刻蚀工艺

作品数：154被引量：239H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李俊峰赵超殷华湘徐秋霞张鹤鸣更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华力微电子有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
浅谈西门子PLC和VFD在链式湿法刻蚀设备中的应用
《中国设备工程》2025年第8期119-121,共3页张铠超 
在当前社会发展的过程中,自动化控制技术得到了快速的发展,西门子PLC和变频器VFD在光伏/半导体行业中得到了广泛的使用,本文就其在硅片链式酸刻设备控制系统中的应用进行阐述。刻蚀工艺的正确进行是很关键的,否则芯片将不能工作。不正...
关键词：西门子PLC和VFD 链式酸刻设备 刻蚀工艺 
基于AZ6130光刻胶掩膜的氮化硅ICP刻蚀工艺
《材料热处理学报》2025年第3期208-214,共7页白敬元 杨洪广 占勤 窦志昂 张志坤 
中核集团英才基金(219601)。
使用AZ6130光刻胶作为等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀掩膜,分析了前后烘温度、匀胶转速及曝光剂量对光刻胶侧壁形貌的影响,探究了ICP功率对光刻胶掩膜及氮化硅刻蚀形貌的影响。结果表明:当前烘温度为9...
关键词：光刻 氮化硅 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 
一种高铝盖板玻璃的酸性混合液刻蚀工艺
《中国科技信息》2025年第4期127-129,共3页张晓辉 彭利欢 
0背景近年来,电子信息显示、新能源等新兴产业高速发展和消费者对中高端触控产品需求的增加,对作为基础材料的盖板玻璃提出了越来越高的性能要求,市场的主流产品向高清晰度快速发展。高铝硅酸盐盖板玻璃的特点就是氧化铝含量高(≥6%),...
关键词：新兴产业 离子交换性能 氧化铝含量 显示屏幕 电子信息 平板电脑 铝硅酸盐 刻蚀工艺 
高深宽比梳齿结构刻蚀工艺
《微纳电子技术》2025年第1期137-143,共7页康建波 商庆杰 宋洁晶 
梳齿结构刻蚀是制备电容加速度计芯片的重要工序步骤。在梳齿结构刻蚀过程中,采用快速切换阀代替质量流量控制器(MFC)开关气体解决了梳齿侧壁弯曲问题;将Bosch工艺中物理轰击步骤和化学刻蚀步骤移到沉积步骤之前解决了梳齿顶部损伤问题...
关键词：梳齿结构 电容加速度计 Bosch工艺 选择比 深宽比 侧壁倾角 
等离子喷涂氧化铝涂层及刻蚀行为研究
《浙江冶金》2024年第4期22-26,共5页周夏凉 徐群飞 骆仁智 
0前言半导体产业是关系国家战略发展的核心产业,近年来获得飞速发展。集成电路作为半导体产业的核心,在其制造过程中有几百步工艺步骤,其中40~50%的工序要用到等离子体(phsma)技术,尤其是进行得最频繁的刻蚀工艺。刻蚀用等离子体都是化...
关键词：等离子体刻蚀 刻蚀工艺 集成电路 半导体产业 工艺步骤 刻蚀作用 容器壁 氧化铝涂层 
InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究综述
《航空兵器》2024年第5期41-49,共9页张翔宇 蒋洞微 贺雯 王金忠 
国家自然科学基金青年基金项目(62004189);国家重点研发计划(2019YFA0705203);航空科学基金项目(20182436004);西北稀有金属材料研究院稀有金属特种材料国家重点实验室开放课题基金项目(SKL2023K00X)。
本文综述了InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究。从湿法和干法刻蚀的物理化学机理以及参数调控等方面进行分析,旨在阐明工艺条件对台面形貌的影响,以抑制带隙较窄的长波和甚长波超晶格表面漏电流。结果表明,湿法刻蚀中恰当的腐蚀液配比可...
关键词：INAS/GASB超晶格 湿法刻蚀 干法刻蚀 刻蚀机理 工艺优化 
原子层刻蚀装置专利技术现状
《中国科技信息》2024年第16期30-33,共4页陈颂杰 韩增智 龚雪薇 
随着半导体制造工艺向5nm甚至3nm演进,原子层刻蚀工艺(简称为ALE)的关注度得到了提升。原子层刻蚀设备简介原子层刻蚀是指通过一系列的自限制反应去除单个原子层,不会触及和破坏底层以及周围材料的,一种能够精密控制被去除的材料量的先...
关键词：半导体制造工艺 原子层 刻蚀设备 刻蚀工艺 精密控制 专利技术 关注度 半导体生产工艺 
28nm高K金属栅技术平台光阻回刻工艺中提高刻蚀工艺稳定性的方法研究
《集成电路应用》2024年第6期66-69,共4页吕煜坤 王宇威 唐在峰 
阐述在28nm高K金属栅(28HKMG)技术平台中解决NMOS/PMOS区域栅极阻挡层高度差的主要方案,是在金属栅极制造工艺前插入光阻回刻系列工艺流程,使NMOS区域与PMOS区域的栅极高度获得一致。但该方案在实际量产中的主要难点是第二道回刻工艺(Et...
关键词：集成电路制造 28nm 高K金属栅 光阻回刻 工艺稳定性 
低损耗聚合物光波导反应离子刻蚀工艺的研究
《三门峡职业技术学院学报》2024年第2期134-140,共7页郭琦 尤向阳 
反应离子刻蚀是聚合物光波导制备过程中的一项关键工艺。通过改变射频功率RF、反应腔室压强以及混合气体组成与配比等参数研究对波导刻蚀的影响因素,利用台阶仪、金相显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观测波导形貌,找到了表面毛糙度小、侧...
关键词：RIE刻蚀 聚合物光波导 毛糙度 刻蚀速率 
基于两步刻蚀工艺的锥形TSV制备方法
《半导体技术》2024年第4期316-322,共7页田苗 刘民 林子涵 付学成 程秀兰 吴林晟 
上海市2022年度“科技创新行动计划”集成电路领域项目(22501100800);上海交通大学决策咨询课题资助项目(JCZXSJB-04)。
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。...
关键词：硅通孔(TSV) 锥形 种子层 电镀填充 薄膜沉积 
全选清除导出
共16页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部