C轴取向

作品数：78被引量：162H指数：7
导出分析报告
相关领域：理学电子电信更多>>
相关作者：叶志镇赵炳辉王新昌何军辉潘峰更多>>
相关机构：电子科技大学浙江大学中国科学院清华大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划湖北省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
高Sc掺杂AlN薄膜铁电性能的研究
《功能材料与器件学报》2024年第5期239-246,共8页习娟 周大雨 吕天明 
中央高校基本科研业务费专项资金(DUT24LAB117);苏州实验室资助项目(SK-204-2024-001)
纤锌矿铁电材料因其大的剩余极化(P_(r))、优良的高温稳定性以及与半导体工艺的良好兼容性,受到了广泛的关注。然而,纤锌矿钪掺杂氮化铝(AlScN)铁电薄膜应用于非易失性存储器的主要挑战是其较大的矫顽场(E_(c)),以及在高电场下较大的漏...
关键词：AlScN铁电薄膜 C轴取向 高Sc含量 
化学气相沉积制备高c轴取向的BiOI薄膜被引量：1
《人工晶体学报》2024年第5期841-847,共7页徐玉琦 李晴雯 钟敏 
辽宁省教育厅基金(LJKZ1029)。
碘氧化铋(BiOI)由于低毒性、对点缺陷的耐受性和较强的吸光能力而应用在光催化、光伏和光电探测器领域。本文采用化学气相沉积(CVD)方法,以BiI_(3)粉末作为蒸发源,O_(2)/Ar作为反应气体,在钠钙玻璃基底上沉积BiOI薄膜,并通过研究蒸发源...
关键词：碘氧化铋 光电材料 化学气相沉积 半导体 
脉冲激光沉积c轴取向BiCuSeO外延薄膜及其热电性能
《材料导报》2019年第1期152-155,共4页袁大超 郭双 郝建军 马跃进 王淑芳 
国家自然科学基金(51372064;11703004);河北省自然科学基金(E2017201227;E2017201209;QN2017017)~~
利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BiCuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响。在最佳沉积温度(330℃)下,所制备的BiCuSeO薄膜不含任何杂相且沿c轴取向外延生长,与基片的外延关系为[01...
关键词：铋铜硒氧外延薄膜 C轴取向 热电性能 脉冲激光沉积 
温度对ErAlN薄膜晶体结构和电学性能的影响被引量：1
《压电与声光》2018年第2期262-264,共3页胡现伟 泰智薇 杨成韬 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(ZYGX2013Z001)
采用射频反应磁控溅射在蓝宝石(0001)衬底上沉积生长了掺杂Er的AlN薄膜。利用X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪对不同衬底温度下制备薄膜的晶体结构和电学性能进行了分析表征。结果表明,随着温度的...
关键词：温度 ErAlN薄膜 晶体结构 电学性能 C轴取向 
FBAR有效机电耦合系数的影响因素分析被引量：2
《压电与声光》2017年第2期202-206,共5页赵坤丽 高杨 韩超 
国家自然科学基金资助项目(61574131);中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室基金资助项目(2014ZA001);核探测与核电子学国家重点实验室开放课题基金资助项目(2016KF-02);西南科技大学特殊环境机器人技术四川省重点实验室开放基金资助项目(14ZXTK01)
针对有效机电耦合系数(k2eff)的两种影响因素-薄膜体声波谐振器(FBAR)的电极/压电层厚度比与压电层薄膜的c轴取向,分别建立了厚度比可变与c轴取向可变的三层复合结构的FBAR三维仿真模型。以一个谐振频率为2.185GHz的FBAR谐振器作为分析...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR) 有效机电耦合系数 厚度比 C轴取向 寄生谐振 横向能量泄漏 
c轴取向钒酸铋铁电薄膜的制备及电学性能
《材料研究与应用》2016年第3期176-180,共5页谢伟 唐晓山 邹长伟 
国家星火计划(2015GA780058);广东省科技专项(2016A010103041);广东高校青年人才创新计划(2014KQNCX188);岭南师范学院博士专项(ZL1503)
采用旋涂法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备Bi_2VO_(5.5)铁电薄膜,研究退火温度对薄膜物相结构、表面形貌、电学性能的影响.500,550,600,700℃退火所得薄膜均表现出c轴取向,且c轴取向度随温度升高而增加,同时薄膜的介电常数增加,介电损耗略...
关键词：化学溶液沉积法 钒酸铋 择优取向 铁电薄膜 
TC4钛合金上制备c轴取向AlN薄膜研究
《压电与声光》2015年第2期280-282,共3页王瑜 彭斌 李川 张万里 刘兴钊 
自然科学基金资助项目(61223002);四川省青年科技创新团队基金资助项目(2011HTD0006)
采用中频磁控反应溅射,提出了在TC4钛合金基片上制备c轴取向AlN薄膜的两步法工艺。利用扫描电镜分析(SEM)、X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面及断面形貌、晶体结构、表面粗糙度进行了表征。研究结果表明,利用该文提出的两...
关键词：TC4钛合金 中频磁控反应溅射 两步法 ALN薄膜 声表面波(SAW)器件 
衬底和热处理温度对ZnO薄膜的微观结构的影响
《西华大学学报（自然科学版）》2013年第3期15-17,37,共4页吴小亮 丁士华 杨晓静 鲁云 
国家自然科学基金(11074203);教育部春晖计划(Z2022077)
采用Sol-gel法,在普通载玻片和Si(100)上使用旋转涂覆技术制备了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。利用XRD和SEM研究了衬底和热处理温度对ZnO薄膜的物相结构、表面形貌和(002)定向性的影响。结果表明,sol-gel旋涂法制备的ZnO薄膜为六角纤...
关键词：SOL-GEL法 C轴取向 ZNO薄膜 热处理 
溅射功率对M型钡铁氧体薄膜磁性能的影响被引量：1
《磁性材料及器件》2013年第3期4-7,共4页朱光伟 余忠 孙科 许志勇 张霞 兰中文 
国家自然科学基金资助项目(51101028);中央高校基金资助项目(E022050205)
采用射频磁控溅射法制备了c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体(BaM)薄膜,研究了溅射功率对BaM薄膜取向及磁性能的影响。结果表明,在溅射功率为80W、110W、140W和170W时所制备的BaM薄膜均具有一定程度的c轴垂直膜面取向,但溅射功率的增高会造...
关键词：BaM薄膜 射频磁控溅射 溅射功率 C轴取向 磁性能 
溶胶-凝胶法在聚酰亚胺衬底上制备c轴取向ZnO薄膜被引量：6
《高等学校化学学报》2013年第3期532-537,共6页蒋里锋 冯魏良 黄培 
通过溶胶-凝胶工艺,采用两步加热法在聚酰亚胺表面制备了具有c轴取向的ZnO薄膜.通过差式扫描量热-热重分析(DSC-TGA)得出最佳的前热处理温度和后热处理温度分别为300和390℃.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的晶体取向...
关键词：ZNO薄膜 溶胶-凝胶法 聚酰亚胺 柔性衬底 
全选清除导出
共8页<12345678>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部