周勋

作品数:26被引量:61H指数:4
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供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
发文主题:ALGAN高分辨X射线衍射日盲紫外GAN焦平面探测器更多>>
发文领域:电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
发文期刊:《红外与激光工程》《压电与声光》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》更多>>
所获基金:中国电子科技集团公司创新基金国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划重庆市科技攻关计划更多>>
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日盲紫外焦平面探测器的抗辐射加固设计被引量:2
《半导体光电》2019年第2期157-160,165,共5页申志辉 罗木昌 叶嗣荣 樊鹏 周勋 
国防基础科研计划项目(JCKY2017210A003);国家安全重大基础研究项目(61328403)
设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器,重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计。对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试,试验结果表明样品的抗电离...
关键词:紫外焦平面探测器 读出电路 抗辐射加固 总剂量效应 
一种用于激光制导的高灵敏度制冷型APD四象限探测器组件被引量:5
《半导体光电》2019年第1期34-37,共4页张兴 谭千里 杨昕仪 周勋 
设计并制作了一种硅雪崩光电二极管(APD)四象限探测器芯片,基于该芯片研制了一款新型高灵敏度制冷型APD四象限探测器组件;创新性地将探测器芯片、热电制冷器、前置放大电路和增益控制模块集成在带光窗的金属外壳中;该组件制冷加热速度快...
关键词:热电制冷器 增益控制模块 APD四象限探测器组件 PIN四象限探测器组件 
AlGaN日盲紫外焦平面阵列均匀性研究被引量:2
《半导体光电》2018年第2期156-159,200,共5页赵文伯 叶嗣荣 赵红 罗木昌 周勋 杨晓波 陈扬 李艳炯 申志辉 柳聪 
结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素。在此基础上,提出了改进器件均匀性的技术...
关键词:响应均匀性 日盲探测器 混合集成结构 焦平面阵列 
基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备
《半导体光电》2016年第2期175-177,196,共4页叶嗣荣 周勋 李艳炯 申志辉 
对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍。通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测器的低损伤斜台面制作,器件测试结果表明,高质量斜台面能够有效抑制雪崩探测器的表面提前击穿,器件暗电...
关键词:GAN 雪崩探测器 背照式 斜台面 
短波红外InGaAs焦平面探测器的技术进展被引量:9
《半导体光电》2015年第5期683-688,共6页刘军华 高新江 周勋 
InGaAs焦平面阵列探测器是短波红外(SWIR)窗口获取目标信息的主流成像器件,具有灵敏度高、可室温工作的典型技术特征,作为一类重要的军民两用技术,在军事装备、安全防范、工业检测和空天遥感等领域需求明确,应用前景广阔。文章简述了短...
关键词:INGAAS 短波红外 焦平面 技术进展 
InGaAs焦平面探测器成像组件的设计与实现被引量:3
《半导体光电》2015年第3期509-512,共4页卢杰 张维刚 吴海游 周勋 
针对InGaAs短波红外成像在军事装备、安全防范和工业检测等领域中的应用,提出了一种基于FPGA技术架构的InGaAs焦平面探测器组件的设计方案。讨论了InGaAs焦平面探测器的时序驱动、TEC温控、非均匀性校正、图像增强和自动曝光等关键技术...
关键词:短波红外 InGaAs焦平面 成像组件 非均匀性校正 
Ni层厚度对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响被引量:2
《半导体光电》2014年第5期850-854,共5页周勋 罗木昌 赵文伯 黄烈云 
对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性与Ni金属层厚度之间的相关性进行了对比实验研究,利用XRD衍射结果与表面金相显微分析手段对Ni/Au双层金属电极在合金退火过程中的行为特性进行了细致探讨。分析结果表明:在Ni/Au电极结构中,由双层互扩散机制与...
关键词:P型GAN 欧姆接触 Ni/Au电极 Ni层厚度 
高抑制比背照式Al_xGa_(1-x)N pin日盲紫外探测器研究被引量:1
《半导体光电》2014年第2期176-180,共5页赵文伯 许华胜 申志辉 叶嗣荣 周勋 李艳炯 黄烈云 
利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基础上,较详细地分析了偏置电压、p-AlxGa1-xN载流子浓度和Al组...
关键词:日盲探测器 抑制比 AIxGal-xN 背照式 
背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计被引量:5
《红外与激光工程》2013年第12期3358-3362,共5页赵文伯 周勋 李艳炯 申志辉 罗木昌 
高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构,结合MOCVD外延材料生长的特点,采用模拟计算与实验相结合的方法,设计了背照式高量子...
关键词:高量子效率 ALGAN 日盲紫外探测器 
AlGaN日盲紫外光电二极管光谱响应特性仿真及验证被引量:1
《红外技术》2013年第11期683-686,701,共5页申志辉 罗木昌 周勋 王颖 
对日盲AlGaN光电探测器的光谱响应特性进行了仿真模拟,并将仿真结果与实测数据进行了比较分析,发现差异来自AlGaN材料的带尾效应。利用无p型层的材料透过率数据提取了器件吸收层截止波长附近的光吸收系数,并使用带尾吸收模型对测得的光...
关键词:AlGaN光电探测器 日盲紫外 仿真 吸收系数 Urbach带尾 
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