陈堂胜

作品数：196被引量：291H指数：8
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供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文主题：高电子迁移率晶体管氮化镓砷化镓GANALGAN/GAN_HEMT更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微波学报》《微电子学》《光学学报》《中国材料进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
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氧化镓射频器件研究进展
《固体电子学研究与进展》2025年第2期1-11,共11页郁鑫鑫 沈睿 谯兵 李忠辉 叶建东 孔月婵 陈堂胜 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB3605504)。
氧化镓(Ga_(2)O_(3))是性能优异的超宽禁带半导体材料,不仅临界击穿场强大、饱和速度高,而且具有极高的巴利加优值和约翰逊优值,在功率和射频器件领域具有重要的应用前景。本文聚焦于Ga_(2)O_(3)射频器件,首先介绍了Ga_(2)O_(3)在射频...
关键词：氧化镓 超宽禁带 射频器件 
基于3ω法的热导率测试技术研究进展
《工程热物理学报》2025年第4期1205-1219,共15页李义壮 郭怀新 王瑞泽 孔月婵 陈堂胜 
国家重点研发计划(No.2020YFA0709700);江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术项目(No.BE2022070-4)。
热导率是反映材料热性能的重要参数,不管是用于散热还是绝热,对材料热导率的准确测试具有重要意义。本文综述一种适应性强、测试便捷、样品制备简单、测试设备成本低的热导率测试方法—3ω法,首先介绍了利用3ω法测试热导率的基本原理;...
关键词：3ω法 热导率 薄膜 各向异性 
AI光学神经网络计算芯片发展现状及趋势
《光电子技术》2025年第1期1-9,共9页杨卓樾 钱广 黄梦昊 孔月婵 陈堂胜 
国家重点研发计划(2022YFB2802502,2022YFB2802702)。
介绍了用于人工智能的光学神经网络芯片工作原理、系统架构以及应用场景,分析了近年来国内外的研究现状,总结了关键技术和未来的发展趋势。为突破传统电子计算“功耗墙”和“算力墙”提供了全新技术路径,在人工智能领域展现出诱人的应...
关键词：光计算 光学神经网络 人工智能 
65GHz薄膜铌酸锂电光强度调制器
《固体电子学研究与进展》2025年第1期F0003-F0003,共1页顾晓文 钱广 王琛全 戴姜平 唐杰 孔月婵 陈堂胜 
南京电子器件研究所基于自主101.6mm(4英寸)硅基绝缘体上薄膜铌酸锂(Lithium niobate-on-insulator,LNOI)工艺平台设计并成功研制了LNOI电光强度调制器芯片(如图1所示,单只芯片尺寸12.5mm×2.2mm),研究了低损耗LNOI光波导、低应力低损...
关键词：低插入损耗 铌酸锂 芯片尺寸 微波光子 调制带宽 回波损耗 光波导 光传输 
碳纳米管射频晶体管及放大器电路研究
《固体电子学研究与进展》2025年第1期22-27,共6页赵亮 杨扬 霍帅 张勇 陆辉 汪珍胜 钟世昌 唐世军 孔月婵 陈堂胜 
基于射频电子器件级碳纳米管阵列材料,研制出具备高增益、高线性特性的射频场效应晶体管,并对其进行了S参数提取、等效电路建模及匹配电路设计,实现了单级碳纳米管射频放大器电路。该电路在9 GHz点频增益达10.9 dB,增益1 dB压缩点处三...
关键词：碳纳米管 射频 放大器 
不同沉积温度Al_(2)O_(3)栅介质金刚石MOSFET器件研究
《固体电子学研究与进展》2024年第6期552-555,602,共5页谯兵 郁鑫鑫 何适 陶然 李忠辉 陈堂胜 
采用原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)技术,在(001)晶面的单晶金刚石衬底上制备了不同沉积温度Al_(2)O_(3)栅介质的氢终端金刚石MOSFET器件。在200℃下沉积Al_(2)O_(3)栅介质的器件的饱和电流密度为291 mA/mm,当沉积温度升高至...
关键词：金刚石 原子层沉积 氧化铝 温度 
GaN器件金刚石近结集成热管理技术研究进展
《固体电子学研究与进展》2024年第6期561-567,共7页郭怀新 陈堂胜 孔月婵 李忠辉 李义壮 黄健 
国家自然科学基金重大研究计划项目(92373118)。
GaN器件大功率及高功率密度的发展受限于其自生热和近结区散热能力引起的器件结温升高问题,导致器件性能严重下降,GaN器件的大功率潜能远未得到发挥,金刚石近结集成热管理技术是解决GaN器件热瓶颈的重要途径。本文详细论述GaN器件近结...
关键词：GaN功率器件 器件级热管理 热测试 金刚石衬底 金刚石钝化 
基于DRIE的太赫兹行波管硅基低损耗慢波结构工艺技术研究
《固体电子学研究与进展》2024年第5期369-373,共5页吴杰 杨扬 刘欣 严可 郑源 冯堃 王政焱 姜理利 黄旼 李忠辉 朱健 陈堂胜 
行波管慢波结构的制造通常采用计算机数字化控制精密机械加工技术。随着工作频率的提升,对慢波结构特征尺寸精度的要求达到微纳米级,导致加工难度大、周期长,成本高昂,一定程度上限制了技术的快速发展。硅基MEMS加工工艺具备优秀的三维...
关键词：太赫兹 慢波结构 低损耗 硅基 MEMS 深反应离子刻蚀(DRIE) 
基于铝镓砷微环谐振腔的集成量子频率梳
《固体电子学研究与进展》2024年第5期F0003-F0003,共1页郑晓冬 陈哲 何润秋 李玉富 陆亮亮 孔月婵 陈堂胜 牛斌 
南京电子器件研究所基于自主工艺平台设计并成功研制了铝镓砷(AlGaAs)微环谐振腔量子频率梳芯片(如图1所示),得益于高非线性系数的AlGaAs微环谐振腔结构可实现高亮度的量子光源。该器件最高品质因子(Q)为1.3×10^(5),平均自由光谱范围(F...
关键词：微环谐振腔 非线性系数 自由光谱范围 铝镓砷 频率梳 ALGAAS 全集成 光量子 
用于GaN CMOS集成技术的p型GaN欧姆接触研究
《固体电子学研究与进展》2024年第3期196-200,251,共6页潘传奇 王登贵 周建军 胡壮壮 严张哲 郁鑫鑫 李忠辉 陈堂胜 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(62104218)。
通过金属叠层结构、蒸发-合金工艺条件的优化调整,实现了低接触电阻率、高稳定的p型GaN欧姆接触技术,并研究分析了电极金属在合金过程中的扩散行为。测试结果显示,改进后的p型GaN欧姆接触电阻为11.9Ω·mm,比导通电阻率为3.9×10^(-5)Ω...
关键词：GaN CMOS P型GAN p沟道器件 欧姆接触 低接触电阻 
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