云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 4H-SIC

4H-SIC: 作品数：639被引量：599H指数：8; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张玉明张义门柏松汤晓燕吴正云更多>>; 相关机构：西安电子科技大学电子科技大学中国科学院厦门大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

单轴应变对本征和N掺杂4H-SiC电子结构的影响被引量：1: 《原子与分子物理学报》2025年第3期173-179,共7页秦彦军张建强杨慧雅方峥范晓珍邝富丽叶慧群方允樟; 新疆维吾尔自治区自然科学基金(2021D01B47);新疆维吾尔自治区重点研发项目(KYZ04Y21100)。; 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了单轴应变对本征和N掺杂4H-SiC电子结构的影响.研究表明应变可以有效调控本征和N掺杂4H-SiC的带隙,在拉应变作用下,带隙单调减小;而在压应变作用下,带隙先增大后减小,当压应变为-1%时,带隙...; 关键词：4H-SIC 单轴应变电子结构第一性原理

基于4H-SiC的差分电容真空计设计及仿真: 《测试技术学报》2025年第2期211-217,共7页李鑫浦张姝雷程张臻昊李志强余建刚梁庭; 国家重点研发计划资助项目(2023YFB3208500);山西省重点研发计划资助项目(2023020302010);中央引导地方科技发展资助项目(YDZJSX20231B006)。; 针对高温、腐蚀等复杂条件下的真空测试需求,提出了一种基于4H-SiC为敏感材料且可批量制造的微型化差分电容式真空计。通过有限元仿真分析,研究了力学敏感结构、电容结构等对传感器灵敏度及非线性度的影响。传感器敏感单元由圆形敏感膜...; 关键词：薄膜真空计 4H-SIC 差分电容有限元分析

Li掺杂对4H-SiC光电性质影响的理论研究被引量：1: 《原子与分子物理学报》2025年第2期151-158,共8页李萍尹伟潘学聪庞国旺马亚斌杨亚宏杨菲宇张盼秦彦军; 新疆维吾尔自治区自然科学基金(2021D01B46,2021D01B47)。; 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Li掺杂4H-SiC体系的电子结构及光学性质.结果表明,掺杂前后的4H-SiC均为间接带隙半导体,Li原子间隙掺杂后形成n型半导体,Li原子替位式掺杂体系的禁带中出现了杂质能级,降低了电子跃迁时所...; 关键词：Li掺杂 4H-SIC 电子结构光学性质第一性原理

针对总剂量效应4H-SiC功率器件的加固设计方法: 《电子技术应用》2025年第2期29-35,共7页王金龙孙锴; 国家自然科学基金面上项目(62374173)。; 介绍了总剂量效应对4H-SiC功率器件的影响以及对应的加固方案。首先介绍了4H-SiC功率器件的电气特性以及工作时面临的辐照环境。接着根据辐射对器件特性的影响,识别辐射缺陷,并建立了退化机制。然后,分析了单极性器件和双极性器件的辐...; 关键词：4H-SiC器件总剂量效应电路加固

4H-SiC基功率器件的high-k栅介质材料研究进展: 《人工晶体学报》2024年第12期2027-2042,共16页刘帅宋立辉杨德仁皮孝东; 浙江大学杭州国际科创中心人才专项(02010600-K02013005)。; 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为碳化硅绝缘栅结构的典型器件被广泛使用,然而SiO_(2)介电常数低的缺点和SiO_(2)/4H-SiC界面特性差的问题一直制约着4H-SiC绝缘栅结构(金属-绝缘体-半导体,MIS)器件更大规模商业化应用,因此科...; 关键词：4H-SiC MOS电容器 high-k栅介质材料堆栈栅介质界面特性电学性能

