最高振荡频率

作品数：18被引量：13H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：刘新宇刘果果魏珂黄俊程伟更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所南京电子器件研究所北京工业大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《人工晶体学报》《微纳电子技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家部委预研基金北京市科技新星计划国家重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
AlN/β-Ga_(2)O_(3)HEMT频率特性仿真研究
《人工晶体学报》2024年第8期1361-1368,共8页贺小敏 唐佩正 刘若琪 宋欣洋 胡继超 苏汉 
国家自然科学青年基金(62104190,61904146);西安市科技局项目(2023JH-GXRC-0122);陕西省自然科学基础研究计划(2024JC-YBQN-0655)。
器件的频率特性影响较为复杂,本文利用Sentaurus TCAD研究了AlN势垒层厚度、栅长、栅漏间距和功函数对AlN/β-Ga_(2)O_(3)高电子迁移率晶体管(HEMT)频率特性的影响,得到以下结论:随着AlN势垒层厚度从10 nm增加到25 nm,截止频率(f_(T))...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) ALN HEMT 截止频率 最高振荡频率 
最高振荡频率为620GHz的0.25μm InP DHBT器件被引量：1
《固体电子学研究与进展》2021年第3期F0003-F0003,共1页戴姜平 孙岩 李征 常龙 姚靖懿 程伟 
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹单片集成电路的研制。图1和图2分别展示了南京电子器件研究所研制的101.6mm(4英寸)0.25 μm InP DHBT器件剖面图和高频性能...
关键词：单片集成电路 击穿电压 最高振荡频率 电流增益 高频性能 截止频率 磷化铟 DHBT 
电子束实现210 nm栅长115 GHz GaAs基mHEMT器件被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2018年第1期17-20,37,共5页曾建平 安宁 李志强 李倩 唐海林 刘海涛 梁毅 
国家自然科学基金-面上资助项目(61474102)
为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅...
关键词：T型栅 应变高电子迁移率晶体管 电流增益截至频率 最高振荡频率 
最高振荡频率416GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT被引量：2
《固体电子学研究与进展》2013年第6期F0003-F0003,共1页程伟 王元 赵岩 陆海燕 牛斌 高汉超 
太赫兹技术（300GHz～3THz）在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l／f噪声等优点，非常适合于太赫兹单片集成功率放大器...
关键词：InGaAs InP 最高振荡频率 太赫兹 DHBT GHz 异质结双极型晶体管 集成功率放大器 l f噪声 
Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管
《半导体技术》2013年第8期589-592,608,共5页张效玮 贾科进 房玉龙 冯志红 赵正平 
国家自然科学基金资助项目(60890192;60876009)
InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结...
关键词：INALN GaN AlGaN双异质结 异质结场效应晶体管(HFET) 附加功率效率 碳 化硅(SiC) 功率增益截止频率 最高振荡频率 
4W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT被引量：3
《固体电子学研究与进展》2007年第3期320-324,共5页任春江 李忠辉 焦刚 董逊 李肖 陈堂胜 李拂晓 
报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/GaN...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 单位截止频率 最高振荡频率 
基于SOI结构的SiGe HBT频率特性研究被引量：1
《微电子学》2006年第4期389-391,共3页戴广豪 李文杰 王生荣 李竞春 杨谟华 
基于SOI技术原理,模拟仿真了SOI结构SiGe HBT的频率特性,并与相同条件下体SiGe HBT频率特性进行了比较分析。仿真结果显示,SOI结构中埋氧层BOX的引入,可使SOI结构SiGe HBT集电极-基极电容Ccb和衬底-基极电容Csb最大降幅分别达94.7%和94....
关键词：SOI SIGE 异质结晶体管 频率特性 最高振荡频率 
基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究被引量：1
《西安电子科技大学学报》2005年第3期432-434,488,共4页刘道广 郝跃 徐世六 李开成 刘玉奎 刘嵘侃 张静 胡辉勇 李培咸 张晓菊 徐学良 
国家部委预研支持项目(99JS09.2.2.DZ3401)
采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2...
关键词：自对准 最高振荡频率 SiGe合金材料 
新结构微波功率SiGe HBT的数值分析
《Journal of Semiconductors》2005年第1期96-101,共6页刘亮 王玉琦 肖波 亢宝位 吴郁 王哲 
提出一种新结构的微波功率SiGe异质结双极晶体管 (SiGeHBT) ,该结构通过在传统SiGeHBT的外基区下的集电区中挖槽并填充SiO2 的方法来改善器件的高频性能 .将相同尺寸的新结构和传统结构的器件仿真结果进行比较 ,发现新结构器件的基区 ...
关键词：微波功率SiGe HBT MSG/MAG 最高振荡频率 
AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期147-150,共4页冉军学 王晓亮 王翠梅 王军喜 曾一平 李晋闽 
国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683,2002CB311903)和国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304)资助项目
对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频...
关键词：HBTS ALGAN/GAN 截止频率 最高振荡频率 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部