胡小波

作品数：108被引量：260H指数：7
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发文领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《科学通报》《化学学报》《光电子．激光》《中国有色金属学报》更多>>
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原料颗粒度对AlN晶体生长的影响被引量：1
《人工晶体学报》2024年第1期58-64,共7页俞瑞仙 王国栋 王守志 曹文豪 胡小波 徐现刚 张雷 
深圳市科技计划(JCYJ20210324141607019);山东省自然科学基金(ZR2022QF044)。
本文通过对氮化铝(AlN)粉末进行烧结,制备了AlN晶体生长用的多晶颗粒料,测试发现,与粉末原料相比,多晶颗粒料的杂质显著降低。利用数值模拟软件研究了不同原料孔隙率对晶体生长的影响,分析了相同晶体生长工艺条件下原料内部温场的分布...
关键词：AlN晶体 多晶颗粒料 孔隙率 VR-PVT 温场 杂质 
物理气相传输法SiC衬底上生长AlN单晶的研究进展被引量：2
《硅酸盐学报》2023年第6期1439-1449,共11页朱亚军 王国栋 俞瑞仙 曹文豪 王守志 胡小波 徐现刚 张雷 
山东省自然科学基金(ZR2022QF044);国家自然科学基金(51872164,52202265)。
氮化铝(AlN)是直接带隙半导体,具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率[3.2 W/(cm·K)]、高表面声波速率(VL=10.13×10^(5)cm/s,VT=6.3×10^(5)cm/s)、高击穿场强和稳定的物理化学性能,是紫外/深紫外发光材料的理想衬底,由此制作的AlxGa1...
关键词：氮化铝单晶 碳化硅衬底 物理气相传输法 异质外延 
单晶金刚石声子非简谐衰减效应研究
《人工晶体学报》2023年第3期442-451,共10页李斌 胡秀飞 杨旖秋 王英楠 谢雪健 彭燕 杨祥龙 王希玮 胡小波 徐现刚 冯志红 
山东省重大科技创新项目(2022CXGC010103);国家自然科学基金(62004118);晶体材料国家重点实验室自主课题;国防科技重点实验室基金项目。
随着金刚石作为散热材料在大功率半导体器件、激光器、微波器件和大规模集成电路等领域中的应用愈加广泛,通过对金刚石局部进行精确测温以评价其散热性能是一个重要的研究课题。本文使用拉曼光谱仪对不同掺杂类型的高温高压(HTHP)样品...
关键词：单晶金刚石 拉曼光谱 掺杂 温度相关性 声子衰减 声子寿命 
碳化硅单晶位错研究进展被引量：2
《人工晶体学报》2022年第11期1973-1982,共10页张家鑫 彭燕 陈秀芳 谢雪健 杨祥龙 胡小波 徐现刚 
SiC作为代表性的第三代半导体材料,具有优异的物理化学性能。随着材料及应用的发展,SiC衬底在航天电源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业电机等领域的应用日益重要。相比第一代半导体材料如Si和第二代半导体材料如GaAs而言,SiC衬底...
关键词：SIC 位错 位错形成原因 位错检测技术 位错密度降低方法 位错密度优化水平 
高温高压与CVD金刚石单晶衬底质量对比研究
《人工晶体学报》2022年第9期1777-1784,共8页杨旖秋 韩晓桐 胡秀飞 李斌 彭燕 王希玮 胡小波 徐现刚 王笃福 刘长江 冯志红 
山东省重大科技创新工程项目(2019JZZY010210);晶体材料国家重点实验室自主课题;国防科技重点实验室基金项目;山东省重大科技创新工程项目(2022CXGC010103)。
本文通过高分辨X射线衍射(HRXRD)、激光拉曼光谱(Raman)、晶格畸变检测等测试分析方法对多组高温高压(HTHP)Ⅰb、HTHPⅡa和化学气相沉积(CVD)型(100)面金刚石单晶样品进行对比研究。HRXRD和Raman的检测结果均表明HTHPⅡa型金刚石单晶的...
