张家鑫

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：山东大学更多>>
发文主题：碳化硅单晶超高纯度本征半绝缘粉料更多>>
发文领域：理学医药卫生电子电信更多>>
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碳化硅单晶位错研究进展被引量：2
《人工晶体学报》2022年第11期1973-1982,共10页张家鑫 彭燕 陈秀芳 谢雪健 杨祥龙 胡小波 徐现刚 
SiC作为代表性的第三代半导体材料,具有优异的物理化学性能。随着材料及应用的发展,SiC衬底在航天电源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业电机等领域的应用日益重要。相比第一代半导体材料如Si和第二代半导体材料如GaAs而言,SiC衬底...
关键词：SIC 位错 位错形成原因 位错检测技术 位错密度降低方法 位错密度优化水平 
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