云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 铝镓氮

铝镓氮: 作品数：67被引量：131H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王晓亮陈堂胜王军喜孙云飞李晋闽更多>>; 相关机构：中国科学院华灿光电(浙江)有限公司电子科技大学西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《中国医学装备》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国防基础科研计划更多>>

基于铝镓氮深紫外光电技术的智能消毒装备研发与验证评价: 《中国医学装备》2023年第11期1-6,共6页孙世颖刘亚巍王泓江王劲; 国家重点研发计划(2021YFF0307403)“适配性表面消杀关键技术及智能装备开发”。; 目的:研制基于铝镓氮(AlGaN)深紫外光电技术的智能消毒装备,以实现消毒装备无汞、非接触、无残留、无污染和高效快速地完成物体表面消毒。方法:通过制作AlGaN高质量外延和全无机方式封装芯片,研发深紫外发光二极管(LED)和消毒模块。使...; 关键词：人工智能(AI) 紫外消毒铝镓氮深紫外发光二极管(LED)

氮极性AlGaN基隧道结深紫外LED: 《吉林大学学报（信息科学版）》2023年第5期767-772,共6页张源涛邓高强孙瑜; 国家自然科学基金资助项目(62104078,U22A20134,62074069);国家重点研发计划基金资助项目(2021YFB3601000,2021YFB3601002,2022YFB3605205);吉林大学研究生教育教学改革研究基金资助项目(2021JGZ32);吉林大学本科教学改革研究基金资助项目(2021XYB112);2023年度吉林省高等教育教学改革立项课题基金资助项目(JLJY202306574720);吉林省科技发展计划基金资助项目(20200801013GH,20220201065GX)。; 针对AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)基深紫外LED(Light Emitting Diode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n^(+)-GaN/Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p^(+)-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al_(0.65)Ga_(0.3...; 关键词：深紫外LED 隧道结铝镓氮氮化物半导体

基于湿法腐蚀凹槽阳极的低漏电高耐压AlGaN/GaN肖特基二极管: 《物理学报》2023年第17期364-370,共7页武鹏朱宏宇吴金星张涛张进成郝跃; 国家自然科学基金(批准号:62104185);国家杰出青年科学基金(批准号:61925404);中央高校基本科研业务费(批准号:QTZX23076);青年人才托举工程(批准号:2022QNRC001)资助的课题.; 得益于铝镓氮/氮化镓异质结材料较大的禁带宽度、较高的击穿场强以及异质界面存在的高面密度及高迁移率的二维电子气,基于该异质结材料的器件在高压大功率及微波射频方面具有良好的应用前景,尤其是随着大尺寸硅基氮化镓材料外延技术的...; 关键词：铝镓氮/氮化镓肖特基二极管低反向漏电高击穿电压

低反向漏电自支撑衬底AlGaN/GaN肖特基二极管被引量：5: 《物理学报》2022年第15期299-305,共7页武鹏张涛张进成郝跃; 国家自然科学基金(批准号:62104185);国家杰出青年科学基金(批准号:61925404);中央高校基本科研业务费(批准号:JB211103)资助的课题。; 氮化镓材料具有大的禁带宽度(3.4 eV)、高的击穿场强(3.3 MV/cm),在高温、高压等方面有良好的应用前景.尤其是对于铝镓氮/氮化镓异质结构材料而言,由极化效应产生的高面密度和高迁移率二维电子气在降低器件导通电阻、提高器件工作效率...; 关键词：自支撑氮化镓衬底肖特基势垒二极管低反向漏电铝镓氮/氮化镓

铝镓氮光电阴极日盲紫外像增强器辐射增益研究被引量：3: 《红外技术》2020年第8期709-714,共6页程宏昌石峰姚泽闫磊杨书宁; 铝镓氮光电阴极日盲紫外像增强器以日盲特性优、探测灵敏度高等特点,已被广泛应用于日盲紫外探测系统中,辐射增益是表征其增强功能的重要指标之一。本文针对铝镓氮光电阴极日盲紫外像增强器辐射增益数学模型及测试方法缺乏问题,采用在...; 关键词：铝镓氮光电阴极紫外像增强器辐射增益辐射照度辐射出射度

铝镓氮光阴极像增强器极限分辨力影响因素研究被引量：4: 《红外技术》2020年第8期729-734,共6页闫磊石峰单聪程宏昌郭欣刘晖罗洋张晓辉; 针对铝镓氮光阴极像增强器极限分辨力远小于同结构类型砷化镓光阴极像增强器极限分辨力的问题,基于紫外光激发荧光粉发光的特性,搭建了铝镓氮光阴极的紫外光传输特性评测装置,对铝镓氮光阴极紫外光传输特性进行了测量,并依据非衍射光学...; 关键词：极限分辨力铝镓氮光阴极像增强器

AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征: 《物理学报》2020年第12期124-132,共9页刘博阳宋文涛刘争晖 †孙晓娟王开明王亚坤张春玉陈科蓓徐耿钊徐科黎大兵; 国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400101);国家自然科学基金(批准号:11804369);中国科学院关键技术人才资助的课题。; AlGaN是制备深紫外光电器件和电子器件的重要材料.随着Al组分的增加,AlGaN材料表面容易出现局域组分不均匀的相分离现象,进而影响器件的性能.为了探索相分离的微观机制,本文采用了同位的共聚焦微区荧光光谱和扫描开尔文探针显微术对不...; 关键词：铝镓氮相分离扫描开尔文探针显微术荧光光谱

具有高击穿电压的AlN背势垒AlGaN/GaN/AlN HEMT材料: 《微纳电子技术》2019年第9期704-708,719,共6页王波高楠郭艳敏尹甲运张志荣袁凤坡房玉龙冯志红; 国家自然科学基金青年科学基金资助项目（61804139）;国家重点研发计划资助项目（2016YFB0400203); 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54cm)蓝宝石衬底上制备了1.2μm厚的AlN背势垒的AlGaN/GaN/AlN双异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其AlGaN势垒层表面粗糙度(RMS)、二维电子气(2DEG)迁移率以及HEMT材料的弯曲...; 关键词：氮化镓(GaN) 铝镓氮(AlGaN) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 背势垒高电子迁移率晶体管(HEMT)

AlGaN基日盲紫外探测器成像系统设计与实现被引量：3: 《光学与光电技术》2018年第6期45-49,共5页王继强许金通王玲谢晶张燕李向阳; 国家自然科学基金(61774162);中国科学院上海技术物理研究所创新专项(CX-174)资助项目; 描述了基于AlGaN日盲紫外焦平面成像系统的硬件和软件设计,实现了对320×256阵列的AlGaN日盲紫外焦平面探测器输出信号的采集、图像处理和成像显示,针对紫外焦平面阵列(UVFPA)器件响应不均匀性,以及容易产生条纹状固定图形背景的问题,以...; 关键词：图像处理日盲紫外探测器成像系统铝镓氮

缓冲层材料对纤锌矿结构GaN(0001)光电发射性能的影响: 《电子器件》2018年第6期1376-1379,共4页李飙任艺常本康; 国家自然科学基金项目(91433108); 利用异质外延技术在蓝宝石衬底上生长了Ga N光电发射层,为降低发射层和衬底间的失配,在衬底和发射层间分别采用了Al N和Al1-xGaxN两种不同的缓冲层材料。对具有不同缓冲层材料的样品进行了表面清洗与激活,在激活结束后分别测试了两种样...; 关键词：光电子学光电子器件光谱响应光电阴极氮化镓缓冲层铝镓氮

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