云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- HEMT

HEMT: 作品数：613被引量：659H指数：9; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郝跃刘新宇马晓华王晓亮张宝顺更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中国科学院电子科技大学中国电子科技集团第十三研究所更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国博士后科学基金更多>>

高阈值电压的半环绕式MIS栅极P-GaNHEMT: 《半导体技术》2025年第4期333-338,共6页何晓宁贾茂李明志侯斌杨凌马晓华; 陕西省创新能力支撑计划项目(2022KRW04)。; p-GaNHEMT以阈值电压稳定、导通损耗低、开关频率高和工艺成熟等优势,成为新一代主流功率开关器件。针对其栅控能力与开态损耗优化需求,提出了一种采用半环绕式金属-绝缘体-半导体(MIS)栅结构的p-GaNHEMT。通过采用SiN介质层及栅极金属...; 关键词：半环绕栅(GSA) 常关型 ALGAN/GAN HEMT p-GaN栅极电学特性

High quality 6-inch single-crystalline AlN template for E-mode HEMT power device: 《Journal of Semiconductors》2025年第3期96-101,共6页Zhiwen Liang Shangfeng Liu Ye Yuan Tongxin Lu Xiaopeng Li Zirong Wang Neng Zhang Tai Li Xiangdong Li Qi Wang Shengqiang Zhou Kai Kang Jincheng Zhang Yue Hao Xinqiang Wang; supported by the National Key R&D Program of China(No.2022YFE0140100);the National Natural Science Foundation of China(Nos.52273271 and 62321004);partly supported by the Key R&D Program of Guangdong Province(No.2020B01074003)。; In the present work,the high uniform 6-inch single-crystalline AlN template is successfully achieved by high temperature annealing technique,which opens up the path towards industrial application in power device.Moreo...; 关键词：SINGLE-CRYSTALLINE allium nitride TEMPLATE E-mode HEMT

基于谐波调谐的C波段高效率GaN HEMT功率放大器: 《半导体技术》2025年第3期289-295,共7页李俊敏刘英坤李通蔡道民; 为解决传统功率放大器在管壳外部进行谐波匹配,导致谐波短路传输相位不一致和谐波、基波匹配电路互相影响的问题,基于0.25μm GaN HEMT工艺,对C波段高效率预匹配功率放大器进行研究。功率放大器管壳内部HEMT输入端采用键合线和瓷片电容...; 关键词：谐波阻抗匹配漏极效率 GAN HEMT 功率放大器

GaN HEMT器件表面钝化研究进展: 《电子与封装》2024年第12期71-79,共9页陈兴党睿李永军陈大正; 国家自然科学基金(62274126)。; 作为第三代半导体材料之一,GaN凭借其优异的材料特性,如较高的击穿场强、较高的电子迁移率以及较好的热导率等,在制备高频、高功率及高击穿电压的AlGaN/GaN HEMT器件方面得到广泛应用。然而,目前电流崩塌、栅泄漏电流、频率色散等一系...; 关键词：GaN HEMT器件 MIS-HEMT 钝化电流崩塌栅泄漏电流

基于InP基HEMT器件的D波段倍频源设计: 《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第12期1332-1338,1363,共8页宋树田刘军; 传统太赫兹倍频源多采用混合集成电路的实现方式,导致太赫兹倍频源存在体积大、封装损耗高、稳定性差等问题。采用栅长2×25μm的磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT)有源器件,利用先进系统设计(ADS)原理仿真和电磁仿真(EM)联合仿真...; 关键词：D波段(110~170 GHz) 磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT) 倍频源单片集成太赫兹源

