云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ALN

ALN: 作品数：1180被引量：2276H指数：16; 导出分析报告; 相关领域：电子电信化学工程更多>>; 相关作者：郝跃丘泰李国强沈波曲选辉更多>>; 相关机构：中国科学院北京科技大学西安电子科技大学清华大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

VA族元素修饰对二维AlN电磁性质调控的理论研究: 《原子与分子物理学报》2025年第6期159-166,共8页莫秋燕陈广萍张颂荆涛吴家隐; 凯里学院校级规划课题(2022ZD05);黔东南州科技计划([2022]08);广东省普通高校重点科研平台和科研项目(2023ZDZX1069)。; 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了VA族元素(N、P、As、Sb、Bi)对二维AlN电磁性质的影响.研究发现,VA族元素修饰后,二维AlN的能带结构发生显著劈裂,表明体系转变为磁性材料.同时,导带底部向低能量区域移动,使得二维AlN...; 关键词：二维AlN 第一性原理修饰电子结构

Efficient AlN decomposition and Al species transformation in secondary aluminum dross through co-sintering with waste sodium acetate: 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》2025年第5期1079-1090,共12页Xiang Li Nengwu Zhu Yunhao Xi Fei Li Pengfei Zhang; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.22276062);the Guangdong Science and Technology Program,China(No.2020B121201003).; Secondary aluminum dross(SAD)is a rich source of recyclable aluminum but poses considerable risk due to its high AlN con-tent.Therefore,thoroughly removing AlN is essential,but intricate aluminum components and expens...; 关键词：secondary aluminum dross waste sodium acetate aluminum extraction phase transformation Na deconstruction

高频彩色多普勒超声对乳腺癌腋窝淋巴结良恶性的诊断价值分析: 《中文科技期刊数据库(文摘版)医药卫生》2025年第4期105-108,共4页秦连徽; 目的探究乳腺癌腋窝淋巴结(ALN)良恶性诊断鉴别中高频彩色多普勒超声(CDFI)的应用价值。方法抽选120例乳腺癌患者参与研究,均在术前进行CDFI检查,与术后病理结果做对比分析。结果 CDFI鉴别诊断中,达到95%以上的诊断准确度、灵敏度、特...; 关键词：高频彩色多普勒超声乳腺癌腋窝淋巴结 ALN CDFI

20CrMnMo钢的晶粒度稳定性试验研究: 《金属加工(热加工)》2025年第4期48-52,共5页郑长进于广文; 从微合金化和锻后热处理优化两个方面,对20CrMnMo钢在伪渗碳条件下(940℃保温36h)的晶粒度稳定性进行了多组试验。结果表明:在一定N含量的基础上,只添加Al的试验材料的晶粒度稳定性明显优于同时添加Nb和Al的试验材料;通过优化锻后热处...; 关键词：20CRMNMO钢晶粒度稳定性微合金化非平衡组织 ALN

Gate leakage mechanisms in Al_(2)O_(3)/SiN/AlN/GaN MIS-HEMTs on Si substrates: 《Chinese Physics B》2025年第4期528-533,共6页Hui-Lin Li Jie-Jie Zhu Ling-Jie Qin Si-Mei Huang Shi-Yang Li Bo-Xuan Gao Qing Zhu Xiao-Hua Ma; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.62188102,62174125,and 62131014).; This study investigates the gate leakage mechanisms of AlN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electronmobility transistors(MIS-HEMTs)fabricated on silicon substrate with Al_(2)O_(3)/SiN as stacked gate dielectri...; 关键词：AlN/GaN MIS-HEMTs gate leakage mechanism trap-assisted tunneling(TAT)

激光熔覆AlN/TiAl制备Ti-Al-N复合涂层及其摩擦性能研究: 《激光技术》2025年第2期188-194,共7页黄飞龙肖华强林波莫太骞; 国家自然科学基金资助项目(52065009);贵州省科技计划资助项目(黔科合基础-ZK[2022]一般204)。; 为了制备耐磨钛基涂层,采用激光熔覆技术在TC4表面制备了Ti-Al-N涂层,对不同激光功率下涂层的物相组成、组织演变、硬度进行观察分析,再对复合涂层在空气环境中的摩擦学性能进行分析。结果表明,涂层增强相主要由Ti_(2)AlN,TiN,TiAl及Ti_...; 关键词：激光技术钛合金激光熔覆 Ti-Al-N复合涂层干摩擦磨损

24.4 THz·V f_(T)×BV figure-of-merit AlN/GaN/AlN MISHEMTs with thin AlN buffer layer: 《Science China(Information Sciences)》2025年第3期399-400,共2页Chaoqun ZHANG Hong ZHOU Sami ALGHAMDI Kun ZHANG Zhihong LIU Yue HAO Jingcheng ZHANG; supported by National Key Research and Development Program of China(Grant No.2021YFA0716400);National Natural Science Foundation of China(Grant No.62222407)。; Gallium nitride-based high-electron-mobility-transistors(HEMTs)have gained widespread interest and become primary candidates for next-generation high-frequency and high-power RF electronics,due to their wide bandgap,h...; 关键词：AlN/GaN polarization HETEROJUNCTION

Al_(2)O_(3)/AlN/GaN MOS-HEMTs on 6-inch silicon substrate with high transconductance and state-of-the-art f_(max)×L_(G): 《Science China(Information Sciences)》2025年第3期403-404,共2页Lingjie QIN Jiejie ZHU Bowen ZHANG Yuxi ZHOU Huantao DUAN Huimei MA Mengdi LI Simei HUANG Jin RAO Xiaohua MA Yue HAO; supported by National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.62188102,62174125,62131014)。; Owing to their low cost,large wafer size,and easy heterogeneous integration,GaN-based high-electron-mobility transistors(HEMTs)on silicon substrates have been utilized as superior devices in high-frequency application...; 关键词：AlN/GaN HEMTS COMMUNICATION

基于WS<sub>2</sub>/AlN异质双层的第一性原理研究: 《物理化学进展》2025年第1期1-8,共8页许丽华; 基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了WS2/AlN异质双层的电子结构和能带性质。在本文所考虑的六种WS2/AlN异质双层体系中,A1堆叠构型(W原子排列在N原子上,S原子排列在Al原子上)是最稳定的结构。所有WS2/AlN异质双层体系都具有Ⅱ型能...; 关键词：异质双层密度泛函理论电子性质能带结构

基于第一原理计算AlN和Cu_(2)O表面能的精确方法: 《湖北工业大学学报》2025年第1期100-103,共4页石伊健董晓茹黄楚云廖家俊; 为克服平均表面能上、下表面的差异性问题,采用基于第一性原理的方法,研究AlN和Cu_(2)O三种不同表面的固定模式,旨在修正材料的表面能,并将其与平均表面能进行比较。两种方案结果表明,AlN、Cu_(2)O的表面能排序分别为(001)<(010)<(110)...; 关键词：表面能第一性原理 ALN Cu_(2)O

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