云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 4H-SIC

4H-SIC: 作品数：647被引量：600H指数：8; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张玉明张义门柏松汤晓燕吴正云更多>>; 相关机构：西安电子科技大学电子科技大学中国科学院厦门大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

单轴应变对本征和N掺杂4H-SiC电子结构的影响被引量：1: 《原子与分子物理学报》2025年第3期173-179,共7页秦彦军张建强杨慧雅方峥范晓珍邝富丽叶慧群方允樟; 新疆维吾尔自治区自然科学基金(2021D01B47);新疆维吾尔自治区重点研发项目(KYZ04Y21100)。; 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了单轴应变对本征和N掺杂4H-SiC电子结构的影响.研究表明应变可以有效调控本征和N掺杂4H-SiC的带隙,在拉应变作用下,带隙单调减小;而在压应变作用下,带隙先增大后减小,当压应变为-1%时,带隙...; 关键词：4H-SIC 单轴应变电子结构第一性原理

4H-SiC双极型光电晶体管电子束辐照效应: 《强激光与粒子束》2025年第5期29-35,共7页叶思恩黄丹阳付祥和赵小龙贺永宁; 国家自然科学基金项目(62004158)。; 当光电晶体管偏置在5 V下,辐照前,其暗电流约为58 nA,对365 nm紫外光的响应度约为31 A/W;器件经过10 MeV电子束辐照后,暗电流的数量级下降到10-11 A,响应度下降到原来的1/8左右。辐照后,器件的响应度受偏置电压的影响明显,随着偏置电压...; 关键词：4H-SiC探测器双极型晶体管电子束辐照响应电流紫外探测

A new electromagnetic oscillation phenomenon on vanadium-compensationsemi-insulating 4H-SiC PCSS: 《强激光与粒子束》2025年第5期112-118,共7页Lin Zhouyang Chen Zhipeng Sun Qian Zheng Zhong Xu Kun Jiang Shuqing Zhang Yuming Wang Yutian Hu Yanfei Guo Hui; supported by Major Projects of Shanxi Province (202101030201001)。; Constructing a photoconductive semiconductor switch (PCSS)-metal coil structure, we discovered anew phenomenon of electromagnetic oscillation in vanadium-compensation semi-insulating (VCSI) PCSS. Here thePCSS responds...; 关键词：VCSI 4H-SiC PCSS electromagnetic oscillation current surge model

High-voltage-resistant wafer-scale 4H-SiC ultraviolet photodetector with high uniformity enabled by electric field distribution modulation: 《Nano Research》2025年第4期544-551,共8页Wanglong Wu Shuo Liu Zhiyuan Liu Xinyun Zhou Xiong Yang Xinyun He Qinglin Xia Mianzeng Zhong Jingbo Li Jun He; financially supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.12174451,12474080,and 12274467);the Science and Technology Innovation Program of Hunan Province(No.2022RC1199);the High Performance Computing Center of Central South University,Central South University Graduate Student Independent Exploration and Innovation Project(Nos.2024ZZTS0454 and 2024ZZTS0778).; Wide bandgap semiconductors are ideal materials for ultraviolet(UV)photodetectors due to their stable optoelectronic properties and high efficient UV light absorption.However,photodetectors based on pure wide bandgap ...; 关键词：high-voltage-resistant wafer-scale 4H-SIC electric field distribution ultraviolet photodetector

High-temperature optoelectronic synaptic devices based on 4H-SiC: 《Science China(Information Sciences)》2025年第4期147-155,共9页Mingxuan BU Yue WANG Zhenyi NI Dongke LI Deren YANG Xiaodong PI; supported by National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.U22A2075,92364204,91964107,U20A20209);Fundamental Research Funds for the Central Universities(Grant No.226-2022-00200);Leading Innovative and Entrepreneur Team Introduction Program of Hangzhou(Grant No.TD2022012);support from the Qianjiang Distinguished Expert Program in Hangzhou。; Optoelectronic synaptic devices operating at high temperatures have application potential across many important fields,including the aerospace and defense industries.However,limited research exists on such devices.Her...; 关键词：optoelectronic synaptic devices 4H-SIC synaptic plasticity neuromorphic computing high-temperature devices

基于4H-SiC的高温驱动电路设计与制造: 《固体电子学研究与进展》2025年第2期23-28,共6页田源黄润华倪朝辉刘涛张国斌杨勇柏松; 为解决SiC MOSFET在高温条件下性能受硅基驱动电路限制的问题,设计制造了一款基于4H-SiC材料的驱动电路,用于改善电路整体的耐高温能力,并且分别在常温(25℃)和高温(300℃)条件下对驱动电路的性能进行了测试。常温下驱动电路在无负载条...; 关键词：碳化硅驱动电路金属氧化物半导体晶体管

Li掺杂对4H-SiC光电性质影响的理论研究被引量：1: 《原子与分子物理学报》2025年第2期151-158,共8页李萍尹伟潘学聪庞国旺马亚斌杨亚宏杨菲宇张盼秦彦军; 新疆维吾尔自治区自然科学基金(2021D01B46,2021D01B47)。; 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Li掺杂4H-SiC体系的电子结构及光学性质.结果表明,掺杂前后的4H-SiC均为间接带隙半导体,Li原子间隙掺杂后形成n型半导体,Li原子替位式掺杂体系的禁带中出现了杂质能级,降低了电子跃迁时所...; 关键词：Li掺杂 4H-SIC 电子结构光学性质第一性原理

残余应力及电场对4H-SiC表面压痕硬度的影响: 《人工晶体学报》2025年第4期560-568,共9页朱兴杰章平左敦稳; 国家自然科学基金(U20A20293)。; 本文利用研磨加工得到不同表面残余应力状态的4H-SiC样品,采用激光拉曼光谱仪测量样品表面的残余应力,通过显微硬度计测量无电场和有电场时的样品表面压痕硬度。结果发现:与无残余应力相比,在-1.6~0 GPa的残余压应力状态下,样品表面压...; 关键词：残余应力电场压痕硬度 4H-SIC 有限元模拟拉曼光谱

基于4H-SiC的差分电容真空计设计及仿真: 《测试技术学报》2025年第2期211-217,共7页李鑫浦张姝雷程张臻昊李志强余建刚梁庭; 国家重点研发计划资助项目(2023YFB3208500);山西省重点研发计划资助项目(2023020302010);中央引导地方科技发展资助项目(YDZJSX20231B006)。; 针对高温、腐蚀等复杂条件下的真空测试需求,提出了一种基于4H-SiC为敏感材料且可批量制造的微型化差分电容式真空计。通过有限元仿真分析,研究了力学敏感结构、电容结构等对传感器灵敏度及非线性度的影响。传感器敏感单元由圆形敏感膜...; 关键词：薄膜真空计 4H-SIC 差分电容有限元分析

针对总剂量效应4H-SiC功率器件的加固设计方法: 《电子技术应用》2025年第2期29-35,共7页王金龙孙锴; 国家自然科学基金面上项目(62374173)。; 介绍了总剂量效应对4H-SiC功率器件的影响以及对应的加固方案。首先介绍了4H-SiC功率器件的电气特性以及工作时面临的辐照环境。接着根据辐射对器件特性的影响,识别辐射缺陷,并建立了退化机制。然后,分析了单极性器件和双极性器件的辐...; 关键词：4H-SiC器件总剂量效应电路加固

4H-SIC