干法刻蚀

作品数：230被引量：367H指数：9
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HADS阵列基板沟道干法刻蚀光刻胶残留与漏电流研究
《光电子技术》2024年第4期328-333,344,共7页杨小飞 孟佳 苏磊 李洋 万稳 吕耀军 王军才 邓金阳 
高开口率高级超维场转换技术(HADS)阵列基板沟道干法刻蚀后,源/漏电极线边缘易形成光刻胶残留,导致钝化层微裂纹和沟道污染。为改善光刻胶残留和薄膜晶体管(TFT)漏电流,研究了光刻胶变性残留形成机理,光刻胶灰化工艺对光刻胶缺口形貌影...
关键词：高开口率高级超维场转换技术 沟道干法刻蚀 光刻胶残留 光刻胶缺口 薄膜晶体管漏电流 
InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究综述
《航空兵器》2024年第5期41-49,共9页张翔宇 蒋洞微 贺雯 王金忠 
国家自然科学基金青年基金项目(62004189);国家重点研发计划(2019YFA0705203);航空科学基金项目(20182436004);西北稀有金属材料研究院稀有金属特种材料国家重点实验室开放课题基金项目(SKL2023K00X)。
本文综述了InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究。从湿法和干法刻蚀的物理化学机理以及参数调控等方面进行分析,旨在阐明工艺条件对台面形貌的影响,以抑制带隙较窄的长波和甚长波超晶格表面漏电流。结果表明,湿法刻蚀中恰当的腐蚀液配比可...
关键词：INAS/GASB超晶格 湿法刻蚀 干法刻蚀 刻蚀机理 工艺优化 
基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜
《半导体技术》2024年第10期893-898,共6页黄梦茹 卢林红 郭丰杰 马奎 杨发顺 
贵州省科技成果应用及产业化计划(重大项目)(黔科合成果[2024]重大006)。
在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化...
关键词：Ti/Ni/Ag薄膜 电感耦合等离子体(ICP) 刻蚀深度 AR 射频偏压功率 
MIM电容上下级板一步刻蚀的结构分析
《集成电路应用》2024年第7期71-73,共3页沈宇栎 
阐述在一张光罩下,通过一次干法刻蚀,一步刻蚀出相对面积较小上极板和面积较大下级板的电容物理结构。对比传统的通过两道光罩和两次干法刻蚀形成不同面积的上、下级板结构,新的一步刻蚀方法简化了工艺流程。通过多个试验批次验证,新的...
关键词：MIM电容 干法刻蚀 IPD 物理结构 
基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜
《半导体技术》2024年第7期624-628,共5页曾祥余 马奎 杨发顺 
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(01))。
使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表...
关键词：电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ga_(2)O_(3)薄膜 刻蚀速率 光刻胶掩膜 低粗糙度表面 
背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究
《压电与声光》2024年第3期296-299,共4页徐阳 司美菊 吴高米 刘文怡 巩乐乐 甄静怡 余奇 陈金琳 
随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背...
关键词：干法刻蚀 刻蚀速率 横向激励 机电耦合系数 薄膜体声波谐振器 
石英玻璃刻蚀浅锥孔阵列的工艺研究被引量：1
《半导体光电》2024年第3期434-441,共8页乌李瑛 刘丹 权雪玲 程秀兰 张芷齐 高庆学 付学成 徐丽萍 张文昊 马玲 
上海市科技创新行动项目;国家自然科学基金重点项目(62335014);上海交通大学平湖智能光电研究所开放基金(22H010102520);国家科技部“十四五”重点研发计划“高性能免疫现场检测系统研发”项目(2023YFC2413001);2023年上海交通大学决策咨询重点课题项目(JCZXSJA2023-05).
介绍了石英玻璃刻蚀浅锥孔的制备方法。通过紫外接触式光刻系统在石英玻璃上形成光刻胶浅锥孔阵列图案,用电感耦合反应离子刻蚀机(ICP-RIE)进行刻蚀。研究了光刻参数和蚀刻参数(气体流量、气体成分、腔压、ICP功率和偏置功率)对石英玻...
关键词：电感耦合反应离子刻蚀 石英玻璃 干法刻蚀 等离子体 刻蚀倾角 微透镜阵列 锥孔 
等离子体刻蚀建模中的电子碰撞截面数据
《物理学报》2024年第9期1-25,共25页陈锦峰 朱林繁 
国家自然科学基金(批准号:12334010)资助的课题.
半导体芯片是信息时代的基石,诸如大数据、机器学习、人工智能等新兴技术领域的快速发展离不开源自芯片层面的算力支撑.在越来越高的算力需求驱动下,芯片工艺不断追求更高的集成度与更小的器件体积.作为芯片制造工序的关键环节,刻蚀工...
关键词：电子碰撞截面 干法刻蚀 低温等离子体 等离子体建模 
大高径比硅纳米阵列结构制作工艺及表面润湿性
《微纳电子技术》2024年第4期170-178,共9页黎相孟 魏慧芬 张雅君 
国家自然科学基金(51705479);山西省科技合作交流专项项目(202204041101006);山西省基础研究计划(20210302123013,202203021222077,202203021212148)。
具有表面润湿特性的大高径比纳米结构在诸多领域有广泛的应用,如液滴的微流控输运等。然而,大高径比纳米结构的低成本制造具有一定的挑战性。为此,采用二氧化硅纳米粒子自组装制备的薄膜及线条阵列的掩蔽干法刻蚀工艺,通过调节Bosch工...
关键词：纳米结构 大高径比 干法刻蚀 Bosch工艺 疏水特性 润湿特性 
垂直腔面发射半导体激光器氧化优化研究被引量：1
《中国激光》2024年第8期16-22,共7页陈中标 崔碧峰 郑翔瑞 杨春鹏 闫博昭 王晴 高欣雨 
国家自然科学基金(60908012,61575008,61775007);北京市自然科学基金(4172011)。
GaAs基垂直腔面发射激光器在干法刻蚀过程中,台面侧壁形成的缺陷会导致器件出现层结构分层、断裂以及氧化孔不规则等问题。针对该问题,提出了一种干法刻蚀与硫化铵钝化相结合的氧化前预处理方案,研究了硫化铵钝化处理对器件层结构以及...
关键词：激光器 垂直腔面发射激光器 氧化孔 湿法氧化 钝化 干法刻蚀 
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