云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 铝镓氮

铝镓氮: 作品数：67被引量：131H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王晓亮陈堂胜王军喜孙云飞李晋闽更多>>; 相关机构：中国科学院华灿光电(浙江)有限公司电子科技大学西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《中国医学装备》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国防基础科研计划更多>>

基于铝镓氮深紫外光电技术的智能消毒装备研发与验证评价: 《中国医学装备》2023年第11期1-6,共6页孙世颖刘亚巍王泓江王劲; 国家重点研发计划(2021YFF0307403)“适配性表面消杀关键技术及智能装备开发”。; 目的:研制基于铝镓氮(AlGaN)深紫外光电技术的智能消毒装备,以实现消毒装备无汞、非接触、无残留、无污染和高效快速地完成物体表面消毒。方法:通过制作AlGaN高质量外延和全无机方式封装芯片,研发深紫外发光二极管(LED)和消毒模块。使...; 关键词：人工智能(AI) 紫外消毒铝镓氮深紫外发光二极管(LED)

基于湿法腐蚀凹槽阳极的低漏电高耐压AlGaN/GaN肖特基二极管: 《物理学报》2023年第17期364-370,共7页武鹏朱宏宇吴金星张涛张进成郝跃; 国家自然科学基金(批准号:62104185);国家杰出青年科学基金(批准号:61925404);中央高校基本科研业务费(批准号:QTZX23076);青年人才托举工程(批准号:2022QNRC001)资助的课题.; 得益于铝镓氮/氮化镓异质结材料较大的禁带宽度、较高的击穿场强以及异质界面存在的高面密度及高迁移率的二维电子气,基于该异质结材料的器件在高压大功率及微波射频方面具有良好的应用前景,尤其是随着大尺寸硅基氮化镓材料外延技术的...; 关键词：铝镓氮/氮化镓肖特基二极管低反向漏电高击穿电压

低反向漏电自支撑衬底AlGaN/GaN肖特基二极管被引量：5: 《物理学报》2022年第15期299-305,共7页武鹏张涛张进成郝跃; 国家自然科学基金(批准号:62104185);国家杰出青年科学基金(批准号:61925404);中央高校基本科研业务费(批准号:JB211103)资助的课题。; 氮化镓材料具有大的禁带宽度(3.4 eV)、高的击穿场强(3.3 MV/cm),在高温、高压等方面有良好的应用前景.尤其是对于铝镓氮/氮化镓异质结构材料而言,由极化效应产生的高面密度和高迁移率二维电子气在降低器件导通电阻、提高器件工作效率...; 关键词：自支撑氮化镓衬底肖特基势垒二极管低反向漏电铝镓氮/氮化镓

铝镓氮光电阴极日盲紫外像增强器辐射增益研究被引量：3: 《红外技术》2020年第8期709-714,共6页程宏昌石峰姚泽闫磊杨书宁; 铝镓氮光电阴极日盲紫外像增强器以日盲特性优、探测灵敏度高等特点,已被广泛应用于日盲紫外探测系统中,辐射增益是表征其增强功能的重要指标之一。本文针对铝镓氮光电阴极日盲紫外像增强器辐射增益数学模型及测试方法缺乏问题,采用在...; 关键词：铝镓氮光电阴极紫外像增强器辐射增益辐射照度辐射出射度

铝镓氮光阴极像增强器极限分辨力影响因素研究被引量：4: 《红外技术》2020年第8期729-734,共6页闫磊石峰单聪程宏昌郭欣刘晖罗洋张晓辉; 针对铝镓氮光阴极像增强器极限分辨力远小于同结构类型砷化镓光阴极像增强器极限分辨力的问题,基于紫外光激发荧光粉发光的特性,搭建了铝镓氮光阴极的紫外光传输特性评测装置,对铝镓氮光阴极紫外光传输特性进行了测量,并依据非衍射光学...; 关键词：极限分辨力铝镓氮光阴极像增强器

AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征: 《物理学报》2020年第12期124-132,共9页刘博阳宋文涛刘争晖 †孙晓娟王开明王亚坤张春玉陈科蓓徐耿钊徐科黎大兵; 国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400101);国家自然科学基金(批准号:11804369);中国科学院关键技术人才资助的课题。; AlGaN是制备深紫外光电器件和电子器件的重要材料.随着Al组分的增加,AlGaN材料表面容易出现局域组分不均匀的相分离现象,进而影响器件的性能.为了探索相分离的微观机制,本文采用了同位的共聚焦微区荧光光谱和扫描开尔文探针显微术对不...; 关键词：铝镓氮相分离扫描开尔文探针显微术荧光光谱

缓冲层材料对纤锌矿结构GaN(0001)光电发射性能的影响: 《电子器件》2018年第6期1376-1379,共4页李飙任艺常本康; 国家自然科学基金项目(91433108); 利用异质外延技术在蓝宝石衬底上生长了Ga N光电发射层,为降低发射层和衬底间的失配,在衬底和发射层间分别采用了Al N和Al1-xGaxN两种不同的缓冲层材料。对具有不同缓冲层材料的样品进行了表面清洗与激活,在激活结束后分别测试了两种样...; 关键词：光电子学光电子器件光谱响应光电阴极氮化镓缓冲层铝镓氮

AlGaN纳米柱光场强度的计算及其影响机制被引量：1: 《微纳电子技术》2018年第10期719-723,729,共6页高鹏方华杰蒋府龙刘梦涵徐儒周婧张熬陈鹏刘斌修向前谢自立韩平施毅张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2016YFB0400100,2016YFB0400602);国家自然科学基金资助项目(61674076,61422401,51461135002);江苏省自然科学基金资助项目(BY2013077,BK20141320,BE2015111);江苏省重点学科资助计划;江苏省六大人才高峰资助项目(XYDXX-081);集成光电子学国家重点实验室开放课题(IOSKL2017KF03);南京大学扬州光电研究院研发基金资助项目;国网山东省电力公司电力科学研究院研发基金资助项目; 使用时域有限差分法（FDTD）研究了AlGaN纳米柱的光学性质。通过仿真分析了铝组分的变化对纳米柱内外光场强度的影响。结果表明，在固定纳米柱尺寸条件下，纳米柱内部场强随铝组分显著变化，最大相差一倍，外部场强同样强烈依赖于铝组...; 关键词：铝镓氮(AlGaN) 纳米柱时域有限差分法(FDTD) 电场强度光学模式

金属–半导体–金属结构非极性α-AlGaN深紫外探测器的制备: 《硅酸盐学报》2018年第9期1304-1308,共5页贾辉徐建飞石璐珊梁征张滢; 浙江省教育厅科研项目(Y201737504)资助; 通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）高温外延生长的未掺杂非极性α-AlGaN半导体薄膜,制备了金属–半导体–金属（MSM）结构的深紫外光电探测器,研究了在α-AlGaN半导体薄膜表面磁控溅射不同时间的SiO2纳米颗粒对α-AlGaN MSM结构的深紫...; 关键词：深紫外探测器二氧化硅纳米颗粒非极性α面铝镓氮金属–半导体–金属结构

梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响: 《发光学报》2017年第6期780-785,共6页李宝珠黄振邓高强董鑫张源涛张宝林杜国同; 国家自然科学基金(61274023;61106003;61376046;61674068);国家重点研发计划(2016YFB0400103);吉林省科技发展计划(20130204032GX;20150519004JH;20160101309JC);教育部新世纪人才计划(NCET13-0254)资助项目~~; 采用金属有机物化学气相沉积系统在硅面碳化硅衬底的(0001)面上生长氮化铝缓冲层,并通过改变3层梯度铝镓氮(Al_xGa_(1-x)N:x=0.8,0.5,0.2)缓冲层的生长温度和氨气流量,制备出了高质量的氮化镓外延层。分别采用X射线衍射、原子力显微镜...; 关键词：氮化镓梯度铝镓氮缓冲层晶体质量应力

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