云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 王国伟

王国伟: 作品数：12被引量：20H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：超晶格红外探测器探测器INAS/GASB超晶格锑化物更多>>; 发文领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>; 发文期刊：《航空兵器》《人工晶体学报》《红外》《中国基础科学》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金中国航空科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>

基于AlAsSb/InAsSb超晶格势垒的InAs/InAsSbⅡ类超晶格nBn中波红外探测器被引量：1: 《红外与毫米波学报》2024年第4期450-456,共7页单一凡吴东海谢若愚周文广常发冉李农王国伟蒋洞微郝宏玥徐应强牛智川; Supported by the Research Foundation for Advanced Talents of the Chinese Academy of Sciences(E27RBB03)。; InAs/InAsSbⅡ类超晶格避免了InAs/GaSbⅡ类超晶格中与Ga原子相关的缺陷复合中心,具有更高的少数载流子寿命,在高工作温度中波红外探测器制备方面有着良好的应用前景。少数载流子单极势垒结构通常被用来抑制探测器暗电流,如nBn结构探测...; 关键词：InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格 AlAsSb/InAsSb势垒中波红外势垒探测器

长/长波双色二类超晶格红外探测器研究: 《红外与毫米波学报》2023年第5期574-579,共6页刘铭游聪娅李景峰常发冉温涛李农周朋程雨王国伟; 装备研制项目。; 报道了长/长波双色二类超晶格红外焦平面探测器组件的研制。通过能带结构设计和分子束外延技术,获得了表面质量良好的长/长波双色超晶格外延材料。突破了长波超晶格低暗电流钝化、低损伤干法刻蚀等关键技术,制备出像元中心距30μm的320...; 关键词：二类超晶格长/长波双色焦平面阵列

InAs/GaSbⅡ类超晶格双色红外焦平面器件的干法刻蚀与湿法腐蚀制备对比研究: 《红外》2023年第4期1-6,共6页温涛胡雨农李景峰赵成城王国伟刘铭; 分别采用干法刻蚀工艺路线和湿法腐蚀工艺路线制备了面阵规模为320×256、像元中心距为30μm的InAs/GaSbⅡ类超晶格长/长波双色红外焦平面器件,并对其台面形貌、接触孔形貌、伏安特性以及互连读出电路并封入杜瓦后的中测性能进行了对比...; 关键词：INAS/GASB Ⅱ类超晶格焦平面双色

无位错Te-GaSb(100)单晶抛光衬底的晶格完整性被引量：3: 《人工晶体学报》2022年第6期1003-1011,共9页冯银红沈桂英赵有文刘京明杨俊谢辉何建军王国伟; 国家自然科学基金(61904175);江苏省重点研发计划(BE2020033)。; 采用液封直拉(LEC)法批量生长的直径2英寸(1英寸=2.54 cm)n型Te-GaSb(100)单晶的位错腐蚀坑密度(EPD)通常低于300 cm^(-2),达到无位错水平。本文利用X射线摇摆曲线以及倒易空间图(RSM)对这种GaSb单晶抛光衬底的晶格完整性和亚表面损伤...; 关键词：GASB 衬底液封直拉法晶格完整性位错腐蚀坑密度倒易空间图亚表面损伤化合物半导体

InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器被引量：2: 《红外与毫米波学报》2021年第5期569-575,共7页马晓乐郭杰郝瑞亭魏国帅王国伟徐应强牛智川; 国家自然科学基金资助项目(6177413011474248,61176127,61006085,61274013,61306013)。; 采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方...; 关键词：INAS/GASB超晶格 GaSb体材料中短双色红外探测侧壁电阻率低串扰

利用分子束外延生长高质量应变平衡 InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格: 《红外与毫米波学报》2021年第5期595-604,共10页魏国帅郝瑞亭郭杰马晓乐李晓明李勇常发冉庄玉王国伟徐应强牛智川王耀; Supported by the National Natural Science Foundation of China(61774130,11474248,61790581,51973070);the Ph.D.Pro⁃grams Foundation of Ministry of Education of China(20105303120002);National Key Technology Research and Development Program of the Ministry of Sci⁃ence and Technology of China(2018YFA0209101).; 利用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了高质量的InAs/InAsSb(无Ga)Ⅱ类超晶格。超晶格的结构由100个周期组成,每个周期分别是3.8 nm厚的InAs层和1.4 nm厚的InAs_(0.66)Sb_(0.34)层。在实验过程中出现了一种特殊的尖峰状缺陷。利用高分辨...; 关键词：InAs/InAsSb 超晶格分子束外延 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料

锑化物超晶格长波红外焦平面探测器研究进展被引量：3: 《中国科学：物理学、力学、天文学》2021年第2期28-45,共18页常发冉蒋志王国伟李勇崔素宁蒋洞微徐应强牛智川; 国家自然科学基金重大项目(编号:61290303)资助。; 锑化物的研究开始于20世纪50年代,70年代随着超晶格概念及后来能带工程的出现,锑化物在红外探测领域的潜力逐渐显露.基于现实的需求,锑化物材料的生长外延及工艺处理技术取得了快速进步,这也得益于之前对Ⅲ-Ⅴ族材料的大量研究.Ⅱ类超晶...; 关键词：锑化物 Ⅱ类超晶格红外探测器焦平面长波红外

基于锑化物二类超晶格的多色红外探测器研究进展被引量：3: 《人工晶体学报》2020年第12期2211-2220,共10页蒋洞微徐应强王国伟牛智川; 国家重点研发计划(2019YFA0705203,2018YFA0209104);国家自然科学基金(62004189);航空科学基金(20182436004,201924012001)。; 近年来InAs/GaSb二类超晶格红外探测器在材料晶体结构生长、器件结构设计与成像应用方面取得了飞速发展。尤其在多色红外探测方面,二类超晶格材料以其具备的带隙可调、暗电流小、量子效率高、材料均匀性高,以及成本低等优越性能,使其逐...; 关键词：INAS/GASB 二类超晶格多色红外探测器量子效率光学串扰

过去与未来:推动重要技术突破不缺席——谈量子力学在半导体材料和器件的应用进程: 《前沿科学》2020年第4期70-74,共5页倪海桥徐应强王国伟尚向军吴东海牛智川; 在公众的意识中,量子力学似乎只有大学物理以及相关专业的人员需要学习。但实际上,量子力学和我们的生活并不遥远,量子技术已经影响到了我们生活的方方面面。量子力学是现代光学、电子学、凝聚态物理、高能物理甚至化学的基础理论,随着...; 关键词：量子力学凝聚态物理大学物理半导体材料现代光学量子技术应用进程高能物理

Sb浸润界面对InAs/InAsSb超晶格晶体结构和探测器性能的影响被引量：1: 《材料导报》2020年第S01期86-89,共4页齐通通郭杰王国伟郝瑞亭徐应强常发然; 国家自然科学基金(61274137)。; 采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了PIN型长波红外28 ML InAs/7 ML InAs0.48Sb0.52超晶格探测器材料,研究了Sb浸润界面对其表面形貌、晶体结构和光电性能的影响。结果发现:相对于无界面控制的超晶格,采用Sb浸润界面的超晶格表面更平...; 关键词：长波红外探测器 InAs/InAsSb超晶格分子束外延界面生长

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