高分辨X射线衍射

作品数：44被引量：92H指数：5
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InAs/GaSb超晶格结构的高分辨X射线衍射分析被引量：2
《激光与光电子学进展》2021年第23期263-269,共7页张强 房丹 齐晓宇 李含 
吉林省科技厅中青年科技创新领军人才及团队项目(20200301052RQ)。
在GaSb(100)衬底上利用分子束外延技术生长了InAs/GaSb超晶格结构,利用高分辨X射线衍射方法对其进行分析,得到了摇摆曲线上的卫星峰个数、半峰全宽、衍射峰的强度和位置等信息,计算得到了超晶格材料的界面应变、失配和周期等参量。结合...
关键词：材料 INAS/GASB超晶格 高分辨X射线衍射 应变 摇摆曲线 
外延膜的高分辨X射线衍射分析被引量：1
《金属学报》2020年第1期99-111,共13页李长记 邹敏杰 张磊 王元明 王甦程 
广泛应用于半导体、铁电和光电材料中的外延结构特征以及应变和缺陷会影响外延膜的物理/化学性能。高分辨X射线衍射是对外延结构进行无损准确表征的关键技术。本文从高分辨X射线衍射与外延结构倒易空间的关系出发,重点阐述高分辨X射线...
关键词：薄膜生长 外延膜 高分辨X射线衍射 倒易空间作图 
用高分辨X射线衍射面扫描评估4H-SiC晶片结晶质量被引量：3
《半导体技术》2019年第6期477-482,共6页杨丹丹 王健 孙科伟 张胜男 金雷 程红娟 郝建民 
国家自然科学基金资助项目(51702297);国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404103);天津市科技计划资助项目(17YFZCGX00520;17ZXCLGX00020)
介绍了高分辨X射线衍射(HRXRD)面扫描技术在评估4H-SiC抛光片整体结晶质量方面的应用。对4H-SiC抛光片整片及局部特定位置进行HRXRD摇摆曲线面扫描,并拟合摇摆曲线半高宽(FWHM)峰值得到的极图,观察4H-SiC抛光片表面的FWHM分布范围、分...
关键词：4H-SiC单晶 高分辨X射线衍射(HRXRD) 面扫描 摇摆曲线半高宽(FWHM) 晶界 
InGaN/GaN多量子阱电池的垒层结构优化及其光学特性调控被引量：1
《半导体光电》2017年第5期709-713,共5页侯彩霞 郑新和 彭铭曾 杨静 赵德刚 
国家自然科学基金项目(61274134);中央高校基本科研基金项目(06105033)
InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时,垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要。采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,在蓝宝石衬底上外延生长了垒层厚度较厚的InGaN/GaN多量子阱,使用高分辨X射线衍射和变温光致发...
关键词：INGAN/GAN多量子阱 金属有机化学气相沉积 光致发光 高分辨X射线衍射 
蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延膜的应变分析
《半导体光电》2016年第4期524-527,共4页王雪蓉 刘运传 孟祥艳 周燕萍 王康 王倩倩 
国防基础科研计划项目(J092009A001)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分含量的2μm厚Al_xGa_(1-x)N外延膜,通过透射电镜定性分析了外延膜中的位错和缺陷,通过高分辨X射线衍射试验对Al_xGa_(1-x)N外延膜进行ω/2θ扫描,结果显示外延膜为六方晶系纤锌矿结...
关键词：铝镓氮外延膜 MOCVD 高分辨X射线衍射 晶格常数 应变 
高分辨X射线衍射表征氮化镓外延层缺陷密度被引量：4
《无机材料学报》2015年第10期1094-1098,共5页崔潆心 徐明升 徐现刚 胡小波 
国家高技术研究发展计划863项目(2014AA032601);国家自然科学基金(51323002;61327808;51321091)~~
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在4H-Si C(0001)面上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的Ga N薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对称面衍射等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、晶粒尺寸和晶面弯曲半径等参数,通过排除仪器、晶粒...
关键词：氮化镓薄膜 高分辨X射线衍射 位错密度 
氮化时间对脉冲激光沉积AlN薄膜性能的影响
《半导体技术》2014年第11期836-840,845,共6页刘作莲 王海燕 杨为家 王文樑 李国强 
国家自然科学基金资助项目(51372001);广东省杰出青年基金资助项目(S2013050013882);广东省战略性新兴产业专项资金LED产业项目(2011A081301012;2011A081301010;2012A080302002);广东省高等学校科技创新重点项目(cxzd1105)
应用脉冲激光沉积(PLD)技术在氮化处理后的蓝宝石衬底上外延生长AlN薄膜。研究了氮化处理时间对AlN薄膜结构性能和表面形貌的影响,利用原位反射式高能电子衍射(RHEED)对生长过程进行实时观测,利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)和扫描电子显...
关键词：ALN薄膜 脉冲激光沉积(PLD) 氮化时间 高分辨X射线衍射(HRXRD) 扫 描电子显微镜(SEM) 
SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析被引量：3
《人工晶体学报》2014年第5期1017-1022,共6页于国建 徐明升 胡小波 徐现刚 
国家自然科学基金(11134006;51321091);山东大学自主创新项目(2012ZD047);国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050401)
通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错密度等进行了分析。分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛豫度超过90%,GaN外延层的晶格常数...
关键词：高分辨X射线衍射 SIC衬底 GAN外延层 
高分辨X射线衍射元件的研制被引量：1
《传感技术学报》2014年第2期168-171,共4页熊瑛 刘刚 田扬超 
国家973计划项目(2012CB825804)
X射线波带片是纳米X射线成像系统的核心元件之一,为了研制高分辨率X射线波带片,对纳米结构的电子束光刻和高精度电镀进行了实验研究。首先,通过对电子束曝光工艺版图进行优化设计,平衡了邻近效应对纳米结构的影响,有效地控制了光刻胶的...
关键词：高分辨 X射线衍射元件 波带片 
氘含量对K(H_(1-x)D_x)_2PO_4晶体结构及完整性的影响
《功能材料》2013年第21期3122-3125,共4页刘文洁 丁建旭 牟晓明 刘光霞 孙云 刘琳 王圣来 顾庆天 
国家自然科学基金资助项目(51021062;51202131)
采用传统降温法生长了一系列的K(H1-x Dx)2PO4晶体。粉末X射线衍射(XRD)证明氘化后晶体的对称性并没有发生改变,晶胞参数a随氘含量的增加而增大,参数c则小幅度增大。对晶体的高分辨X射线衍射研究,结果表明KDP-DKDP混晶中,D取代部分的H...
关键词：K(H1-xDx)2PO4晶体 粉末X射线衍射 晶胞参数 高分辨X射线衍射 结晶完整性 
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