ALN薄膜

作品数：221被引量：400H指数：9
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：顾豪爽赵颖郝跃姜腾许晟瑞更多>>
相关机构：电子科技大学中国科学院华南理工大学天津理工大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Tb^(3+),Pr^(3+)共掺AlN薄膜的结构与发光特性
《光子学报》2025年第2期209-217,共9页孟河辰 罗璇 王晓丹 徐达 束正栋 曾雄辉 高晓冬 郑树楠 毛红敏 
国家自然科学基金(Nos.61974158,61306004);江苏省自然科学基金(Nos.BK20191456,BK20221263);江苏省“十四五”光学工程重点学科项目(No.2021135);江苏省研究生科研创新计划项目(No.KYCX22_3266)。
通过离子注入法,将Tb^(3+),Pr^(3+)共掺入了AlN薄膜。利用Raman光谱、高分辨薄膜X射线衍射和阴极荧光光谱等进行了结构和发光性质的表征。系统分析了Pr^(3+)的剂量变化对样品的结构、发光性能的影响。研究发现在Tb^(3+)剂量保持一定的...
关键词：氮化铝 宽禁带半导体 阴极荧光 离子注入掺杂 能量传递 
基于蓝宝石衬底的高质量AlN薄膜的制备研究
《应用物理》2025年第2期71-81,共11页张泓萌 蔡天任 曹家康 万文婷 吉彦达 
在蓝宝石衬底上生长一层AlN缓冲层是LED芯片提升器件质量的常用手段,其薄膜质量与器件整体性能息息相关。为了进一步提高AlN薄膜的结晶质量,本文首先使用PVD、HTA以及MOCVD方法对蓝宝石衬底上的AlN薄膜进行制备,制备出了高结晶质量的Al...
关键词：ALN薄膜 c/m衬底斜切角 位错终止机制 紫外透过率 
应用化学专业应用型人才培养的探索与实践——以“退火处理对AlN薄膜应力和光学性质影响的研究”为例
《广东化工》2025年第3期154-156,共3页韦文旺 谢泉文 赖飞燕 陈政 马娜 许秀宁 
贺州学院课程思政建设项目(hzxykcszyb202410);贺州学院本科教学改革工程项目(hzxyybjg202314);广西高等教育本科教学改革工程项目(2022JGZ168,2023JGB379);贺州学院博士科研启动基金项目(2024BSQD14);贺州市科学研究与技术开发计划项目(贺科技2024113);广西科技基地和人才专项项目(桂科AD23026040)。
本论文通过“退火处理对AlN薄膜应力和光学性质影响的研究”为例,探讨了高校应用化学专业应用型人才培养的探索与实践。随着半导体技术的迅猛发展,AlN作为第三代半导体的关键材料在众多领域发挥着重要作用。因此,提升学生的专业知识掌...
关键词：应用化学 人才培养 探索与实践 氮化铝 光学性质 
玻璃表面中频磁控溅射制备氮化铝薄膜的晶面择优取向调控
《真空科学与技术学报》2024年第12期1075-1083,共9页张丽娜 高飞 陆文琪 
氮化铝(AlN)是一种性能优异的陶瓷材料,在微电子、电子元件、高频宽带通信以及功率半导体器件等领域有广泛应用,然而AlN薄膜的一些特性具有显著的各向异性。因此,调控AlN薄膜的择优取向一直备受科研工作者的关注。文章利用中频反应磁控...
关键词：中频磁控溅射 玻璃基片 ALN薄膜 择优取向 
高Sc掺杂AlN薄膜铁电性能的研究
《功能材料与器件学报》2024年第5期239-246,共8页习娟 周大雨 吕天明 
中央高校基本科研业务费专项资金(DUT24LAB117);苏州实验室资助项目(SK-204-2024-001)
纤锌矿铁电材料因其大的剩余极化(P_(r))、优良的高温稳定性以及与半导体工艺的良好兼容性,受到了广泛的关注。然而,纤锌矿钪掺杂氮化铝(AlScN)铁电薄膜应用于非易失性存储器的主要挑战是其较大的矫顽场(E_(c)),以及在高电场下较大的漏...
关键词：AlScN铁电薄膜 C轴取向 高Sc含量 
基于ScAlN薄膜的高频PMUT阵列的设计与制造被引量：2
《压电与声光》2024年第4期496-504,共9页塔桂峰 刘建河 李加东 姚术涛 刘浩杰 苗斌 商文玲 陶金燕 
苏州市科技计划基金资助项目(SSD2023001);国家自然基金资助项目(62074159);国家重点研发计划基金资助项目(2021YFB3201600)。
高频压电微机械超声换能器(PMUT)应用于各种场景,如指纹识别、无损检测、医疗成像。在当前非侵入式血管成像应用中,存在换能器使用锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)及局限于1-D PMUT阵列的问题。设计并制作了一种基于ScAlN材料压电薄膜的2D-PMUT...
关键词：高频压电微机械超声换能器阵列(PMUT) ScAlN薄膜 有限元仿真 器件制备 非侵入式血管成像 
压电AlN MEMS的新进展(续)被引量：1
《微纳电子技术》2024年第5期1-31,共31页赵正平 
Si基微电子机械系统(MEMS)经过三十余年的发展已进入智能微系统的发展阶段,已成为当今MEMS技术创新发展的主流。当今半导体材料技术的科研已进入超宽禁带半导体的探索开发阶段,超宽禁带半导体AlN不但在功率电子学有较好的前景,而且AlN...
关键词：微电子机械系统(MEMS) ALN 掺钪AlN薄膜 薄膜体声波谐振器(FBAR) 轮廓模式谐振器 压电微机械超声换能器(PMUT) 
压电AlN MEMS的新进展
《微纳电子技术》2024年第4期1-25,共25页赵正平 
Si基微电子机械系统(MEMS)经过三十余年的发展已进入智能微系统的发展阶段,已成为当今MEMS技术创新发展的主流。当今半导体材料技术的科研已进入超宽禁带半导体的探索开发阶段,超宽禁带半导体AlN不但在功率电子学有较好的前景,而且AlN...
关键词：微电子机械系统(MEMS) ALN 掺钪AlN薄膜 薄膜体声波谐振器(FBAR) 轮廓模式谐振器 压电微机械超声换能器(PMUT) 
基于3-Omega法的各向异性热导率测量
《应用物理》2024年第3期59-67,共9页陈涵阳 吉彦达 
本文首先搭建了基于3-omega法的热导率测试系统并结合LabVIEW软件编写了仪器控制程序,在测试电路中使用INA128P仪表放大器芯片实现样品两端电势差的获取,确保了交流信号的准确测量。之后本文基于3-omega法的一维传热模型使用该测试系统...
关键词：3-Omega法 ALN薄膜 热导率 LABVIEW COMSOL 
基于AlN钝化层的异面GaAs光电导开关初步研究
《通讯世界》2024年第2期196-198,共3页杨光晖 杨迎香 程骏 吴小帅 胡龙 
为解决GaAs光电导开关(PCSS)电极接触区局部高电场和热累积效应的问题。引入高热导率、高临界击穿电场强度及热稳定性优的AlN薄膜钝化GaAs PCSS,探索了AlN薄膜的制备工艺,分析了其元素成分、折射率及特征击穿电场强度(Eb)。同时制备了Al...
关键词：GaAs PCSS ALN薄膜 钝化 瞬态特性 特征击穿电场强度 
全选清除导出
共22页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部