INAS/GASB超晶格

作品数：32被引量：57H指数：5
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InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究综述
《航空兵器》2024年第5期41-49,共9页张翔宇 蒋洞微 贺雯 王金忠 
国家自然科学基金青年基金项目(62004189);国家重点研发计划(2019YFA0705203);航空科学基金项目(20182436004);西北稀有金属材料研究院稀有金属特种材料国家重点实验室开放课题基金项目(SKL2023K00X)。
本文综述了InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究。从湿法和干法刻蚀的物理化学机理以及参数调控等方面进行分析,旨在阐明工艺条件对台面形貌的影响,以抑制带隙较窄的长波和甚长波超晶格表面漏电流。结果表明,湿法刻蚀中恰当的腐蚀液配比可...
关键词：INAS/GASB超晶格 湿法刻蚀 干法刻蚀 刻蚀机理 工艺优化 
基于Ⅱ类超晶格的中波红外带间级联探测器(特邀)
《光子学报》2023年第10期62-69,共8页薛婷 黄建亮 鄢绍龙 张艳华 马文全 
国家自然科学基金面上项目(No.61874103)。
为了提高红外探测器的工作温度,基于InAs/GaSb II类超晶格材料设计了一种五级带间级联结构中波红外光电探测器,并采用分子束外延技术和标准化光刻及刻蚀技术进行了器件的制备。在77 K时,该器件的50%截止波长是4.02μm,在0 V时峰值探测率...
关键词：半导体探测器 中波 分子束外延 带间级联探测器 INAS/GASB超晶格 
nBn结构InAs/GaSb超晶格中/长双波段探测器优化设计
《红外与激光工程》2023年第9期73-85,共13页刘文婧 祝连庆 张东亮 郑显通 杨懿琛 王文杰 柳渊 鹿利单 刘铭 
国家自然科学基金项目(62105039);北京学者计划研究项目(BJXZ2021-012-00046);北京教育委员会研究项目(KM202111232019);北京信息科技大学研究项目(2022XJJO7)。
双波段红外探测可对复杂的红外背景进行抑制,在军用目标识别、医疗诊断和污染监测等方面有重要应用价值。基于二类超晶格的双波段红外探测器在成本和性能方面具有很大的优势,成为新型红外探测器领域的研究热点。然而其暗电流和串扰会极...
关键词：红外探测器 双波段 NBN INAS/GASB超晶格 暗电流 
面向MOCVD生长InAs/GaSb超晶格红外探测的InAs衬底表面制备
《红外与毫米波学报》2022年第2期420-424,共5页刘丽杰 赵有文 黄勇 赵宇 王俊 王应利 沈桂英 谢辉 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61904175)。
采用全反射X射线荧光光谱(total reflection X-ray fluorescence,TXRF)和X射线光电子能谱(X-ray photo-electron spectroscopy,XPS)检测方法研究InAs衬底化学机械抛光后经过不同湿法化学溶液联合作用后衬底表面的金属杂质残留浓度和氧...
关键词：砷化铟 衬底 表面清洗 全反射X射线荧光光谱 X射线光电子能谱 
InAs/GaSb超晶格结构的高分辨X射线衍射分析被引量：2
《激光与光电子学进展》2021年第23期263-269,共7页张强 房丹 齐晓宇 李含 
吉林省科技厅中青年科技创新领军人才及团队项目(20200301052RQ)。
在GaSb(100)衬底上利用分子束外延技术生长了InAs/GaSb超晶格结构,利用高分辨X射线衍射方法对其进行分析,得到了摇摆曲线上的卫星峰个数、半峰全宽、衍射峰的强度和位置等信息,计算得到了超晶格材料的界面应变、失配和周期等参量。结合...
关键词：材料 INAS/GASB超晶格 高分辨X射线衍射 应变 摇摆曲线 
InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器被引量：2
《红外与毫米波学报》2021年第5期569-575,共7页马晓乐 郭杰 郝瑞亭 魏国帅 王国伟 徐应强 牛智川 
国家自然科学基金资助项目(6177413011474248,61176127,61006085,61274013,61306013)。
采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方...
关键词：INAS/GASB超晶格 GaSb体材料 中短双色 红外探测 侧壁电阻率 低串扰 
InAs/GaSb超晶格中短波双色探测器新型钝化方法研究
《航空兵器》2021年第5期110-113,共4页张利学 鲁星 朱旭波 姚官生 
航空科学基金项目(201924012001)。
由于InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料有较高的表面态密度,易在表面生成导电氧化层,在将其制备成红外器件的过程中,首先要解决钝化问题。钝化效果和覆盖膜层质量对红外器件的表面漏电和噪声有很大影响。使用阳极氟化加硫化锌的方法,对中短波双...
关键词：INAS/GASB超晶格 MBE 表面钝化 双色探测器 阳极氟化 
硅掺杂对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格磁输运的影响
《光学仪器》2020年第5期12-19,共8页应志超 宋志勇 陈爱英 林铁 康世雄 
国家自然科学基金(11204334,61475178)。
针对红外探测器制作特性的要求,改善制作材料的物理性能,为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜(由MOCVD生长)在12~300 K温度范围下的磁输运性质。用范德堡法进行电学测量,应用霍尔效应原理,计算各温度下样品的迁移率和载流子浓...
关键词：INAS/GASB超晶格 硅掺杂 弱局域效应 相位相干长度 
320×256 InAs/GaSb超晶格中/短波双色探测器组件研制被引量：2
《红外与激光工程》2020年第1期64-68,共5页吕衍秋 彭震宇 曹先存 何英杰 李墨 孟超 朱旭波 
InAs/GaSb超晶格材料制备的新型红外器件在最近十几年得到了迅速发展。文中开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器组件研制,设计了中/短波双色叠层背靠背二极管芯片结构,用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷...
关键词：INAS/GASB超晶格 双色 中短波 焦平面阵列 红外探测器 
InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色红外焦平面探测器被引量：11
《红外与激光工程》2019年第11期91-96,共6页朱旭波 彭震宇 曹先存 何英杰 姚官生 陶飞 张利学 丁嘉欣 李墨 张亮 王雯 吕衍秋 
InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器器件结构设计、材料外延、芯片制备,对钝化方法进行了研究,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器。首先以双...
关键词：INAS/GASB超晶格 双色 中短波 焦平面阵列 红外探测器 
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