P型GAN

作品数：29被引量：48H指数：4
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高掺杂低位错p型GaN材料生长研究
《半导体技术》2024年第8期702-707,共6页高楠 房玉龙 王波 韩颖 张志荣 尹甲运 刘超 
对采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在SiC衬底上生长的p型GaN材料进行了研究。p型GaN材料通常采用Mg掺杂来实现,但Mg有效掺杂量的增加会导致材料的空穴浓度提高,表面粗糙度变大、位错密度增加。采用Delta掺杂方式,在Cp_(2)Mg通入量一...
关键词：金属有机化学气相沉积(MOCVD) Delta掺杂 P型GAN 空穴浓度 半高宽(FWHM) 
用于GaN CMOS集成技术的p型GaN欧姆接触研究
《固体电子学研究与进展》2024年第3期196-200,251,共6页潘传奇 王登贵 周建军 胡壮壮 严张哲 郁鑫鑫 李忠辉 陈堂胜 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(62104218)。
通过金属叠层结构、蒸发-合金工艺条件的优化调整,实现了低接触电阻率、高稳定的p型GaN欧姆接触技术,并研究分析了电极金属在合金过程中的扩散行为。测试结果显示,改进后的p型GaN欧姆接触电阻为11.9Ω·mm,比导通电阻率为3.9×10^(-5)Ω...
关键词：GaN CMOS P型GAN p沟道器件 欧姆接触 低接触电阻 
Pd/p-GaN欧姆接触退化机理被引量：1
《发光学报》2021年第7期1065-1073,共9页张帆 王荣新 黄思溢 田爱琴 刘建平 杨辉 
国家自然科学基金(11974378,61834008,61574160,61804164,61704184);国家重点研究发展计划(2017YFE0131500,2017YFB0405000,2017YFB0403101);江苏省自然科学基金(BK20180254)资助项目。
近几年,Ⅲ-Ⅴ族半导体GaN由于其宽直接带隙,在高温、高功率器件方面得到了广泛研究。但是,目前GaN器件的性能依然受到了p型欧姆接触性能不良的限制,在长期使用过程或高温环境中激光器等器件性能退化严重。因此,获得性能优异的p-GaN接触...
关键词：P型GAN 欧姆接触 XPS 界面 
p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的热稳定性研究被引量：1
《半导体光电》2020年第2期242-246,共5页左秉鑫 曾昭烩 李祈昕 李叶林 刘宁炀 赵维 陈志涛 李云平 
广州珠江科技新星项目支持项目(201806010087).
研究了p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的比接触电阻率、热稳定性,以及光学反射率。与传统Pd/Al/Ni电极相比,Pd/NiO/Al/Ni电极的欧姆接触在氮气环境中经300℃下热处理10min后,仍保持低比接触电阻率(小于5×10-4Ω·cm2)和高反射率...
关键词：GAN 电极材料 欧姆接触 热稳定性 倒装紫外LED芯片 
低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究被引量：2
《半导体光电》2016年第2期229-231,237,共4页王凯 邢艳辉 韩军 赵康康 郭立建 于保宁 李影智 
国家自然科学基金项目(61204011;11204009;6107026);国家自然科学基金重点基金项目(U103760);北京市自然科学基金项目(4142005)
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46cm^3/min的CP_2Mg源流量下,晶体质量和导电性能都有所改善,获得了较高空穴浓度,为8.73×10^...
关键词：薄膜 P型GAN Delta掺杂 低源流量 金属有机物化学气相沉积 
透射式p型GaN(0001)光电阴极的表面洁净度及表征研究
《真空科学与技术学报》2016年第1期10-14,共5页冯刘 石峰 苗壮 程宏昌 师宏立 高翔 王龙 牛森 
在p型GaN(0001)光电阴极的化学腐蚀和高温热清洗的处理过程中,为了评价化学处理和热清洗的效果,利用X射线光电子谱分析了不同阶段的光电阴极表面状况。结果表明,开始处理前,表面存在严重的C、O污染,C的表面覆盖率接近2个单原子层,而O稍...
关键词：GAN X射线光电子谱 化学腐蚀 热清洗 覆盖率 
Ni层厚度对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响被引量：2
《半导体光电》2014年第5期850-854,共5页周勋 罗木昌 赵文伯 黄烈云 
对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性与Ni金属层厚度之间的相关性进行了对比实验研究,利用XRD衍射结果与表面金相显微分析手段对Ni/Au双层金属电极在合金退火过程中的行为特性进行了细致探讨。分析结果表明:在Ni/Au电极结构中,由双层互扩散机制与...
关键词：P型GAN 欧姆接触 Ni/Au电极 Ni层厚度 
InGaN绿光LED中p型GaN层的优化设计被引量：1
《半导体光电》2013年第1期20-24,共5页郝锐 马学进 马昆旺 周仕忠 李国强 
国家自然科学基金项目(51002052);广东省重大科技专项项目(2011A080801018);广东省战略新兴产业LED专项资金项目(2011A0813010101)
InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降。由于量子阱结构生长完成之后的p型GaN的生长温度要远高于量子阱结构生长温度,因此,p型GaN的生长过程对多量子阱质量有重大影响。论文...
关键词：INGAN 绿光LED P型GAN 外延生长 X射线衍射 
MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究被引量：1
《光电子．激光》2012年第4期708-711,共4页韩军 冯雷 邢艳辉 邓军 徐晨 沈光地 
国家高技术研究发展"863"计划(2008AA03Z402);国家自然科学基金(61107025);北京市自然科学基金(4102003;4112006;4092007)资助项目
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长p型GaN:Mg薄膜,对不同二茂镁(CP2Mg)流量和Ⅴ族和Ⅲ族摩尔(Ⅴ/Ⅲ)比生长的p型GaN:Mg薄膜特性进行研究。研究表明,增加Ⅴ/Ⅲ比,可以降低螺旋位错密度,提高p型GaN晶体质量。当Ⅴ...
关键词：金属有机物气相淀积(MOCVD) p型氮化镓(CaN) X射线双晶衍射(DCXRD) 原子力显微镜(AFM) 
p型GaN低温粗化提高发光二极管特性被引量：4
《物理学报》2010年第2期1233-1236,共4页邢艳辉 韩军 邓军 李建军 徐晨 沈光地 
国家高技术研究发展计划(批准号:2008AA03Z402);北京市自然科学基金(批准号:4092007; 4102003);北京市教育委员会科技发展计划(批准号:KM200810005002);北京工业大学博士科研启动基金(批准号:X0002013200901)资助的课题~~
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上低温生长GaN:Mg薄膜,对不同源流量的GaN:Mg材料特性进行优化研究.研究表明二茂镁(CP2Mg)和三甲基镓(TMGa)物质的量比([CP2Mg]/[TMGa])在1.4×10-3—2.5×10-3范围内,随[CP2Mg]/[TMGa]增加...
关键词：氮化镓 金属有机物化学气相沉积 原子力显微镜 X射线双晶衍射 
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