刘兴钊

作品数：77被引量：168H指数：7
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Sn掺杂对Ga2O3基日盲紫外探测器性能的影响研究被引量：3
《光电工程》2019年第10期73-79,共7页侯爽 刘庆 邢志阳 钱凌轩 刘兴钊 
国家自然科学基金资助项目(61504022);中央高校基本科研业务费(ZYGX2018J026)~~
为了提高Ga2O3基日盲紫外探测器的性能,本文使用分子束外延方法对β-Ga2O3薄膜进行Sn掺杂,并制备成MSM型日盲紫外探测器。结果表明,Sn掺杂可以改变薄膜晶体结构,使氧化镓薄膜由单晶向多晶相转变。同时,Sn掺杂紫外探测器的光电流和响应...
关键词：Sn掺杂 β-氧化镓 日盲紫外探测器 响应度 
立方结构PbSe薄膜在六角硒化镉单晶(0001)表面的外延生长研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2019年第7期562-565,共4页潘棋 王健 任羿烜 范旭东 程红娟 刘兴钊 
采用分子束外延技术在六角铅锌矿结构CdSe单晶基片(0001)表面生长了立方结构PbSe薄膜,通过对所生长PbSe薄膜的X射线衍射(XRD)及透射电镜(TEM)分析,阐明了所生长立方PbSe薄膜与六角纤锌矿结构CdSe(0001)的外延关系,高分辨率TEM分析结果显...
关键词：PBSE CDSE 薄膜 分子束外延 
PbSe/MoSe2异质结光敏二极管研制
《电子元件与材料》2019年第6期86-89,共4页范旭东 代天军 潘棋 刘兴钊 
国家自然科学基金(61875029)
采用分子束外延制备了PbSe与MoSe2薄膜,使用Raman光谱和XRD衍射谱进行表征;并研制出PbSe/MoSe2异质结光敏二极管,研究了其光电响应特性。使用1300nm红外光源照射,在零偏压和-5V偏压加载下,所研制异质结光敏二极管的探测率分别为5×10^9c...
关键词：硒化铅 硒化钼 异质结 光敏二极管 红外探测器 
表面等离子体在氧化镓基紫外探测器中的应用被引量：3
《光电工程》2018年第2期80-87,共8页石雄林 刘宏宇 候爽 钱凌轩 刘兴钊 
国家自然科学基金资助项目(61504022)~~
局域表面等离子体共振是一种改善光电探测器性能的有效方法。本文为了提高beta-氧化镓(b-Ga_2O_3)薄膜金属-半导体-金属(MSM)日盲紫外探测器的性能,提出了在beta-氧化镓薄膜表面利用快速热退火的方法形成分散的铝纳米粒子(Al-NPs),增强...
关键词：局域表面等离子体共振 铝纳米粒子 beta-氧化镓 日盲紫外探测器 
TC4钛合金上制备c轴取向AlN薄膜研究
《压电与声光》2015年第2期280-282,共3页王瑜 彭斌 李川 张万里 刘兴钊 
自然科学基金资助项目(61223002);四川省青年科技创新团队基金资助项目(2011HTD0006)
采用中频磁控反应溅射,提出了在TC4钛合金基片上制备c轴取向AlN薄膜的两步法工艺。利用扫描电镜分析(SEM)、X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面及断面形貌、晶体结构、表面粗糙度进行了表征。研究结果表明,利用该文提出的两...
关键词：TC4钛合金 中频磁控反应溅射 两步法 ALN薄膜 声表面波(SAW)器件 
气相沉积聚酰亚胺在微型电子器件中的应用被引量：1
《电子元件与材料》2014年第3期27-30,共4页褚夫同 王乔升 戴丽萍 刘兴钊 
教育部博士点基金资助项目(No.2012018530003)
采用气相沉积聚合法制备了聚酰亚胺(PI)薄膜及PI与金属颗粒(Cr)复合(PI/Cr)薄膜,所制备PI薄膜表面平整,随着金属颗粒体积百分数增加,PI/Cr薄膜介电常数逐渐增大;当将PI薄膜应用于压电微机械超声换能器(pMUTs)中时,pMUTs机电耦合系数显...
关键词：气相沉积聚合 聚酰亚胺 薄膜 高介电常数介质 压电微机械超声换能器 高电子迁移率场效应晶体管 
氧氩体积百分比对ITO薄膜性能的影响被引量：3
《材料保护》2013年第S2期43-45,共3页吴勐 蒋洪川 陈寅之 赵文雅 蒋书文 刘兴钊 张万里 
采用射频磁控溅射制备氧化铟锡[ITO,In2O3∶SnO2=90∶10(质量比)]薄膜,讨论了溅射气氛中的氧氩体积百分对ITO薄膜的微观结构和电学性能的影响。结果表明:随着氧氩体积百分比的增大,ITO薄膜XRD谱中的(222)面峰强由弱到强变化,当氧氩体积...
关键词：射频磁控溅射 ITO薄膜 电阻率 载流子浓度 迁移率 
钼/聚酰亚胺异质结上体声波用氮化铝薄膜生长(英文)被引量：3
《稀有金属材料与工程》2013年第10期2023-2026,共4页褚夫同 李川 汪振中 刘兴钊 
采用中频反应磁控溅射方法,在钼/聚酰亚胺/硅(Mo/PI/Si)基片上室温下制备出c轴取向柱状结晶氮化铝(AlN)薄膜,X射线衍射摇摆曲线和拉曼谱E2(高)峰半高宽分别是2.2°和18.6 cm-1。制作了基于Mo/AlN/Mo/PI/Si结构的薄膜体声波谐振器(FBARs)...
关键词：ALN 薄膜 聚酰亚胺 FBARs 
β-Ga_2O_3薄膜的分子束外延生长及其紫外光敏特性研究被引量：6
《电子元件与材料》2013年第5期17-19,共3页王伟 褚夫同 岳超 刘兴钊 
采用分子束外延(MBE)方法在Al2O3(0001)基片上生长了β-Ga2O3薄膜,利用XRD、SEM和AFM对薄膜的结构和形貌特性进行了表征。制作了基于β-Ga2O3薄膜的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器并对其进行了电学特性测试,结果表明:在20 V偏压下...
关键词：β-Ga2O3 分子束外延 日盲 MSM 紫外探测器 光响应度 
Ni基合金高温抗氧化陶瓷涂层的制备及性能表征被引量：2
《热加工工艺》2013年第8期145-147,共3页胡鹏 贺力军 刘兴钊 
为提高Ni基合金的高温抗氧化能力,采用陶瓷粘结相与Cr2O3制成料浆,在1300℃熔烧制备一层高温抗氧化陶瓷涂层。结果表明,该陶瓷涂层结构致密,与基体结合牢固,抗热震性能良好。涂层试样在1100℃空气中连续100 h抗高温氧化实验表明:陶瓷涂...
关键词：NI基合金 陶瓷涂层 抗高温氧化 
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