背照式

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脉冲激光辐照背照式CMOS图像传感器损伤机理研究
《中国光学(中英文)》2025年第2期256-265,共10页钱方 彭佳琦 许永博 
CMOS图像传感器是当今应用最广泛的传感器之一,已应用在航空航天,医学成像,工业检测,军事侦察等领域。然而,CMOS图像传感器的激光干扰和损伤随之也成为国内外相关领域的研究热点。为了研究脉冲激光对背照式CMOS图像传感器的影响,本文选...
关键词：纳秒脉冲激光 皮秒脉冲激光 热力效应 损伤阈值 
二维全谱光谱仪面阵CCD信号采集系统的研制
《分析仪器》2025年第1期9-15,共7页彭博浩 陈吉文 
针对二维全谱光谱仪面阵CCD信号采集系统的研制进行了研究,旨在提升光谱仪的性能,满足高分辨率、宽谱线范围、高速上传、高灵敏度及高稳定性驱动等多方面需求。该系统的高稳定性多电压供电设计降低了电源系统噪声对CCD输出信号的影响,...
关键词：中阶梯光栅光谱仪 采集系统 背照式面阵CCD 驱动电路 
背照式图像传感器及其制备方法、电子设备
《传感器世界》2025年第2期48-48,共1页
申请号:202411748044.2。【申请日】2024.12.02。【公开号】CN119208346A。【公开日】2024.12.27。【分类号】H01L27/146。【申请人】合肥晶合集成电路股份有限公司。【发明人】陈维邦。【摘要】本申请涉及一种背照式图像传感器及其制...
关键词：电子设备 光电二极管 沟槽隔离 图像传感器 集成电路 分类号 隔离结构 背照式 
一种高性能40×30单光子雪崩探测器dTOF传感芯片
《光学学报》2024年第23期1-9,共9页左海杰 杨振兴 李昕霞 胡之厅 陈正鹏 杨中耀 林宏志 陈志远 林静土 刘超 高亮 徐维超 邱正瀚 易博 朱宝明 刘丰铭 冯少奇 杨六峰 余娜 邹豫飞 郭雨辰 王申 
江苏省双创人才项目(JSSCRC2023355)。
介绍了一种新型高性能背照式(BSI)单光子雪崩二极管(SPAD)阵列传感器的设计和性能特性。该结构采用20μm像素设计,具有低击穿电压及小温度系数的特点。该传感器采用3D堆叠制造,SPAD晶圆和逻辑晶圆之间通过Cu—Cu混合键合来增大光子接收...
关键词：单光子雪崩二极管 背照式 光子探测效率 暗噪声 串扰 
电场调控增强型背照式单光子雪崩二极管
《集成电路与嵌入式系统》2024年第10期1-8,共8页李聪 王哲 杨旭 田娜 冯鹏 窦润江 于双铭 刘剑 吴南健 李传波 刘力源 
国家自然科学基金项目(62334008,62274190,61934007,62134004)。
本研究利用搭建的仿真设计平台开发了一款电场调控增强型背照式单光子雪崩二极管(SPAD)器件,通过调控SPAD雪崩区电场,进一步提升了背照式器件的光子探测效率,降低了暗计数率。仿真结果表明,本研究设计的SPAD在水平和垂直电场的协同作用...
关键词：单光子雪崩二极管 背照式 光子探测效率 暗计数率 电场调控 器件仿真 
连续激光辐照背照式CMOS图像传感器实验研究
《应用光学》2024年第5期1072-1078,共7页许永博 王云哲 郑长彬 刘扬 程相正 邵俊峰 
国家重点实验室自主基础研究课题(SKLLIM-2105)。
背照式互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)图像传感器较前照式结构显著提高了低光照环境下的拍摄效果,激光对不同结构传感器有不同的干扰损伤机制。为了研究激光对背照式CMOS图像传感器的影响,利用1 0...
关键词：连续激光 图像传感器 背照式 激光干扰 激光损伤 
背照式CMOS图像传感器像素结构影响分析
《传感器技术与应用》2024年第3期471-479,共9页王玮 
本文使用Ansys Lumerical FDTD软件建立了BSI-CIS工艺的仿真模型,利用该模型基于55 nm BSI-CIS工艺,针对2 um和2.79 um尺寸的像素单元,对850 nm、940 nm波段不同CDTI图形结构的量子效率值进行仿真,从而获得各自近红外吸收最高的CDTI图...
关键词：BSI-CIS工艺 仿真 CDTI图形结构 量子效率 
High K材料对CMOS图像传感器性能的影响分析
《集成电路应用》2024年第5期55-57,共3页王文轩 
阐述BDIT结构表面不同厚度的Ta_(2)O_(5)以及Al_(2)O_(3)材料对传感器光学以及电学性能的影响。实验结果表明,改变Ta_(2)O_(5)厚度对传感器QE以及高温性能影响较大,改变Al_(2)O_(3)厚度主要会影响高温性能。通过调整Ta_(2)O_(5)以及Al_(...
关键词：集成电路 背照式图像传感器 背面深沟槽隔离 暗电流 
110~200GHz频段InP单行载流子光电二极管
《半导体技术》2024年第1期39-44,共6页杨大宝 邢东 赵向阳 刘波 冯志红 
设计制备了一种基于InP材料低偏压工作的单行载流子光电二极管(UTC-PD),该器件的工作频率范围为110~200 GHz。为提升器件的带宽特性,UTC-PD芯片的吸收层采用p型高斯掺杂的InGaAs材料,芯片的InP衬底减薄至12μm。UTC-PD采用背照式的方式...
关键词：低偏压 单行载流子光电二极管(UTC-PD) 高斯掺杂 背照式 响应度 
针对背照式图像传感器加工工艺中Crack缺陷的分析与优化
《集成电路应用》2022年第8期38-41,共4页冯奇艳 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金项目(1500204)。
阐述背照式CMOS图像传感器,是将硅片减薄后,在光电二极管photodiode背面搭建Color filter及Micro Lens形成的。相比前照式CMOS图像传感器,光线由背面射入,增大了光电元件感光面积,减少了光线经过布线时的损失,可以大幅提高CIS在弱光环...
关键词：集成电路制造 图像传感器 深沟槽隔离 Crack缺陷 
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