沟槽隔离

作品数：40被引量：40H指数：3
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背照式图像传感器及其制备方法、电子设备
《传感器世界》2025年第2期48-48,共1页
申请号:202411748044.2。【申请日】2024.12.02。【公开号】CN119208346A。【公开日】2024.12.27。【分类号】H01L27/146。【申请人】合肥晶合集成电路股份有限公司。【发明人】陈维邦。【摘要】本申请涉及一种背照式图像传感器及其制...
关键词：电子设备 光电二极管 沟槽隔离 图像传感器 集成电路 分类号 隔离结构 背照式 
浅沟槽隔离填充的工艺优化分析
《集成电路应用》2024年第4期50-51,共2页郭国超 田守卫 
阐述浅沟槽结构中SiN厚度对填充效果的影响,发现SiN厚度对浅沟槽填充效果存在拐点,并从机理上解释出现拐点的原因,提出有效深宽比的概念,为优化HDP CVD的沉积工艺提供理论依据。
关键词：集成电路应用 浅沟槽隔离 填充 HDP CVD 深宽比 
4-羟基苯甲酸对DSTI化学机械抛光SiO_(2)/Si_(3)N_(4)去除选择性的影响
《电镀与涂饰》2023年第13期75-82,共8页张国林 王胜利 王辰伟 张月 曹钰伟 田雨暄 孙纪元 
国家自然科学基金(62074049)。
针对直接浅沟槽隔离(DSTI)化学机械抛光(CMP)过程中SiO_(2)/Si_(3)N_(4)去除速率选择比难以控制的问题,采用CeO_(2)(平均粒径300 nm)为磨料、4-羟基苯甲酸(4-HBA)为抑制剂,以及柠檬酸和四乙基氢氧化铵为pH调节剂,对SiO_(2)晶圆和Si_(3)N...
关键词：直接浅沟槽隔离 化学机械抛光 4-羟基苯甲酸 氧化铈 去除选择性 
CeO_(2)磨料在介质化学机械抛光及后清洗中应用的研究进展被引量：1
《稀土》2023年第3期106-117,I0005,共13页闫妹 檀柏梅 王亚珍 李伟 纪金伯 
国家科技重大专项项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金项目(F2018202174)。
氧化铈(CeO_(2))磨料在化学机械抛光(CMP)效率、选择性以及表面质量等方面的表现优异,是目前浅沟槽隔离和层间电介质CMP的主要磨料,如何提高二氧化硅(SiO2)介质抛光速率(MRR)并改善表面质量是目前的研究热点。增强CeO_(2)⁃SiO2间的相互...
关键词：氧化铈 浅沟槽隔离 化学机械抛光 Ce 3+浓度 复合磨料 材料去除速率 CMP后清洗 
不同表面活性剂对浅沟槽隔离CMP中SiO_(2)与Si_(3)N_(4)速率选择性的影响
《电子元件与材料》2023年第5期578-583,共6页张月 周建伟 王辰伟 郭峰 
国家自然科学基金(62074049)。
针对浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中SiO_(2)与Si_(3)N_(4)去除速率选择比难以实现的问题,研究了阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、阴离子表面活性剂直链烷基苯磺酸(LABSA)以及非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AE...
关键词：浅沟槽隔离 化学机械抛光 表面活性剂 速率选择比 
光伏型HgCdTe阵列探测器的电学串扰
《光学学报》2023年第4期9-17,共9页乔帅 王睿 侯孝成 
阵列探测器单元间的串扰是影响探测效果的重要因素,研究探测器的串扰机理及其抑制措施有助于优化探测器性能。针对激光辐照线阵HgCdTe探测器实验中的串扰现象,使用COMSOL Multiphysics有限元仿真软件建立了激光辐照探测器的三维仿真模型...
关键词：探测器 HGCDTE 电学串扰 串扰机理 沟槽隔离 
聚乙二醇对浅沟槽隔离中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)化学机械抛光速率选择性的影响被引量：2
《电镀与涂饰》2022年第21期1546-1551,共6页张月 周建伟 王辰伟 马慧萍 李子豪 张新颖 郭峰 
国家自然科学基金(62074049)。
在CeO_(2)磨料质量分数为0.1%,抛光液pH为10的条件下,研究了非离子表面活性剂聚乙二醇(PEG-600)对浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率的影响。结果表明,PEG-600的加入可以明显减小Si_(3)N_(4)的去除速...
关键词：浅沟槽隔离 化学机械抛光 二氧化硅 氮化硅 二氧化铈 聚乙二醇 去除速率 
一种改善内部高速振荡器低温良率的工艺方法
《中国集成电路》2022年第6期74-77,共4页魏代龙 
MCU芯片内部高速振荡器(HRC)的低温度敏感性对其在控制领域的应用至关重要,通过优化晶圆制造工艺来降低温度敏感性提升良率具有重要的意义。通常晶圆上有源区的图形密度差异会引起大块浅沟槽隔离区域的碟形化,在后续的多晶硅蚀刻步骤中...
关键词：内部高速振荡器 温度敏感性 浅沟槽隔离化学机械研磨 有源区损伤 多晶硅光刻 
柠檬酸对CeO_(2)磨料分散稳定性及抛光性能的影响被引量：1
《半导体技术》2022年第2期111-116,共6页续晨 周建伟 王辰伟 田源 李越 崔志慧 李森 
国家自然科学基金资助项目(62074049)。
采用柠檬酸作为pH调节剂和分散剂,针对CeO_(2)磨料水溶液的分散性差以及浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中正硅酸乙酯(TEOS)/氮化硅(Si_(3)N_(4))的去除速率选择性难以控制的问题进行了研究。分散实验结果表明,由于柠檬酸可以结合...
关键词：浅沟槽隔离(STI) 化学机械抛光(CMP) CeO_(2) 分散 柠檬酸 速率选择性 
小透光率浅沟槽隔离刻蚀在线量测与形貌和缺陷的研究
《集成电路应用》2021年第7期52-55,共4页昂开渠 张钱 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)。
随着CIS技术的发展和广泛应用,小透光率(Transmission rate,TR)的浅沟槽刻蚀得到最为广泛的应用。针对浅沟槽刻蚀,特别是小透光率的浅沟槽隔离刻蚀,研究如何在不同透光率掩模版上精确控制浅沟槽隔离刻蚀的线宽,深度,膜厚,形貌及优化缺...
关键词：集成电路制造 浅沟槽隔离 刻蚀工艺 透光率 掩模版 深度 线宽 膜厚 缺陷 Qtime 
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