量子阱结构

作品数：204被引量：200H指数：5
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基于InGaAs/GaAs量子阱结构的辐射标定因子实验研究
《发光学报》2023年第12期2258-2264,共7页王伟 杨舒婷 汪雅欣 王宇轩 王茹 于庆南 
国家自然科学基金项目(62204172);“锡山英才计划”高校创新领军人才项目(2023xsyc002);江苏省高等学校基础科学(自然科学)研究项目(22KJB140016);江苏省双创博士项目(JSSCBS20210870,JSSCBS20210868);南京信息工程大学滨江学院人才启动经费(550221009,550221036)。
辐射标定因子作为半导体激光器的重要物理参数,在揭示器件性能方面一直扮演着重要角色。本文提出了一种测量辐射标定因子的实验方法,利用这一方法开展了对980 nm InGaAs/GaAs量子阱结构的辐射特性研究。该方法通过收集InGaAs/GaAs边发...
关键词：INGAAS/GAAS 辐射标定因子 光致发光光谱 能带填充水平 
深紫外AlGaN基多量子阱结构中载流子辐射复合的局域特征被引量：1
《发光学报》2023年第11期1974-1980,共7页邓建阳 贺龙飞 武智波 李睿 徐明升 王成新 徐现刚 冀子武 
广州市基础研究计划(202201010679);国家自然科学基金(52272157)。
利用磁控溅射和金属有机化学气相沉积方法在c面蓝宝石衬底上生长了深紫外Al_(0.38)Ga_(0.62)N/Al_(0.55)Ga_(0.45)N多量子阱结构,并对其荧光(PL)谱进行了测量。其PL谱的激发密度依赖性测量结果表明,该量子阱的辐射过程包含了局域载流子...
关键词：深紫外LED AlGaN多量子阱 光致发光 载流子局域效应 
1060 nm锑化物应变补偿有源区激光二极管仿真及其性能研究
《人工晶体学报》2023年第9期1624-1634,共11页梁财安 董海亮 贾志刚 贾伟 梁建 许并社 
国家自然科学基金(61904120,21972103);山西浙大新材料与化工研究院资助项目(2022SX-TD018,2021SX-AT001、002、003);山西省“1331工程”项目。
本文设计了GaAs基1060 nm高性能激光二极管的有源区结构,通过在有源区中引入锑化物的应变补偿结构GaAsP/InGaAs/GaAsSb/InGaAsSb/GaAsP,改变了有源区的能带结构,解决了禁带宽度对发光波长的限制,将弱Ⅱ型的量子阱能带结构变为Ⅰ型,增大...
关键词：锑化物 应变补偿量子阱结构 非对称异质双窄波导 输出功率 电光转换效率 1060 nm激光二极管 大功率 
基于大尺寸量子阱结构的多激子复合动力学
《发光学报》2023年第6期1051-1058,共8页孟竹 徐豪 
沈阳理工大学引进高层次人才科研支持经费(1010147001134)。
半导体纳米晶的多激子复合过程在激光器件、发光二极管和光伏等方面具有巨大的应用价值,但粒子体积的减小会加速多激子态的非辐射俄歇复合,这极大地阻碍了相关应用的发展。因此,抑制俄歇复合成为纳米晶体领域一个重要的研究课题。本文...
关键词：大尺寸量子阱 多激子 时间分辨荧光光谱技术 非辐射复合 
覆盖S+C波段的宽光谱带宽InGaAlAs/InP量子阱结构
《半导体光电》2022年第5期914-917,共4页周帅 冯琛 廖苗苗 罗晶 彭芳草 贺勇 段利华 张靖 
通过理论仿真和实际制备测试,分析比较了基于非对称量子阱结构(10 nm厚和6 nm厚的量子阱组合)的光放大芯片与对称量子阱结构(10 nm厚量子阱)的光放大芯片的性能。两种结构的理论模式增益同最终实测值符合较好。最终光谱测试结果显示,对...
关键词：宽光谱 S+C波段 InGaAlAs/InP 对称和非对称多量子阱 
高速850 nm VCSEL量子阱结构优化设计
《中国新技术新产品》2022年第18期31-33,共3页林峰 
该文结合PICS3D软件模拟,以1λ腔长、5对InGaAs/AlGaAs量子阱为基础,优化了有源区阱层的厚度、组分以及谐振腔腔长。模拟结果表明:随着量子阱个数的增加,微分电阻和阈值电流增大,弛豫振荡频率降低,阻尼因子变小;随着阱层In组分的增加,...
关键词：垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 量子阱 谐振腔 
应变补偿多量子阱结构半导体可饱和吸收镜被引量：4
《中国激光》2022年第11期11-20,共10页林楠 仲莉 黎海明 马骁宇 熊聪 刘素平 张志刚 
应用于掺镱(Yb)光纤激光器的半导体可饱和吸收镜(SESAM)需要具有较高的调制深度,即将较厚的砷化铟镓(InGaAs)材料作为吸收层。然而,InGaAs材料与砷化镓(GaAs)衬底之间的大失配,导致过厚的InGaAs材料质量极易恶化,影响锁模效果。因此,优...
关键词：激光器 超快激光器 半导体可饱和吸收镜 金属有机化合物气相沉积 应变补偿多量子阱结构 
GaAs基980 nm高功率半导体激光器的研究进展被引量：4
《人工晶体学报》2021年第2期381-390,共10页胡雪莹 董海亮 贾志刚 张爱琴 梁建 许并社 
国家自然科学基金(61904120,21972103,61604104,51672185);国家重点研发计划(2016YFB0401803);山西省基础研究项目(201801D221124,201801D121101,201901D111111,201901D211090,201601D202029);山西省重点研发项目(201803D31042)。
GaAs基980 nm半导体激光器在材料加工、通信和医疗等领域有着重要应用。应变量子阱结构的出现提高了GaAs基半导体激光器的转换效率、输出功率和可靠性。本文综述了高功率GaAs基量子阱激光器历史发展,介绍了高功率半导体激光器的外延结...
关键词：GaAs基 高功率 980 nm半导体激光器 应变量子阱结构 转换效率 光电性能 
二维有机-无机杂化钙钛矿非线性光学研究进展(特邀)被引量：3
《红外与激光工程》2020年第12期280-302,共23页郑昀颢 韩笑 徐加良 
国家自然科学基金(21773168)。
自从钙钛矿材料问世以来,有机-无机杂化钙钛矿材料在近数十年的时间得到了蓬勃发展。二维(2D)有机-无机杂化钙钛矿是由典型的无机八面体框架以及不同的有机阳离子构成,其具有本征的量子阱结构和有趣的光电特性,也因此在发光、传感器、...
关键词：二维杂化钙钛矿 量子阱结构 结构可调性 非线性光学 
利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构
《物理实验》2020年第5期1-5,共5页郑晓思 符斯列 
国家自然科学基金资助(No.10575039);广东省自然科学基金资助(No.S2013010012548);广东省高校特色创新项目资助(No.2018KTSCX121)。
利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期的InGaN/GaN多量子阱.室温下InGaN阱层的平均阱宽为2.00 nm,...
关键词：C-V测量法 GAN基蓝光LED 多量子阱 
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