一种波导耦合的AlGaN/GaN HEMT太赫兹探测器被引量：1: 《微波学报》2024年第6期66-72,共7页尤柱秦华孙建东靳琳秦晨阳; 国家自然科学基金(61975227)。; 自由空间的太赫兹电磁波与太赫兹天线/探针之间的耦合通常是通过波导或硅透镜来实现的。基于波导的耦合方案可以提供比透镜耦合方案更高的耦合效率,而此前AlGaN/GaN HEMT太赫兹探测器/混频器具有高阻抗的特性,因此一般采用硅透镜耦合。...; 关键词：太赫兹波导微带线阻抗匹配 HEMT

GaN HEMT功率器件及辐射效应研究进展: 《微纳电子技术》2024年第12期16-27,共12页邱一武王安晨殷亚楠周昕杰; 阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在电力电子和卫星通信领域的应用优势,并从材料生长、器件结构和性能提升的角度梳理了近年国内外的发展现状。针对GaN HEMT功率器件在复杂空间环境下面临的辐射损伤问题,重点归纳了γ射线辐射...; 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT) 空间辐射效应损伤机制抗辐射加固

基于HEMT生物传感的抗组胺药物与MIF相互作用及验证研究: 《药物分析杂志》2024年第8期1348-1355,共8页王静吴志生赵小军赵静郇星月郭新雨王恺怡何晗姚景春关永霞李市荣张贵民王逸飞; 国家重点研发计划课题(2023YFC3504505);国家自然科学基金项目(82274110);国家医学攻关产教融合创新平台-中药智能制造工程平台项目(90010062820031);北京科技新星交叉项目(20230484458);中央高校基本科研业务费北京中医药大学揭榜挂帅项目(2022-JYB-JBZR-019,2022-JYB-JBZR-018);北京中医药大学横向课题(BUCM-2021-JS-FW-173)。; 目的:建立生物传感技术集成模式生物斑马鱼研究方法,实现盐酸西替利嗪、盐酸非索非那定、咪唑斯汀、依巴斯汀4种抗组胺药物与过敏性鼻炎关键靶点巨噬细胞迁移抑制因子(MIF)相互作用及验证研究。方法:以砷化镓(AlGaAs/GaAs)高电子迁移率...; 关键词：HEMT生物传感器巨噬细胞迁移抑制因子过敏性鼻炎盐酸西替利嗪斑马鱼

AlGaN/GaN异质结HEMT电学特性仿真研究被引量：1: 《现代电子技术》2024年第16期23-27,共5页李尧张栩莹王爱玲牛瑞霞王奋强蓝俊张鹏杰刘良朋吴回州; 国家自然科学基金项目(61905102);国家自然科学基金项目(62264008);兰州市青年科技人才创新项目(2023-QNQ-119);甘肃省高校青年博士支持项目(2024QB-050);开放课题(甘财教[2023]36号-集成电路产业研究院)。; GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)作为宽禁带功率半导体器件的代表,在电子电路的应用方面有巨大的潜力。GaN HEMT因其高击穿电压、高电子迁移率等优异性能,适用于各种高频、高功率器件,并被广泛应用于雷达和航空航天等领域。文中利用Silva...; 关键词：ALGAN/GAN异质结 HEMT 二维电子气转移特性输出特性频率特性热特性

AlN/β-Ga_(2)O_(3)HEMT频率特性仿真研究: 《人工晶体学报》2024年第8期1361-1368,共8页贺小敏唐佩正刘若琪宋欣洋胡继超苏汉; 国家自然科学青年基金(62104190,61904146);西安市科技局项目(2023JH-GXRC-0122);陕西省自然科学基础研究计划(2024JC-YBQN-0655)。; 器件的频率特性影响较为复杂,本文利用Sentaurus TCAD研究了AlN势垒层厚度、栅长、栅漏间距和功函数对AlN/β-Ga_(2)O_(3)高电子迁移率晶体管(HEMT)频率特性的影响,得到以下结论:随着AlN势垒层厚度从10 nm增加到25 nm,截止频率(f_(T))...; 关键词：β-Ga_(2)O_(3) ALN HEMT 截止频率最高振荡频率

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