云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 氮化物半导体

氮化物半导体: 作品数：61被引量：57H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：王新强冯美鑫张荣沈波杨辉更多>>; 相关机构：夏普株式会社住友电气工业株式会社日亚化学工业株式会社松下电器产业株式会社更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划更多>>

Ⅲ族氮化物半导体及其合金的原子层沉积和应用被引量：2: 《物理学报》2024年第3期50-71,共22页仇鹏刘恒朱晓丽田丰杜梦超邱洪宇陈冠良胡玉玉孔德林杨晋卫会云彭铭曾郑新和; 国家重点研发计划(批准号:2018YFA0703700);国家自然科学基金(批准号:52002021);中央高校基本科研业务费(批准号:FRF-IDRY-GD22-001)资助的课题。; Ⅲ族氮化物半导体由于包含了宽的直接禁带宽度、高击穿场强、高电子饱和速度、高电子迁移率等优异的性质,自从发展以来便成为半导体领域中的一个热点.并且由于其禁带宽度可以从近紫外涵盖到红外区域,因此在传统半导体所难以实现的短波...; 关键词：原子层沉积氮化物半导体薄膜生长

氮极性AlGaN基隧道结深紫外LED: 《吉林大学学报（信息科学版）》2023年第5期767-772,共6页张源涛邓高强孙瑜; 国家自然科学基金资助项目(62104078,U22A20134,62074069);国家重点研发计划基金资助项目(2021YFB3601000,2021YFB3601002,2022YFB3605205);吉林大学研究生教育教学改革研究基金资助项目(2021JGZ32);吉林大学本科教学改革研究基金资助项目(2021XYB112);2023年度吉林省高等教育教学改革立项课题基金资助项目(JLJY202306574720);吉林省科技发展计划基金资助项目(20200801013GH,20220201065GX)。; 针对AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)基深紫外LED(Light Emitting Diode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n^(+)-GaN/Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p^(+)-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al_(0.65)Ga_(0.3...; 关键词：深紫外LED 隧道结铝镓氮氮化物半导体

多场调控氮化物半导体量子结构及其固态光源应用: 《厦门大学学报（自然科学版）》2021年第3期461-471,共11页林伟高娜李金钗黄凯蔡端俊李书平康俊勇; 国家重点研发计划(2016YFB0400801,2016YFB0400101);国家自然科学基金(61874091,61874090);厦门市科技重点项目(3502ZCQ20191001)。; 简要回顾了氮化物半导体发光二极管技术的发展历程,总结了多物理场作为有效调控和裁剪氮化物量子结构关键特性的重要手段,着重介绍了近年来厦门大学在半导体固态光源量子结构材料和器件方面的研究进展,特别是在氮化物半导体量子结构关...; 关键词：固态光源氮化物半导体量子结构

专题客座主编: 《人工晶体学报》2020年第11期I0001-I0001,共1页; 徐科,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员,博士生导师,国家杰出青年基金获得者,科技部中青年科技领军人才。中国电子学会电子材料分会副主任委员,中国光学学会光学材料委员会副主任委员,《人工晶体学报》编委。长期从事氮化物半...; 关键词：中国电子学会氮化物半导体中国光学学会光学材料材料生长特邀报告科技领军人才人工晶体

Ⅲ族氮化物半导体材料的制备及应用研究进展被引量：4: 《人工晶体学报》2019年第7期1203-1207,共5页杨帆王美琪关卫省; 国家自然基金面上项目(41472220);陕西省自然科学基金(2017JM2014); 随着第二代半导体的逐渐落后,Ⅲ族氮化物半导体作为具有优良性质的最新一代的半导体材料,已经登上历史的舞台。综述重点归纳了以BN、AlN、GaN、InN为代表的Ⅲ族氮化物纳米材料的典型制备方法、目前的应用现状,并对存在的问题加以总结。; 关键词：Ⅲ族氮化物半导体纳米材料制备方法应用

GaN电力电子和射频器件产业链分析被引量：1: 《集成电路应用》2018年第10期91-92,共2页沈一度; 国家第三代半导体联合创新孵化中心科技创新课题项目; Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强等优越性能,是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料。在Ⅲ族氮化物材料体系中,AlGaN/GaN异质结构是迄今为止研制高温、高频、大功率电...; 关键词：氮化物半导体 GAN 大功率电子器件射频器件

基于量子阱子带间跃迁的红外探测器研究: 《物理实验》2018年第4期1-9,15,共10页荣新王新强; 国家重点研发计划(No.2016YFB0400100);国家自然科学基金项目(No.61704003); 红外探测器广泛应用于夜视、热成像、通讯、制导、遥感控制等领域,在民用和军事上都有重要研究意义.本文从基本原理出发,介绍研究方法、实验设计思路及北京大学在本领域近年的研究进展,着重展示科研中遇到的困难及解决方法,力图以此引...; 关键词：子带间跃迁红外探测器量子阱结构氮化物半导体分子束外延

河南省新增4个国家级政府间国际科技合作项目: 《河南科技》2017年第3期17-17,共1页本刊编辑部; 近日,河南省有4项政府间国际科技合作项目获科技部批准立项，获得国家资助资金共计975.52万元。这四个项目分别是郑州大学与日本名古屋大学合作的“基于氮化物半导体的高性能深紫外激光器的研究”，郑州大学与日本神户大学合作的“损伤...; 关键词：科技合作项目河南省日本名古屋大学国际政府国家级深紫外激光器氮化物半导体

HEMT压力传感器: 《烟台大学学报（自然科学与工程版）》2016年第3期199-203,共5页张昌盛; 利用Al Ga N/Ga N半导体的极化效应在异质结界面产生二维电子气(2DEG)的特性,设计了一种基于高电子迁移率场效应管(HEMT)的压强传感器;并利用标准的微电子工艺和背部深硅刻蚀技术制作了器件;对器件在不同压强下的源-漏I-V特性进行了测...; 关键词：Ⅲ族氮化物半导体二维电子气高电子迁移率场效应管压强传感器

简讯: 《西安电子科技大学学报》2015年第6期36-36,共1页; 近日,第十一届氮化物半导体国际会议（ICNS）在北京召开,本次会议由北京大学主办.该会议是氮化物半导体领域最重要、最前沿的顶级国际学术会议.我校宽带隙半导体国家重点学科实验室的郝跃院士、张进成教授、马晓华教授等参加了这次会议.; 关键词：氮化物半导体国家重点学科宽带隙半导体国际学术会议北京大学国际会议实验室

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