金属有机物化学气相淀积

作品数：38被引量：124H指数：6
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MOCVD设备射频感应加热原理与故障分析被引量：1
《电子工业专用设备》2021年第5期16-21,共6页刘成群 程壹涛 刘宇宁 
介绍了MOCVD设备射频感应加热系统的工作原理及技术特点。结合射频感应加热系统的组成,详细叙述各主要模块的典型故障及维修技术,重点分析射频功率源电路故障及维修。针对射频系统阻抗失配现象,提出了阻抗匹配调整的实用方法。根据多年...
关键词：金属有机物化学气相淀积 射频感应加热 阻抗匹配 振荡器 
高温稳定25 Gbit/s 850 nm垂直腔面发射激光器被引量：9
《发光学报》2019年第5期630-634,共5页周广正 兰天 李颖 王智勇 
通过在N型分布布拉格反射镜(DBR)中采用高热导率AlAs材料,且增加AlAs层所占的厚度比例,在保持DBR反射率基本不变的情况下,大幅度增加了N型DBR的热导率,提高了器件高温工作性能。制作了氧化限制型顶发射VCSEL器件,不同温度条件下的直流...
关键词：分布布拉格反射镜 垂直腔面发射激光器 量子阱 金属有机物化学气相淀积 
高速850 nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长被引量：4
《物理学报》2018年第10期64-72,共9页周广正 尧舜 于洪岩 吕朝晨 王青 周天宝 李颖 兰天 夏宇 郎陆广 程立文 董国亮 康联鸿 王智勇 
利用传输矩阵理论和TFCalc薄膜设计软件分析了分布布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射率谱特性,对比了从谐振腔入射与从表面入射时反射率谱的差异,为白光反射谱表征VCSEL外延片提供了依据.利用Crosslight软件模拟了InGaAs/A...
关键词：垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 量子阱 金属有机物化学气相淀积 
基于AlN和GaN形核层的AlGaN/GaN HEMT外延材料和器件对比
《半导体技术》2017年第12期902-907,共6页高楠 房玉龙 尹甲运 刘沛 王波 张志荣 郭艳敏 顾国栋 王元刚 冯志红 蔡树军 
使用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上分别采用AlN和GaN作为形核层生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料,并进行了器件制备和性能分析。通过原子力显微镜(AFM)、高分辨率X射线双晶衍射仪(HR-XRD)和二次离...
关键词：金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 形核层 泄漏电流 陷阱 高电子迁移率晶体管(HEMT) 
垂直式MOCVD中生长参数对GaN材料生长的影响被引量：2
《西安电子科技大学学报》2016年第5期178-182,共5页冯兰胜 过润秋 张进成 
国家自然科学基金资助项目(61334002);国家重大科技专项资助项目(2011ZX01002-001)
为了更好地研究GaN材料生长过程,笔者对一种垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统生长GaN材料过程中反应物的传递和反应过程进行了模拟.模拟结果表明,反应室压力和进入反应室的气流速度对GaN的生长速率和厚度均匀性均有影响.随着反应...
关键词：GAN 金属有机物化学气相淀积 生长速率 反应动力学 
低阈值980nm单模半导体激光器被引量：2
《半导体技术》2016年第3期210-214,共5页赵润 宁吉丰 车相辉 蒋红旺 陈宏泰 
通过数值模拟和实验手段相结合的方法,优化了980 nm单模半导体激光器结构。给出了一种通过计算脊波导单模激光器的光场和电流场的匹配关系来预测芯片阈值电流变化规律的方法。采用金属有机物化学气相淀积方法生长了带有腐蚀停止层的Al G...
关键词：激光二极管 单模 脊波导 腐蚀停止层 金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 
Mg掺杂Al_(0.5)Ga_(0.5)N薄膜的发光性质研究
《固体电子学研究与进展》2012年第3期211-214,共4页李亮 李忠辉 董逊 彭大青 张东国 许晓军 孙永强 周建军 孔月婵 姜文海 陈辰 
利用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上采用AlN缓冲层制备了Mg掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜。采用CL测试方法研究了Mg掺杂对Al0.5Ga0.5N薄膜光学特性的影响。测量表明,Mg掺杂导致在Al0.5Ga0.5N薄膜的发光谱中出现了3.9eV的发光带,其发光机理为束缚的施...
关键词：铝镓氮 镁掺杂 阴极射线发光 金属有机物化学气相淀积 
制备GaN基材料的数值模拟研究进展被引量：1
《云南师范大学学报（自然科学版）》2012年第1期25-30,共6页丁祥 许玲 高文峰 刘滔 林文贤 
国家自然科学基金资助项目(50879074;11072211);高等学校博士学科点专项科研基金(20105303110001);云南省应用基础研究计划(2011FN017);西部高原地区太阳能有效利用及可持续开发研究教育部创新团队发展计划资助项目
综述了紫外探测器的实际应用,特别介绍了紫外预警系统的作用原理;详细介绍了GaN基材料及其生长方法;对MOCVD法制备GaN基材料的过程做了详细描述,特别介绍了国内外MOCVD系统制备GaN基材料的数值模拟方法。
关键词：紫外探测器 GAN 金属有机物化学气相淀积 数值模拟 
利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2011年第4期328-330,344,共4页张东国 李忠辉 孙永强 董逊 李亮 彭大青 倪金玉 章咏梅 
采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。...
关键词：金属有机物化学气相淀积 氮化镓 缓冲层 结晶 
MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率被引量：1
《功能材料》2011年第7期1227-1229,共3页韩军 邢艳辉 邓军 朱延旭 徐晨 沈光地 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA03Z402);北京市自然科学基金资助项目(4102003;4092007;4112006);北京市教育委员会科技发展计划资助项目(KM200810005002);北京工业大学博士科研启动基金资助项目(X0002013200901;X0002013200902)
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学特性。在800℃,InGaN的空穴浓度为1.9×1019cm-3,电阻率较低,通过原子力显微镜观察到粗化的样品表面有...
关键词：Mg掺杂InGaN 金属有机物化学气相淀积 原子力显微镜 X射线双晶衍射 
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