锑化物

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锑化物半导体材料及其分子束外延生长研究进展
《半导体技术》2025年第3期229-240,共12页胡德鹏 王红真 路云峰 贺训军 
国家自然科学基金(62075052)。
锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域,为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延(MBE)是一种在超高真空环境下能够高度可控地生长高纯化合物薄膜材料的技术,在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料生长...
关键词：锑化物 半导体 分子束外延(MBE) 能带结构 生长工艺 
高性能锑化物中红外半导体激光器的研究进展被引量：1
《激光技术》2024年第6期790-798,共9页曹钧天 杨成奥 陈益航 余红光 石建美 王天放 闻皓冉 王致远 耿峥琦 张宇 赵有文 吴东海 徐应强 倪海桥 牛智川 
国家自然科学基金资助项目(62204238);山西省科技重大专项基金资助项目(202201030201009)。
半导体材料体系经历了3次重要迭代,在微电子、通信、人工智能、碳中和等重要领域得到了广泛应用。随着高新技术的快速发展,锑化物半导体作为最具发展前景的第4代半导体材料之一,在开发下一代高性能、小体积、低功耗、低成本的红外光电...
关键词：激光器 锑化物 中红外 量子阱激光器 
一种三烷基锑的纯化工艺及应用
《石油石化物资采购》2024年第13期61-63,共3页姜永要 王伟 
锑化物被誉为“第四代半导体”材料的核心技术,具备制造成本低、体积小巧、效率高、性能稳定和使用寿命长等优势,使其在激光器领域具有不可替代的地位,尤其是锑化物激光器,因其优越的性能,被广泛应用于各种苛刻环境中。作为一种引领未...
关键词：锑化物 应用 半导体 纯化工艺 展望 
界面特性对InAs/GaSb Ⅱ型超晶格光学性质影响理论研究
《发光学报》2024年第5期817-823,共7页马泽军 李远 朱申波 程凤敏 刘俊岐 王利军 翟慎强 卓宁 陈涌海 张锦川 刘舒曼 刘峰奇 
国家自然科学基金(12393832,62327813,62235019,62235016,61991431)。
InAs/GaSb Ⅱ型超晶格是中红外谱段光电子器件的核心结构,其Ⅱ型能带排列特点使电子、空穴在实空间分离而跨过界面,其非公共原子构型使得界面态丰富。我们在Burt-Foreman包络函数理论的基础上,讨论了不同界面态对超晶格电子能态和波函...
关键词：锑化物 超晶格 界面态 前后向差分法 
锑化物超晶格红外探测器研究进展与发展趋势被引量：1
《红外与激光工程》2024年第3期61-71,共11页张杰 黄敏 党晓玲 刘益新 陈颖超 陈建新 
锑化物超晶格红外探测器具有均匀性好、暗电流低和量子效率较高等优点,其探测波长灵活可调,可以覆盖短波至甚长波整个红外谱段,是实现高均匀大面阵、长波、甚长波及双色红外探测器的优选技术,得到了国内外相关研究机构的关注和重视,近...
关键词：锑化物超晶格 红外探测器 焦平面 
GaSb单晶研究进展被引量：2
《人工晶体学报》2024年第1期1-11,共11页刘京明 杨俊 赵有文 杨成奥 蒋洞微 牛智川 
国家自然科学基金(62374161)。
近年来,锑化物红外技术发展迅速,成为半导体技术的重要发展方向之一。锑化镓(GaSb)作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,凭借优异的性能成为锑化物红外光电器件的关键衬底材料。随着锑化物红外技术逐步成熟和应用逐渐开展,人们对GaSb单晶片...
关键词：锑化镓 化合物半导体 锑化物 晶体 红外光电器件 
1060 nm锑化物应变补偿有源区激光二极管仿真及其性能研究
《人工晶体学报》2023年第9期1624-1634,共11页梁财安 董海亮 贾志刚 贾伟 梁建 许并社 
国家自然科学基金(61904120,21972103);山西浙大新材料与化工研究院资助项目(2022SX-TD018,2021SX-AT001、002、003);山西省“1331工程”项目。
本文设计了GaAs基1060 nm高性能激光二极管的有源区结构,通过在有源区中引入锑化物的应变补偿结构GaAsP/InGaAs/GaAsSb/InGaAsSb/GaAsP,改变了有源区的能带结构,解决了禁带宽度对发光波长的限制,将弱Ⅱ型的量子阱能带结构变为Ⅰ型,增大...
关键词：锑化物 应变补偿量子阱结构 非对称异质双窄波导 输出功率 电光转换效率 1060 nm激光二极管 大功率 
锑化物半导体激光器研究进展被引量：2
《光电技术应用》2022年第6期33-37,共5页陈益航 杨成奥 王天放 张宇 徐应强 牛智川 余红光 石建美 吴斌 张佳鸣 
国家自然科学基金(62127804);广东省重点研发计划(2020B030320001)。
锑化物半导体激光器是目前能够覆盖中红外波段的主要手段。锑化物半导体激光器经过多年的研究和发展,已经逐渐的走向成熟。由于在这个波段具有很多气体分子的吸收峰以及具有较高透过率的大气窗口,使得中红外锑化物半导体激光器在气体检...
关键词：锑化物 中红外激光 气体检测 自由空间光通信 
1.2W光纤输出2μm锑化物半导体激光器
《中国激光》2022年第18期183-184,共2页李森森 张宇 徐广立 徐应强 牛智川 闫秀生 
锑化物作为窄带隙半导体材料,禁带宽度覆盖1.5~5μm波段,已成为中红外波段半导体激光器理想的材料体系。锑化物半导体激光器是一类新型激光器,利用其产生短波红外(2μm)激光是目前国内外的研究热点。锑化物半导体激光器可为红外激光对...
关键词：半导体激光器 新型激光器 光纤输出 激光泵浦 中红外波段 红外激光 窄带隙半导体 塑料焊接 
锑基Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb红外探测器的研究进展被引量：2
《激光与光电子学进展》2022年第17期37-43,共7页杜鹏飞 叶伟 萧生 李梦飞 
陕西省教育厅专项科学研究计划(17JK0144,18JK0151);陕西理工大学人才启动项目(SLGQD2017-19)。
新型材料结构的设计是提高红外探测器性能的有效途径。锑基Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb作为红外光敏材料时结构稳定,且具有低暗电流、高温工作特性以及优越的光电转化效率,是研制高温工作红外探测器的理想材料。综述了基于锑化物Ⅱ类超晶格In...
关键词：探测器 锑化物 Ⅱ类超晶格 红外探测器 
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