锑化物半导体激光器研究进展  

Research Progress of Ga Sb-based Diode Laser

作　　者：陈益航 杨成奥 王天放 张宇[1,2] 徐应强 牛智川[1,2] 余红光 石建美[1,2,3] 吴斌 张佳鸣 CHEN Yihang;YANG Chengao;WANG Tianfang;ZHANG Yu;XU Yingqiang;NIU Zhichuan;无(State Key Laboratory of Super-lattices for Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing,China;College of Materials Science and Opto-Electronic Technology,University of Chinese Academy erf Sciences,Beijing,China;The 41^(st)Institute of CETC,Qingdao,China)

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京 [2]中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 [3]中国电子科技集团公司第四十一研究所,山东青岛

出　　处：《光电技术应用》2022年第6期33-37,共5页Electro-Optic Technology Application

基　　金：国家自然科学基金(62127804);广东省重点研发计划(2020B030320001)。

摘　　要：锑化物半导体激光器是目前能够覆盖中红外波段的主要手段。锑化物半导体激光器经过多年的研究和发展,已经逐渐的走向成熟。由于在这个波段具有很多气体分子的吸收峰以及具有较高透过率的大气窗口,使得中红外锑化物半导体激光器在气体检测、材料加工以及自由空间光通信等领域具有重要的作用。GaSb-based diode lasers are the main method to cover mid-infrared waveband.As have been studied many years,GaSb-based diode lasers are developed enough for practical applications.For having the vast majority of gaseous molecules exhibit strong absorption lines and higher transparency atmospheric window,GaSb-based diode lasers have important applications in gas detection,material processing and free space optical communication.

关 键 词：锑化物 中红外激光 气体检测 自由空间光通信 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]