANCEMENT-MODE

管式LPCVD制备的多晶硅钝化接触结构性能研究: 《中文科技期刊数据库（引文版）工程技术》2023年第6期139-143,共5页黄嘉斌赵增超周小荣李兵成秋云; 本文通过管式LPCVD在工业大面积n型硅衬底上沉积本征非晶硅,然后通过高温磷扩散对多晶硅层进行掺杂和晶化后,分析了沉积温度,SiH4流量比和磷扩散退火等参数对多晶硅层的表面形貌,沉积速率,掺杂浓度,钝化性能等的影响。这项工作证明了管...; 关键词：LPCVD 表面形貌掺杂钝化均匀性

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