等离子体刻蚀

作品数：170被引量：334H指数：8
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单晶硅在等离子体刻蚀中沿不同晶向的各向异性
《微纳电子技术》2025年第2期73-80,共8页孟利园 李西军 李冉冉 张公开 王云生 曹杰 苏德香 张先锋 
阐述了单晶硅在等离子体刻蚀中沿不同晶向表现出各向异性刻蚀的原理。通过实现特定的结构直观地展示了单晶硅上形成深孔并继续横向刻蚀形成扩孔区的过程。总结了能够影响各向异性刻蚀的因素有晶向、深宽比、刻蚀条件,针对这三方面的因素...
关键词：单晶硅 等离子体刻蚀 晶向 各向异性 深宽比 
耐等离子体刻蚀涂层材料与制备工艺研究进展
《有色金属工程》2024年第12期39-52,共14页马凯 田飞 李长久 李成新 
国家重点研发计划项目(2021YFB4001400)。
随着半导体器件集成度的提升及先进制程的不断发展,半导体制造刻蚀工艺面临更高要求。刻蚀机内壁受高密度等离子体轰击,可能释放颗粒污染物,引发工艺漂移,严重时甚至导致电流短路和生产良率的下降。在刻蚀机内壁表面制备陶瓷涂层,可有...
关键词：等离子体刻蚀 耐刻蚀涂层 等离子喷涂 真空冷喷涂 
等离子喷涂氧化铝涂层及刻蚀行为研究
《浙江冶金》2024年第4期22-26,共5页周夏凉 徐群飞 骆仁智 
0前言半导体产业是关系国家战略发展的核心产业,近年来获得飞速发展。集成电路作为半导体产业的核心,在其制造过程中有几百步工艺步骤,其中40~50%的工序要用到等离子体(phsma)技术,尤其是进行得最频繁的刻蚀工艺。刻蚀用等离子体都是化...
关键词：等离子体刻蚀 刻蚀工艺 集成电路 半导体产业 工艺步骤 刻蚀作用 容器壁 氧化铝涂层 
飞秒激光直写辅助等离子体刻蚀制备达曼光栅器件
《中国激光》2024年第18期76-81,共6页章航舰 庞博宁 郑大怀 陈红云 刘洪亮 
国家自然科学基金(12274236);流体动力基础件与机电系统全国重点实验室开放基金(GZKF-202320)。
采用飞秒激光直写技术在蒸镀在薄膜铌酸锂的金属铬膜上加工掩模版,结合电感耦合等离子体刻蚀技术,将掩膜图案转移到薄膜铌酸锂上,成功在薄膜铌酸锂平台上制备出了220 nm厚的具有高保真度的达曼光栅器件。采用波长为532 nm的连续激光器...
关键词：飞秒激光直写 电感耦合等离子体刻蚀 薄膜铌酸锂 达曼光栅 
氟等离子体对石墨烯纳晶碳膜的刻蚀加工及摩擦学性能调控
《机械工程学报》2024年第15期216-226,共11页郭美玲 杨雷 李鹏阳 许振涛 许超愿 王权岱 李言 
国家自然科学基金(51905423、52275210、52075439);西安市碑林区应用技术研发储备工程(GX2337)资助项目。
针对石墨烯低摩擦特性在宏观应用中存在的机械强度低、磨损寿命短等问题,提出采用氟等离子体刻蚀加工调控石墨烯纳晶碳膜以提升其摩擦学性能。通过表征刻蚀加工对碳膜形貌和结构的影响,提出氟等离子体刻蚀加工机理包括原子去除和离子注...
关键词：氟等离子体刻蚀 石墨烯基碳膜 表层结构重组 表面悬键钝化 摩擦磨损性能 
等离子体渗硼对硬质合金表面金刚石涂层的影响
《粉末冶金材料科学与工程》2024年第3期181-190,共10页丁晟 王海龙 马莉 魏秋平 
国家“十四五”重点研究发展计划(2021YFB3701800);国家自然科学基金资助项目(52202056,52274370,52071345,51874370);广东省“十三五”重点研究开发项目(2020B01085001);湖南省高新技术产业科技创新引领计划(2022GK4037,2022GK4047);湖南省自然科学基金资助项目(2023JJ40722);粉末冶金国家重点实验室自主课题(621022230)。
采用热丝化学气相沉积法在等离子体渗硼预处理后的硬质合金表面沉积金刚石涂层,利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪及洛氏硬度计探究预处理过程对金刚石涂层生长质量和结合性能的影响。结果表明:随等离子体渗硼温度升高,基体...
关键词：硬质合金 等离子体刻蚀 气体渗硼 化学气相沉积 金刚石涂层 结合性能 
等离子体刻蚀建模中的电子碰撞截面数据
《物理学报》2024年第9期1-25,共25页陈锦峰 朱林繁 
国家自然科学基金(批准号:12334010)资助的课题.
半导体芯片是信息时代的基石,诸如大数据、机器学习、人工智能等新兴技术领域的快速发展离不开源自芯片层面的算力支撑.在越来越高的算力需求驱动下,芯片工艺不断追求更高的集成度与更小的器件体积.作为芯片制造工序的关键环节,刻蚀工...
关键词：电子碰撞截面 干法刻蚀 低温等离子体 等离子体建模 
低温等离子体刻蚀和接枝对芳纶纤维/环氧复合材料力学性能的影响被引量：4
《绝缘材料》2023年第12期69-77,共9页陈铄 杜怡君 全晓曦 闻一鸣 邓禹 
国家电网有限公司科技资助项目(5500-202155315A)。
芳纶纤维增强型复合材料在电气绝缘领域应用前景广阔,但芳纶纤维和树脂相容性差,制约了产品性能。为改善界面性能,采用等离子体刻蚀法和等离子体接枝法改性芳纶表面,研究两种方法对芳纶纤维本体、芳纶纤维/环氧复合材料界面性能和其NOL...
关键词：芳纶纤维 低温等离子体 接枝改性 复合材料 电机绝缘 
基于金属催化等离子体刻蚀的MPCVD单晶金刚石生长缺陷调控被引量：1
《硅酸盐学报》2023年第6期1374-1380,共7页李一村 文东岳 郝晓斌 代兵 刘本建 朱嘉琦 韩杰才 
国家自然科学基金(52072087);黑龙江省自然科学基金(YQ2020E008)资助。
单晶金刚石作为一种性能优异的半导体材料,在功率器件、深空探测等领域具有广阔的应用前景。然而采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备的单晶金刚石通常含有大量的缺陷,尤其是位错,严重限制了其电学性能的发挥。横向外延生长是半...
关键词：微波等离子体化学气相沉积 单晶金刚石 横向外延 缺陷调控 
中长双色红外焦平面探测器组件技术研究被引量：3
《红外与毫米波学报》2023年第3期292-299,共8页耿松 杨晋 李树杰 覃钢 李立华 赵俊 李艳辉 孔金丞 赵鹏 左大凡 胡彦博 梁艳 任洋 
国家科技重大专项。
在(211)B碲锌镉衬底上,采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料,通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺,实现中长双色640×512红外焦平面探测器组件研制。中长双色碲镉汞材料测试结果表明,表面宏观缺陷(2~10μm)密度统计分布约773 c...
关键词：中长双色 碲镉汞 分子束外延 等离子体刻蚀 串音 
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