陈寅之

作品数:5被引量:25H指数:4
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供职机构:电子科技大学更多>>
发文主题:涡轮发动机薄膜热电偶薄膜传感器热电偶ITO薄膜更多>>
发文领域:一般工业技术金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《电子元件与材料》《材料保护》《测控技术》更多>>
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氧氩体积百分比对ITO薄膜性能的影响被引量:3
《材料保护》2013年第S2期43-45,共3页吴勐 蒋洪川 陈寅之 赵文雅 蒋书文 刘兴钊 张万里 
采用射频磁控溅射制备氧化铟锡[ITO,In2O3∶SnO2=90∶10(质量比)]薄膜,讨论了溅射气氛中的氧氩体积百分对ITO薄膜的微观结构和电学性能的影响。结果表明:随着氧氩体积百分比的增大,ITO薄膜XRD谱中的(222)面峰强由弱到强变化,当氧氩体积...
关键词:射频磁控溅射 ITO薄膜 电阻率 载流子浓度 迁移率 
金属基Pt/ITO薄膜热电偶的制备被引量:8
《测控技术》2013年第4期23-25,共3页赵文雅 蒋洪川 陈寅之 张万里 刘兴钊 彭少龙 唐磊 
国防预研基金资助项目(51312050405)
采用多层膜结构制备了金属基Pt/ITO薄膜热电偶,薄膜热电偶由Ni基合金基片、NiCrAlY过渡层、热生长Al_2O_3层、Al_2O_3绝缘层、Pt/ITO功能层和Al_2O_3保护层构成。静态标定结果表明:样品的平均塞贝克系数为107.45μV/℃。测试温度可达到1...
关键词:PT ITO薄膜热电偶 静态标定 热电势 塞贝克系数 
制备工艺对ITO薄膜的电阻率及沉积速率的影响被引量:6
《电子元件与材料》2012年第8期19-21,共3页赵文雅 蒋洪川 陈寅之 张万里 彭少龙 
国防预研项目资助(No.51312050405)
采用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡[ITO,In2O3:SnO2=90:10(质量比)]薄膜,详细探讨了溅射气氛氧氩体积比、溅射功率及溅射气压对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响。结果表明:溅射工艺参数对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响十分明显。随着氧...
关键词:射频磁控溅射 ITO薄膜 电阻率 沉积速率 
真空热处理对NiCrAlY薄膜表面高温氧化的影响被引量:5
《电子元件与材料》2011年第11期9-11,共3页李瑶 陈寅之 唐永旭 蒋洪川 刘兴钊 
采用直流磁控溅射法在镍基高温合金DZ4上制备了NiCrAlY薄膜,并对NiCrAlY薄膜进行真空热处理后再进行高温氧化,以生成一层致密的Al2O3膜,研究了真空热处理对NiCrAlY薄膜表面高温氧化的影响。结果表明:经过真空热处理的NiCrAlY薄膜,高温...
关键词:NiCrAlY薄膜 真空热处理 高温氧化 
功能-结构一体化NiCr/NiSi薄膜热电偶的制备被引量:9
《测控技术》2011年第10期1-4,共4页王从瑞 蒋洪川 陈寅之 张万里 刘兴钊 唐磊 于浩 
采用多层薄膜结构制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶,该薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al_O_3热氧化层、Al_O_3绝缘层、NiCr/NiSi薄膜热电偶层以及Al_O_3保护层构成。主要研究了热电偶层薄膜厚度和时效处理对热电偶性能的影...
关键词:NiCr/NiSi薄膜热电偶 时效处理 SEEBECK系数 相对灵敏度 
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