高压下4H-SiC结构、电子和光学性质的理论研究: 《人工晶体学报》2024年第12期2104-2112,共9页张盼庞国旺尹伟马亚斌张钧洲杨慧慧秦彦军; 新疆维吾尔自治区自然科学基金(2023D01C220);新疆理工学院科研项目(ZY202308);陕西省教育厅专项科研计划(22JK0423)。; 本文采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法对高压下4H-SiC的晶体结构、电子特性及光学性能进行了研究。通过分析不同压力条件下4H-SiC的相对体积、Si—C键长及结构能量的变化,发现该结构在70 GPa以内的压力范围内未发生结构相...; 关键词：高压 4H-SIC 晶体结构电子性质光学性质第一性原理计算

基于4H-SiC APD单光子探测的主动淬灭电路研究: 《激光技术》2024年第6期809-815,共7页陶晓强李天义徐尉宗周东任芳芳陆海; 国家自然科学基金资助项目(61921005,U2141241,U21A20496)。; 为了对比不同类型淬灭电路对4H-SiC雪崩光电二极管(APD)探测性能的影响,采用被动淬灭电路(PQC)和主动淬灭电路(AQC),对两种类型SiC紫外APD进行了单光子探测实验,发现在PQC较长死区时间内,会频发后脉冲现象,导致APD的暗计数率(DCR)较高,...; 关键词：传感器技术雪崩光电二极管主动淬灭电路 4H-SIC 单光子探测

石墨/4H碳化硅纳米多孔阵列光阳极的制备及其光电催化性能研究: 《浙江理工大学学报（自然科学版）》2024年第6期801-808,共8页裴岩王蓉崔灿徐凌波; 国家自然科学基金联合基金重点支持项目(U23A20569);浙江省自然科学基金联合基金重大项目(LHZSD24E020001);浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室(浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院)开放课题。; 为提高4H碳化硅(4HSilicon carbide,4H-SiC)纳米材料的光电催化性能,采用两步阳极氧化法制备了4H-SiC纳米多孔阵列(Nanoporous array,NA),并通过高温退火制备石墨/4H-SiC NA光阳极;通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线光电子能...; 关键词：4H-SIC 纳米多孔阵列光阳极石墨光电催化

Demonstration of irradiation-resistant 4H-SiC based photoelectrochemical water splitting: 《Journal of Semiconductors》2024年第11期74-80,共7页Yan Pei Wenhao Geng Lingbo Xu Can Cui Xiaodong Pi Deren Yang Rong Wang; supported by National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.62274143 and U22A2075);Hangzhou Joint Funds of the Zhejiang Provincial Natural Science Foundation of China(Grant No.LHZSD24E020001);Partial support was provided by Leading Innovative and Entrepreneur Team Introduction Program of Hangzhou(Grant No.TD2022012);Fundamental Research Funds for the Central Universities(Grant No.226-2022-00200);Natural Science Foundation of China for Innovative Research Groups(Grant No.61721005);the Open Fund of Zhejiang Provincial Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductors。; 4H silicon carbide(4H-SiC)has gained a great success in high-power electronics,owing to its advantages of wide bandgap,high breakdown electric field strength,high carrier mobility,and high thermal conductivity.Conside...; 关键词：4H-SIC nanoporous arrays water splitting irradiation resistance photoanodes

KCl溶液结晶辅助表征4H-SiC衬底中的微划痕: 《人工晶体学报》2024年第10期1745-1751,共7页张翅腾飞章嵩龚若程杨军伟宋华平; 湖北省自然科学基金(2023AFB1000);材料复合新技术国家重点实验室(武汉理工大学)开放基金(2024-KF-18);广东省自然科学基金-面上项目(2022A1515012628)。; 4H-SiC晶圆表面的微划痕会使外延层中产生大量缺陷,但其线宽低于光学表征技术的极限,无法以无损光学检测的方法获得微划痕在晶圆上的分布规律。本研究基于经典成核理论,利用微划痕上的高指数晶面,通过溶液干燥析晶的方法,使KCl晶体优先...; 关键词：4H-SIC 微划痕 KCl溶液成核理论高指数晶面表面能

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