GAN外延层

作品数：27被引量：34H指数：3
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ScAlN缓冲层厚度对Si(100)衬底上GaN外延层的影响
《半导体光电》2022年第3期517-521,共5页尹浩田 丁广玉 韩军 邢艳辉 邓旭光 
国家自然科学基金项目(61574011);北京市自然科学基金项目(4182015,4182014)。
采用脉冲直流磁控溅射方法在Si(100)衬底上制备了ScAlN薄膜。以溅射的ScAlN作为缓冲层,在Si(100)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术外延了GaN薄膜。使用高分辨X射线衍射、原子力显微镜和拉曼光谱研究了ScAlN缓冲层的厚度对ScAlN...
关键词：Si(100)衬底 氮化镓 ScAlN 磁控溅射 
Al预沉积层对金属有机物化学气相沉积方法在Si衬底上生长AlN缓冲层和GaN外延层的影响被引量：1
《材料研究学报》2020年第10期744-752,共9页甄龙云 彭鹏 仇成功 郑蓓蓉 Antonios Armaou 钟蓉 
国家重点研发计划项目-政府间国际科技创新合作重点专项(2016YFE0105900)。
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在硅(Si)衬底制备铝/氮化铝/氮化镓(Al/AlN/GaN)多层薄膜,使用光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等手段表征AlN和GaN薄膜的微观结构和晶体质量,研究了TMAl流量对AlN薄膜和GaN薄膜...
关键词：材料表面与界面 生长机制 金属有机物化学气相沉积 Al预沉积 SI衬底 GaN薄膜 
纤锌矿GaN外延层薄膜热膨胀行为的变温Raman散射研究
《物理学报》2016年第13期55-61,共7页王党会 许天旱 宋海洋 
陕西省自然科学基础研究项目(批准号:2015JM6327);陕西省教育厅科学研究计划(批准号:2016JK1593);西安石油大学博士科研启动基金(批准号:Z14086);西安石油大学材料加工工程重点学科(批准号:YS32030203);陕西省大学生科研创新训练项目资助的课题~~
本文对纤锌矿结构GaN外延层薄膜的热膨胀行为进行了研究,结合热膨胀系数的物理意义与变温Raman散射时声子频移的变化规律,研究了热膨胀系数与变温Raman散射之间的关系.结果表明:通过测量Raman声子E_2(high),A_1(TO)和E_1(TO)频移与温度...
关键词：外延层薄膜 热膨胀系数 Gruneisen参数 变温Raman散射 
三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响被引量：2
《人工晶体学报》2016年第5期1282-1287,共6页李小杜 尚林 朱亚丹 贾志刚 梅伏洪 翟光美 李学敏 许并社 
国家自然科学基金(21471111;61475110;61404089;61504090);山西省基础研究项目(2014011016-6;2014021019-1;2015021103);山西省科技创新重点团队(2012041011)
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石(0001)面上生长GaN外延层,并系统研究了三维生长温度对外延层晶体质量和残余应力的影响机理。利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光光谱仪(PL)和拉曼光谱仪(Raman)...
关键词：GAN 三维生长温度 位错 残余应力 
LED用图形化蓝宝石衬底的干法刻蚀工艺被引量：7
《微纳电子技术》2014年第8期536-541,共6页刘建哲 杨新鹏 彭艳亮 曾建飞 潘安练 金良荣 
浙江省重大科技专项资助项目(2012C0131-3)
近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。采用感应耦合等离子体(ICP)技术对涂覆有光刻胶阵列图案的蓝宝石衬底进行刻蚀。通过研究及优化不同ICP刻蚀工艺参数对刻蚀速率和选择比的影响,分别成功制备出蒙古包...
关键词：图形化蓝宝石衬底(PSS) 干法刻蚀 刻蚀速率 刻蚀选择比 发光二极管(LED) GAN外延层 光致发光(PL) 电致发光(EL) 
SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析被引量：3
《人工晶体学报》2014年第5期1017-1022,共6页于国建 徐明升 胡小波 徐现刚 
国家自然科学基金(11134006;51321091);山东大学自主创新项目(2012ZD047);国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050401)
通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错密度等进行了分析。分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛豫度超过90%,GaN外延层的晶格常数...
关键词：高分辨X射线衍射 SIC衬底 GAN外延层 
ZnO缓冲层的厚度对HVPE-GaN外延层的影响被引量：2
《微纳电子技术》2014年第1期66-70,共5页王晓翠 杨瑞霞 王如 张嵩 任光远 
为了得到高质量的GaN材料,首先在c面蓝宝石(Al2O3)衬底上射频磁控溅射不同厚度的ZnO缓冲层,然后采用氢化物气相外延(HVPE)法在ZnO缓冲层上生长约5.2μm厚的GaN外延层,研究ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层质量的影响。用微分干涉显微镜(DIC)...
关键词：氢化物气相外延(HVPE) 氮化镓(GaN) ZnO缓冲层 蓝宝石 磁控溅射 
SiC衬底AlN缓冲层的应变对GaN外延层质量的影响
《半导体技术》2012年第8期630-633,共4页王丽 房玉龙 尹甲运 敦少博 刘波 冯志红 
国家自然科学基金重大项目(60890192;60876009)
在3英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法生长GaN外延材料。研究了AlN缓冲层的应变状态对GaN外延层应变状态和质量的影响。使用原子力显微镜和高分辨率X射线双晶衍射仪观察样品表面形貌,表征外延材料质量...
关键词：金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN外延层 ALN缓冲层 失配 应变 应力 
利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2011年第4期328-330,344,共4页张东国 李忠辉 孙永强 董逊 李亮 彭大青 倪金玉 章咏梅 
采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。...
关键词：金属有机物化学气相淀积 氮化镓 缓冲层 结晶 
利用反射与透射光谱测量GaN外延层的光学参数被引量：2
《光学与光电技术》2010年第1期76-79,共4页杜晓晴 
国家自然科学基金(60701013);(60871012)资助项目
GaN是一种理想的紫外发光和探测材料,其光学特性参数是光学器件设计的重要依据。采用紫外反射与透射光谱相结合的方法对国产GaN外延层进行光学特性测量,利用反射率与折射率之间的关系和薄膜干涉效应,建立了GaN外延层厚度、表面反射率、...
关键词：光学特性 紫外光谱 吸收系数 反射率 
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