许晓军

作品数：6被引量：6H指数：2
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：高电子迁移率晶体管位错微管GAN薄膜金属有机物化学气相淀积更多>>
发文领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《发光学报》《电子工业专用设备》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
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基于间接跃迁模型的p^+-GaAsSb费米能级研究
《发光学报》2013年第8期1057-1060,共4页高汉超 尹志军 程伟 王元 许晓军 李忠辉 
重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级...
关键词：GAASSB HBT 费米能级 
Mg掺杂Al_(0.5)Ga_(0.5)N薄膜的发光性质研究
《固体电子学研究与进展》2012年第3期211-214,共4页李亮 李忠辉 董逊 彭大青 张东国 许晓军 孙永强 周建军 孔月婵 姜文海 陈辰 
利用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上采用AlN缓冲层制备了Mg掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜。采用CL测试方法研究了Mg掺杂对Al0.5Ga0.5N薄膜光学特性的影响。测量表明,Mg掺杂导致在Al0.5Ga0.5N薄膜的发光谱中出现了3.9eV的发光带,其发光机理为束缚的施...
关键词：铝镓氮 镁掺杂 阴极射线发光 金属有机物化学气相淀积 
优化主氢流量及C/Si比提高76.2 mm 4H-SiC同质外延浓度均匀性被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第3期218-222,共5页李赟 孙永强 高汉超 许晓军 
源在外延片直径方向上的耗尽导致了外延片上局部各点的生长速率及掺杂浓度是个随位置变化的量,因此造成了外延片厚度及浓度的不均匀性。通过引入基座气浮旋转可以有效降低这种不均匀性,在典型工艺条件下,采用基座旋转,76.2 mm 4H-SiC外...
关键词：同质外延 碳化硅 均匀性 主氢流量 碳硅比 
GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系被引量：2
《固体电子学研究与进展》2011年第1期9-12,共4页倪金玉 李忠辉 李亮 董逊 章咏梅 许晓军 孔月婵 姜文海 
国家自然科学基金资助项目(61076120和60807038)
采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核...
关键词：氮化镓 金属有机物化学气相淀积 氮化铝成核层 
MOCVD生长AlGaN／GaN／Si(111)异质结材料被引量：2
《固体电子学研究与进展》2009年第4期608-610,共3页李忠辉 李亮 董逊 李赟 张岚 许晓军 姜文海 陈辰 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2007012);国家自然科学基金资助项目(60807038)
利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 
4H-SiC同质外延中的缺陷被引量：1
《电子工业专用设备》2005年第11期62-64,74,共4页李哲洋 刘六亭 董逊 张岚 许晓军 柏松 
从实验出发,用LPCVD外延系统在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长。外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微镜表征方法探讨了CVD法4H-SiC同质外延中的位错、微管和孪晶等缺...
关键词：4H-SIC LPCVD 同质外延 微管 位错 SEM 
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