彭少龙

作品数：2被引量：14H指数：2
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供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题：ITOPT薄膜热电偶金属基热电势更多>>
发文领域：自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊：《电子元件与材料》《测控技术》更多>>
所获基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
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金属基Pt/ITO薄膜热电偶的制备被引量：8
《测控技术》2013年第4期23-25,共3页赵文雅 蒋洪川 陈寅之 张万里 刘兴钊 彭少龙 唐磊 
国防预研基金资助项目(51312050405)
采用多层膜结构制备了金属基Pt/ITO薄膜热电偶,薄膜热电偶由Ni基合金基片、NiCrAlY过渡层、热生长Al_2O_3层、Al_2O_3绝缘层、Pt/ITO功能层和Al_2O_3保护层构成。静态标定结果表明:样品的平均塞贝克系数为107.45μV/℃。测试温度可达到1...
关键词：PT ITO薄膜热电偶 静态标定 热电势 塞贝克系数 
制备工艺对ITO薄膜的电阻率及沉积速率的影响被引量：6
《电子元件与材料》2012年第8期19-21,共3页赵文雅 蒋洪川 陈寅之 张万里 彭少龙 
国防预研项目资助(No.51312050405)
采用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡[ITO,In2O3:SnO2=90:10(质量比)]薄膜,详细探讨了溅射气氛氧氩体积比、溅射功率及溅射气压对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响。结果表明:溅射工艺参数对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响十分明显。随着氧...
关键词：射频磁控溅射 ITO薄膜 电阻率 沉积速率 
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