65GHz薄膜铌酸锂电光强度调制器  

65 GHz Electro-optical Intensity Modulator Based on Thin-film Lithium Niobate

作　　者：顾晓文 钱广 王琛全 戴姜平 唐杰 孔月婵[1] 陈堂胜[1] GU Xiaowen;QIAN Guang;WANG Chenquan;DAI Jiangping;TANG Jie;KONG Yuechan;CHEN Tangsheng(Nanjing Electronic Devices Institute,National Key Laboratory of Solid-state Microwave Devices and Circuits,Nanjing,210016,CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所,固态微波器件与电路全国重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2025年第1期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所基于自主101.6mm(4英寸)硅基绝缘体上薄膜铌酸锂(Lithium niobate-on-insulator,LNOI)工艺平台设计并成功研制了LNOI电光强度调制器芯片(如图1所示,单只芯片尺寸12.5mm×2.2mm),研究了低损耗LNOI光波导、低应力低损耗氧化硅生长等核心工艺,突破了宽带、低插入损耗LNOI调制器技术。调制器芯片典型插入损耗≤5dB(如图2所示),3dB调制带宽>65GHz(如图3所示),射频半波电压V_(π)=3.3 V@50 kHz(如图4所示),射频回波损耗>10dB,消光比>20dB。该芯片具有小尺寸、低插损、低半波电压、高带宽的特点,可应用于微波光子、数字光传输等领域。

关 键 词：低插入损耗 铌酸锂 芯片尺寸 微波光子 调制带宽 回波损耗 光波导 光传输 

分 类 号：TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程] TN761[电子电信—电路与系统]