云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GASB

GASB: 作品数：265被引量：306H指数：7; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：牛智川徐应强张宝林赵有文张宇更多>>; 相关机构：中国科学院长春理工大学中国科学院大学吉林大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划吉林省科技发展计划基金更多>>

Achieving high power factor in GaSb with intrinsically high mobility via Ge doping: 《Rare Metals》2024年第10期5435-5441,共7页Yan-Ci Yan Guo-Wei Wang Qi-Hong Xiong Xu Lu Peng Chen Wei Zou Deng-Feng Li Hong Wu Yun Zhou Xiao-Yuan Zhou; financially supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.12004060 and 12204080);the Natural Science Foundation of Chongqing(No.CSTB2022NSCQ-MSX0382);the Scientific and Technological Research Program of Chongqing Municipal Education Commission(Nos.KJQN202000635 and KJQN 202200623)。; The thermoelectric power factor is as crucial as their overall thermoelectric performance.GaSb-based compounds are deemed to achieve high power factor owing to their intrinsically high mobility compared to classical t...; 关键词：POWER GASB MOBILITY

镀碳膜对In掺杂GaSb晶体结构及性能的影响: 《铸造设备与工艺》2024年第5期64-68,共5页杨天航郝志鹏武海涛王凯悦; 国家自然科学基金项目(U21A2073)。; 针对GaSb晶体合成过程中Ga与Sb之间的不相容区域及较高的受主缺陷问题,基于垂直布里奇曼法,探讨了镀碳膜对GaSb晶体的影响,以及在镀碳膜后掺杂In对其物相组成、硬度、电阻率和热稳定性的影响。结果表明,镀碳膜能够有效隔绝原料与坩埚内...; 关键词：垂直布里奇曼法 GASB 维氏硬度电阻率

GaSb 衬底厚度对超晶格电学特性影响的研究: 《红外与激光工程》2024年第10期227-234,共8页金姝沛胡雨农周朋刘铭; 非故意掺杂的GaSb存在施主缺陷,呈现p型导电,导电性较好。对于分子束外延制备的Sb基超晶格材料,通常用GaSb做衬底,而GaSb衬底厚度远大于超晶格材料厚度,因此对锑基二类超晶格材料进行霍尔测试时GaSb衬底厚度对超晶格电学性能容易产生较...; 关键词：GaSb衬底 Ⅱ类超晶格超晶格载流子浓度霍尔测试

热处理GaSb衬底对近距离升华法制备CdZnTe外延膜的影响: 《人工晶体学报》2024年第10期1705-1711,共7页李阳曹昆介万奇; 国家重点研发计划(2022YFF0708100,2023YFF0716300);国家自然科学基金(52102009);陕西省自然科学基础研究计划(2022JQ-411)。; 衬底的表面质量对生长膜层的质量有重要影响,衬底表面的粗糙度、均匀性、附着物残留及氧化层均是其表面质量的评价标准。本文报道了一种热处理方法,通过近距离升华设备原位去除GaSb(001)衬底上的氧化层后用于制备CdZnTe外延膜。通过控...; 关键词：CDZNTE GASB 外延生长薄膜物理气相沉积热处理半导体

High-performance GaSb planar PN junction detector: 《Journal of Semiconductors》2024年第9期48-52,共5页Yuanzhi Cui Hongyue Hao Shihao Zhang Shuo Wang Jing Zhang Yifan Shan Ruoyu Xie Xiaoyu Wang Chuang Wang Mengchen Liu Dongwei Jiang Yingqiang Xu Guowei Wang Donghai Wu Zhichuan Niu Derang Cao; This paper examines GaSb short-wavelength infrared detectors employing planar PN junctions. The fabrication was based on the Zn diffusion process and the diffusion temperature was optimized. Characterization revealed ...; 关键词：ANTIMONIDE short-wave infrared planar junction zinc diffusion

酸分馏效应对GasBench-IRMS测定碳酸盐碳、氧同位素的影响: 《质谱学报》2024年第3期401-411,I0004,共12页王楠赵彦彦田有荣; 海底科学与探测技术教育部重点实验室开放课题基金(SGPT-2022OF-01)。; 本文利用在线制样装置(GasBench)和稳定同位素比质谱仪(IRMS)测试一系列碳酸盐标准物质和现代海洋浮游有孔虫样品,在不同测试条件下,分析不同性状碳酸盐矿物的氧同位素分馏程度,计算氧同位素酸分馏系数,探讨酸分馏效应对不同碳酸盐矿物...; 关键词：在线制样装置-稳定同位素比质谱仪(GasBench-IRMS) 磷酸法碳酸盐氧同位素酸分馏效应

Te掺杂的GaSb材料载流子特性研究被引量：2: 《激光与红外》2024年第4期561-568,共8页金姝沛胡雨农刘铭孙浩王成刚; 非故意掺杂的GaSb材料呈现p型导电,限制了GaSb材料在InAs/GaSb超晶格红外探测器等领域的应用。探究N型GaSb薄膜电学特性对估算超晶格载流子浓度以及制备超晶格衬底、缓冲层、电极接触层等提供了一定的理论依据。Te掺杂能够以抑制GaSb本...; 关键词：GaTe掺杂 GASB 载流子浓度霍尔测试

稀土元素Sc、Tm掺杂GaSb的第一性原理研究: 《原子与分子物理学报》2023年第5期124-132,共9页姚云美肖清泉邹梦真付莎莎叶建峰谢泉; 贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地建设项目(2020-520000-83-01-324061);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目([2018]09);贵州省高层次创新型人才培养项目([2015]4015)。; 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法研究了本征GaSb以及稀土元素Sc、Tm掺杂后的GaSb的电子结构和光学性质.计算结果表明:Sc、Tm掺杂后GaSb仍为直接带隙的P型半导体.Sc掺杂后GaSb在导带中诱导了浅能级缺陷态,带隙变窄.Tm掺杂...; 关键词：第一性原理 GASB 稀土掺杂能带结构光学性质

Ga_(1-x)Ti_(x)Sb(x=0.25,0.50,0.75)电学、磁学及光学性质的第一性原理研究被引量：1: 《稀有金属材料与工程》2023年第10期3571-3580,共10页姚云美肖清泉付莎莎邹梦真唐华著张瑞亮谢泉; 贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地建设项目(2020-520000-83-01-324061);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目([2018]09);贵州省高层次创新型人才培养项目([2015]4015)。; 直接带隙半导体锑化镓(GaSb)凭借其优异的性能在光纤通信、光电器件等领域具有应用价值。为了拓展GaSb在光电器件中应用及探索新的自旋电子学材料,采用第一性原理计算了不同Ti掺杂浓度的GaSb(Ga_(1-x)Ti_(x)Sb,其中x为Ti原子的掺杂原子...; 关键词：第一性原理 GASB Ti掺杂电子结构磁学性质光学性质

Structural Characterization of Carbon-implanted GaSb: 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》2023年第5期969-973,共5页SHEN Guiying ZHAO Youwen HE Jianjun; the National Natural Science Foundation of China(No.61904175);Jiangsu Provincial Key Research and Development Program(No.BE2020033)。; Ion implantation induced damage in GaSb and its removal by rapid thermal annealing(RTA)have been investigated by Raman spectroscopy.The evolution of the Raman modes as a function of implantation fluence,annealing temp...; 关键词：Ion implantation Raman spectroscopy GASB RTA

GASB