关键词：HTHPⅡa金刚石 HTHPⅠb金刚石 CVD金刚石 结晶质量 应力 等离子体刻蚀 位错密度 
砷化镓光导开关的损伤形貌研究
《强激光与粒子束》2022年第9期140-145,共6页沙慧茹 肖龙飞 栾崇彪 冯琢云 李阳凡 孙逊 胡小波 徐现刚 
山东省重点研发计划项目(2019JMRH0901);山东省重点研发计划项目(2019JMRH0201)。
制作了同面型砷化镓光导开关,并测试了其导通性能。在偏置电压8 kV、激光能量10 mJ、重复频率10 Hz的条件下,研究了光导开关触发104次后器件表面的损伤形貌。利用激光扫描共聚焦显微镜,对电极边缘及电极间的损伤形貌进行分析,研究发现...
关键词：光导开关 砷化镓 损伤 形貌 热效应 
SiC单晶生长初期表面台阶及微管特性
《硅酸盐学报》2022年第8期2239-2244,共6页仲光磊 胡国杰 王鹤静 谢雪健 杨祥龙 彭燕 陈秀芳 胡小波 徐现刚 
国家自然科学基金青年基金项目(52022052,51902182,62004118);山东省自然科学基金项目(ZR2019JQ01,ZR2019BEM011,ZR2019BEM030);山东省重点研发计划项目(2019JMRH0901,2019JMRH0201);山大基本业务项目(2019JCG010,2020GN080);山东大学“仲英青年学者”人才项目(彭燕)。
晶体生长初期成核阶段的籽晶表面变化对后续晶体生长质量具有重要影响。采用光学显微镜对SiC生长初期的表面和微管形貌进行观察。在8×10^(4)Pa、1800-2100℃生长条件下,籽晶表面出现了原子迁移产生的台阶。同时发现微管会严重干扰正常...
关键词：微管 碳化硅 单晶 台阶流 晶体生长 
晶格畸变检测仪研究碳化硅晶片中位错缺陷分布被引量：2
《人工晶体学报》2021年第4期752-756,共5页尹朋涛 于金英 杨祥龙 陈秀芳 谢雪健 彭燕 肖龙飞 胡小波 徐现刚 
广东省重点领域研发计划(2019B010126001);装备预研教育部联合基金(6141A02022252);国家自然科学基金(51902182,52022052,62004118);山东省自然科学基金(ZR2019JQ01,ZR2019BEM011,ZR2019BEM030)。
利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布。与LEXT OLS40003D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶...
关键词：4H-SIC 晶格畸变检测仪 位错 位错密度 KOH腐蚀 位错缺陷分布 
物理气相传输法生长碳化硅单晶原生表面形貌研究被引量：5
《无机材料学报》2018年第8期877-882,共6页崔潆心 胡小波 徐现刚 
科学挑战专题(TZ2018003)~~
晶体的生长原生面在一定程度上能反应出晶体生长机制和晶体缺陷分布的丰富信息。采用激光共聚焦显微镜偏光拼接技术和原子力显微镜对物理气相传输法生长的4H、6H-SiC单晶原生小面的表面形貌进行了观察和测试。偏光显微镜和原子力显微镜...
关键词：碳化硅 原生小面 微管结构 
锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究被引量：1
《无机材料学报》2018年第5期535-539,共5页李天 陈秀芳 杨祥龙 谢雪健 张福生 肖龙飞 王荣堃 徐现刚 胡小波 王瑞琪 于芃 
国家重点研发计划(2016YFB0400401);装备预研教育部联合基金(青年人才)(6141A0232);国家自然科学基金(51502156;61327808;61504075);国家电网公司科技项目(SGSDDK00KJJS1600071);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2013CB632801)~~
采用物理气相传输(PVT)法生长了2英寸(1英寸=25.4 mm)锗氮(Ge-N)共掺和单一Ge掺杂碳化硅晶体材料,并制备成10 mm′10 mm的SiC晶片。利用半导体工艺技术在不同衬底的碳面上制备钛(Ti)/铂(Pt)/金(Au)多层金属电极。使用二次离子质谱仪(SI...
关键词：物理气相传输法 Ge掺杂 晶格匹配 欧姆接触 迁移率 
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