云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 徐应强

徐应强: 作品数：61被引量：118H指数：6; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：超晶格分子束外延锑化物红外探测器INAS/GASB超晶格更多>>; 发文领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>; 发文期刊：《功能材料》《前沿科学》《红外与毫米波学报》《光电技术应用》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国航空科学基金更多>>

高性能锑化物中红外半导体激光器的研究进展被引量：1: 《激光技术》2024年第6期790-798,共9页曹钧天杨成奥陈益航余红光石建美王天放闻皓冉王致远耿峥琦张宇赵有文吴东海徐应强倪海桥牛智川; 国家自然科学基金资助项目(62204238);山西省科技重大专项基金资助项目(202201030201009)。; 半导体材料体系经历了3次重要迭代,在微电子、通信、人工智能、碳中和等重要领域得到了广泛应用。随着高新技术的快速发展,锑化物半导体作为最具发展前景的第4代半导体材料之一,在开发下一代高性能、小体积、低功耗、低成本的红外光电...; 关键词：激光器锑化物中红外量子阱激光器

基于AlAsSb/InAsSb超晶格势垒的InAs/InAsSbⅡ类超晶格nBn中波红外探测器被引量：1: 《红外与毫米波学报》2024年第4期450-456,共7页单一凡吴东海谢若愚周文广常发冉李农王国伟蒋洞微郝宏玥徐应强牛智川; Supported by the Research Foundation for Advanced Talents of the Chinese Academy of Sciences(E27RBB03)。; InAs/InAsSbⅡ类超晶格避免了InAs/GaSbⅡ类超晶格中与Ga原子相关的缺陷复合中心,具有更高的少数载流子寿命,在高工作温度中波红外探测器制备方面有着良好的应用前景。少数载流子单极势垒结构通常被用来抑制探测器暗电流,如nBn结构探测...; 关键词：InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格 AlAsSb/InAsSb势垒中波红外势垒探测器

InGaAs/InAlAs光电导太赫兹发射天线的制备与表征: 《太赫兹科学与电子信息学报》2023年第12期1403-1409,1416,共8页陈益航杨延召张桂铭徐建星苏向斌王天放余红光石建美吴斌杨成奥张宇徐应强倪海桥牛智川; 国家自然科学基金资助项目(62127804)。; 光电导天线作为太赫兹时域光谱仪产生与探测太赫兹辐射的关键部件,具有重要的科研与工业价值。本文采用分子束外延(MBE)方法制备InGaAs/InAlAs超晶格作为1550 nm光电导天线的光吸收材料,使用原子力显微镜、光致发光、高分辨X射线衍射等...; 关键词：太赫兹时域光谱仪光电导天线分子束外延 InGaAs/InAlAs超晶格

锑化物半导体激光器研究进展被引量：2: 《光电技术应用》2022年第6期33-37,共5页陈益航杨成奥王天放张宇徐应强牛智川余红光石建美吴斌张佳鸣; 国家自然科学基金(62127804);广东省重点研发计划(2020B030320001)。; 锑化物半导体激光器是目前能够覆盖中红外波段的主要手段。锑化物半导体激光器经过多年的研究和发展,已经逐渐的走向成熟。由于在这个波段具有很多气体分子的吸收峰以及具有较高透过率的大气窗口,使得中红外锑化物半导体激光器在气体检...; 关键词：锑化物中红外激光气体检测自由空间光通信

1.2W光纤输出2μm锑化物半导体激光器: 《中国激光》2022年第18期183-184,共2页李森森张宇徐广立徐应强牛智川闫秀生; 锑化物作为窄带隙半导体材料,禁带宽度覆盖1.5~5μm波段,已成为中红外波段半导体激光器理想的材料体系。锑化物半导体激光器是一类新型激光器,利用其产生短波红外(2μm)激光是目前国内外的研究热点。锑化物半导体激光器可为红外激光对...; 关键词：半导体激光器新型激光器光纤输出激光泵浦中红外波段红外激光窄带隙半导体塑料焊接

2μm锑化物半导体激光器光纤输出模块: 《红外与激光工程》2022年第8期535-536,共2页李森森张宇徐应强牛智川闫秀生; 锑化物作为窄带隙半导体材料,禁带宽度覆盖了1.5~5μm波段,是中红外波段半导体激光器理想的材料体系,利用锑化物半导体激光器产生短波红外(2μm)激光是目前的研究热点,可为红外激光对抗、生物显微镜、医学照明、塑料焊接等提供优质光源...; 关键词：生物显微镜短波红外中红外波段半导体激光器塑料焊接窄带隙半导体直接耦合锑化物

液氮生态系统与中国现代能源体系构建: 《学术前沿》2022年第13期66-75,共10页徐应强; 自然科学基金委重大项目“锑化物低维结构中红外激光器基础理论与关键技术”,项目编号为:61790582;科技部重点研发项目“光电芯片全流程联合仿真技术研发”的阶段性成果,项目编号为:2021YFB2800304。; 碳达峰、碳中和“30·60目标”成为我国新时期高质量发展的关键目标,事关今后几十年的经济增长模式和产业结构、能源结构调整,对消费模式、生活方式及生态建设有深刻影响。液氮作为一种新能源介质,不仅可以用于发电、汽车发动机、数据...; 关键词：碳达峰储能液氮生态系统能源体系

利用分子束外延生长高质量应变平衡 InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格: 《红外与毫米波学报》2021年第5期595-604,共10页魏国帅郝瑞亭郭杰马晓乐李晓明李勇常发冉庄玉王国伟徐应强牛智川王耀; Supported by the National Natural Science Foundation of China(61774130,11474248,61790581,51973070);the Ph.D.Pro⁃grams Foundation of Ministry of Education of China(20105303120002);National Key Technology Research and Development Program of the Ministry of Sci⁃ence and Technology of China(2018YFA0209101).; 利用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了高质量的InAs/InAsSb(无Ga)Ⅱ类超晶格。超晶格的结构由100个周期组成,每个周期分别是3.8 nm厚的InAs层和1.4 nm厚的InAs_(0.66)Sb_(0.34)层。在实验过程中出现了一种特殊的尖峰状缺陷。利用高分辨...; 关键词：InAs/InAsSb 超晶格分子束外延 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料

InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器被引量：2: 《红外与毫米波学报》2021年第5期569-575,共7页马晓乐郭杰郝瑞亭魏国帅王国伟徐应强牛智川; 国家自然科学基金资助项目(6177413011474248,61176127,61006085,61274013,61306013)。; 采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方...; 关键词：INAS/GASB超晶格 GaSb体材料中短双色红外探测侧壁电阻率低串扰

红外光电探测技术研究现状及展望(特邀)被引量：9: 《光子学报》2021年第10期251-266,共16页马润泽张晓明冯帅郑军徐应强李传波; 国家重点研究发展计划(No.2018YFB2200500);国家自然科学基金(Nos.61974170,61934007,62050073)。; 红外探测技术在激光测距、成像、遥感、夜视等领域有重要应用,降低红外光电探测器的尺寸、重量、功耗和成本,以及提高探测器的性能是目前的研究重点。本文综述了红外探测器技术的发展历程、工作原理及研究现状并对其未来发展方向进行了...; 关键词：红外探测器碲镉汞量子阱 Ⅱ类超晶格量子点

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