光导开关

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激光能量分布对GaN基光导开关导通特性的影响
《强激光与粒子束》2024年第11期32-36,共5页杨彪 孙逊 李阳凡 沙慧茹 焦健 李德强 张雷 栾崇彪 肖龙飞 陈秀芳 徐现刚 
山东省自然科学基金项目(ZR2022QF059);山东省高等学校青创科技支持计划项目(2022KJ032)。
光斑是影响光导开关导通特性的重要因素之一。探索了激光能量分布对光导开关输出特性的影响,分别采用高斯光和平顶光对同一GaN光导开关导通特性进行了对比测试。结果表明,由于平顶光具有更均匀的能量分布,相比于高斯光触发,在相同外加...
关键词：光导开关 GAN 平顶光 高斯光 导通特性 
异面结构雪崩GaAs光导开关的制备及特性测试
《强激光与粒子束》2024年第11期37-41,共5页杨迎香 杨向红 朱章杰 黄嘉 李昕 胡龙 
国家自然科学基金面上项目(52177156);脉冲功率激光技术国家重点实验室开放基金项目(SKL2021KF05)。
雪崩砷化镓光导开关(PCSS)因其超快开关速度、低触发抖动、光电隔离、高功率容量、高重复频率以及器件结构灵活的特点,得到广泛应用。制备封装了电极间隙为5 mm的异面结构GaAs光导开关,对不同偏置电场下(36~76 kV/cm)开关的暗态和开态...
关键词：砷化镓 光导开关 暗态泄漏电流 输出特性 寿命 
大功率光电器件光波导键合技术研究
《科技创新与应用》2024年第29期72-76,共5页张晨璐 罗燕 魏紫东 王乐庭 谢雅 尚吉扬 
光导开关是一种新型半导体光电子器件,在光通讯、雷达、微波等领域广泛应用,但在高工作电压的条件下会发生表面击穿等问题,因此需要对其进行封装提高侧面的耐压性能。该文选用光波导的方式对碳化硅晶片进行封装,通过玻璃浆料烧结键合、...
关键词：光导开关 玻璃浆料烧结 真空热压 光波导胶 键合方法 
基于光导开关的光电集成一体化装配技术研究
《科技创新与应用》2024年第25期76-79,共4页周义 张晨璐 罗燕 王博巍 孙树丹 
随着微电子技术的发展,光导开关是一种新型的快速电子器件,在高功率脉冲、超快光电控制等领域有广泛的应用。作为一种复杂的光电混合器件,在高电压高功率应用场景下,需要同时满足微波输出、光学对位、耐高压等要求。在一体化装配过程中...
关键词：光导开关 光波导 一体化装配 装焊仿真 超快光电控制 
SiC光导开关欧姆接触制备与性能研究
《固体电子学研究与进展》2024年第4期357-362,共6页丁蕾 罗燕 袁涛 尚吉扬 魏紫东 周义 
Ni/W膜层作为SiC光导开关的欧姆接触膜系,具有接触电阻低、热稳定性好、抗烧蚀能力强等优良性能。通过接触势垒分析、难熔金属选择、欧姆接触膜系优化、热稳定性以及抗烧蚀性能的研究,优选出W膜层作为难熔金属的最佳膜层,此时击穿电压...
关键词：光导开关 碳化硅 欧姆接触 难熔金属 比接触电阻率 
适用于光导开关触发的V/N气体开关设计与验证
《强激光与粒子束》2024年第5期68-74,共7页宋雨辉 王凌云 周良骥 刘宏伟 张东东 陈林 袁建强 邓明海 谢卫平 高彬 王瑞杰 
国家自然科学基金项目(92166106、51807185、52007176、51577178)。
为了满足多路精确同步触发开关要求,将光导开关(PCSS)与V/N气体开关结合,可充分发挥PCSS低触发阈值、低抖动和光电隔离以及V/N气体开关工作电压高、带载能力强等优势。两种开关结合的核心是V/N气体开关结构参数与PCSS触发回路的参数匹...
关键词：同步触发 V/N气体开关 PCSS 结构电容 自击穿电压 
4H-SiC光导开关性能的仿真研究
《半导体光电》2024年第2期195-199,共5页蓝华英 罗尧天 崔海娟 肖建平 孙久勋 
四川省宽带微波电路高密度集成工程研究项目(220400).
碳化硅光导开关是相关领域的研究热点,但是文献中对4H-SiC光导开关的理论研究仍然以集总元件模型为主,仅能给出定性结果,典型文献中瞬态条件下的实验数据还没有定量的理论解释。文章使用SilvacoTCAD软件中的器件-电路混合模式,结合自编...
关键词：4H-SIC 光导开关 SilvacoTCAD 仿真模型 
射流微通道耦合高效散热器传热实验研究被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2023年第11期1397-1402,共6页潘瑶 刘欣 巩萌萌 
针对光导开关高重复频率运行时产生丝电流加热,使光导开关温度迅速超过材料最高允许使用温度,造成开关失效或损伤的难题,本文结合微通道散热技术和射流冷却技术的优点,设计了射流微通道耦合高效散热器。通过实验测试,对不同运行工况下...
关键词：射流阵列 微通道 实验研究 光导开关 
低光能触发的砷化镓光导开关导通机理被引量：1
《电工技术学报》2023年第22期6241-6252,共12页徐守利 刘京亮 胡龙 倪涛 许春良 
国家自然科学基金(52177156);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题(SKLIPR2004)资助项目。
该文建立了砷化镓(GaAs)光导开关(PCSS)的一维器件仿真模型,研究了低光能触发条件下电流通道内关键物理参数的瞬态变化过程,提出了GaAs PCSS的多雪崩电离畴物理模型,能够自洽地解释低光能触发、超快速导通和电压锁定等开关特征。GaAsPCS...
关键词：脉冲功率 光导开关 雪崩电离畴 低光能触发 亚纳秒 
触发区域宽度对砷化镓光导开关输出特性影响
《强激光与粒子束》2023年第10期150-155,共6页陈红 韦金红 曾凡正 贾成林 付泽斌 李嵩 钱宝良 
脉冲功率激光技术国家重点实验室开放基金项目(SKL 2021KF05)。
基于TCAD数值仿真软件,建立了异面结构砷化镓光导开关(GaAs PCSS)的二维数值计算模型,研究了触发区域宽度对GaAs PCSS输出特性影响。首先分析了PCSS的瞬态导通特性,结果表明,急剧增加的载流子浓度与快速演化的空间电离畴使PCSS工作在超...
关键词：砷化镓 光电导半导体开关 异面电极 雪崩电离畴 超快速导通 
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