刘铭

作品数：65被引量：114H指数：7
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供职机构：华北光电技术研究所更多>>
发文主题：分子束外延超晶格碲镉汞INSBMBE更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《红外与激光工程》《激光与红外》《人工晶体学报》更多>>
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低缺陷3 in中波InAs/InAsSb材料分子束外延工艺研究
《红外》2025年第4期11-19,共9页闫勇 周朋 游聪娅 刘铭 胡雨农 金姝沛 
通过改变材料源的束流大小和材料生长温度对3 in数字合金(Digital Alloy,DA)-nBn型InAs/InAs_(1-x)Sb x Ⅱ类超晶格材料进行分子束外延工艺研究。结果表明,当Sb束流大小为3×10^(-7)torr、生长温度为470℃时生长的材料质量最好,材料表...
关键词：分子束外延 InAs/InAsSb GaSb衬底 
ICP刻蚀对超晶格红外探测器电极制备的控制
《红外》2025年第3期1-7,共7页任昂 刘铭 李景峰 
国家重点研发计划“政府间国际科技创新合作”重点专项(2022YFE0119500);上海市科技计划项目(22010503600)。
Ⅱ类超晶格红外探测器通常利用台面结实现对红外辐射的探测,其中金属电极的制备工艺至关重要。深入研究了电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma, ICP)刻蚀系统中物理刻蚀与化学刻蚀对超晶格探测器电极孔形貌的控制以及对刻蚀速...
关键词：红外探测器 ICP刻蚀 超晶格 电极孔 侧壁倾角 
GaSb 衬底厚度对超晶格电学特性影响的研究
《红外与激光工程》2024年第10期227-234,共8页金姝沛 胡雨农 周朋 刘铭 
非故意掺杂的GaSb存在施主缺陷,呈现p型导电,导电性较好。对于分子束外延制备的Sb基超晶格材料,通常用GaSb做衬底,而GaSb衬底厚度远大于超晶格材料厚度,因此对锑基二类超晶格材料进行霍尔测试时GaSb衬底厚度对超晶格电学性能容易产生较...
关键词：GaSb衬底 Ⅱ类超晶格 超晶格载流子浓度 霍尔测试 
低损伤碲镉汞长波红外焦平面探测器电极接触孔刻蚀技术研究
《红外》2023年第11期6-12,共7页李景峰 刘世光 宁提 刘铭 王丹 
长波碲镉汞材料受结构、组分等因素影响。在制备器件过程中,刻蚀电极接触孔易发生材料损伤,影响芯片的成像性能。利用现有电感耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasma,ICP)设备刻蚀长波碲镉汞芯片电极接触孔,采用分步刻蚀以避免损伤。...
关键词：长波 碲镉汞 损伤 刻蚀技术 
长/长波双色二类超晶格红外探测器研究
《红外与毫米波学报》2023年第5期574-579,共6页刘铭 游聪娅 李景峰 常发冉 温涛 李农 周朋 程雨 王国伟 
装备研制项目。
报道了长/长波双色二类超晶格红外焦平面探测器组件的研制。通过能带结构设计和分子束外延技术,获得了表面质量良好的长/长波双色超晶格外延材料。突破了长波超晶格低暗电流钝化、低损伤干法刻蚀等关键技术,制备出像元中心距30μm的320...
关键词：二类超晶格 长/长波 双色 焦平面阵列 
nBn结构InAs/GaSb超晶格中/长双波段探测器优化设计
《红外与激光工程》2023年第9期73-85,共13页刘文婧 祝连庆 张东亮 郑显通 杨懿琛 王文杰 柳渊 鹿利单 刘铭 
国家自然科学基金项目(62105039);北京学者计划研究项目(BJXZ2021-012-00046);北京教育委员会研究项目(KM202111232019);北京信息科技大学研究项目(2022XJJO7)。
双波段红外探测可对复杂的红外背景进行抑制,在军用目标识别、医疗诊断和污染监测等方面有重要应用价值。基于二类超晶格的双波段红外探测器在成本和性能方面具有很大的优势,成为新型红外探测器领域的研究热点。然而其暗电流和串扰会极...
关键词：红外探测器 双波段 NBN INAS/GASB超晶格 暗电流 
InAs/GaSbⅡ类超晶格双色红外焦平面器件的干法刻蚀与湿法腐蚀制备对比研究
《红外》2023年第4期1-6,共6页温涛 胡雨农 李景峰 赵成城 王国伟 刘铭 
分别采用干法刻蚀工艺路线和湿法腐蚀工艺路线制备了面阵规模为320×256、像元中心距为30μm的InAs/GaSbⅡ类超晶格长/长波双色红外焦平面器件,并对其台面形貌、接触孔形貌、伏安特性以及互连读出电路并封入杜瓦后的中测性能进行了对比...
关键词：INAS/GASB Ⅱ类超晶格 焦平面 双色 
低损伤、高深宽比Ⅱ类超晶格材料的台面刻蚀技术研究
《红外》2023年第3期1-7,共7页李景峰 刘铭 李海燕 温涛 赵成城 王丹 
采用双色单铟柱结构的Ⅱ类超晶格红外探测器件在台面成型过程中加工难度大且易于产生损伤,影响器件的性能。针对此问题进行了低损伤、高深宽比Ⅱ类超晶格材料的台面刻蚀技术研究。首先建立一种损伤评判机制,判断现有工艺刻蚀后材料是否...
关键词：Ⅱ类超晶格 低损伤 刻蚀技术 
Ⅱ类超晶格红外探测器多层膜背增透研究
《激光与红外》2023年第3期408-412,共5页游聪娅 刘铭 任秀娟 崔戈 周朋 
Ⅱ类超晶格材料相对较小的吸收系数限制了超晶格焦平面探测器的探测性能,通过在焦平面背面镀制增透膜,可有效提升器件的量子效率。研究采用仿真计算,设计了GaSb基InAs/GaSb超晶格探测器的多层背增透膜结构,并在GaSb衬底和超晶格焦平面...
关键词：Ⅱ类超晶格 焦平面探测器 背增透 
中/长波双色二类超晶格红外探测器技术被引量：2
《激光与红外》2022年第12期1843-1847,共5页刘铭 邢伟荣 刘京生 周朋 李景峰 温涛 李海燕 张露漩 陈彦冠 胡雨农 
双波段红外探测器是第三代焦平面探测器发展的重要方向之一,二类超晶格材料由于其优异的光电性能而成为制备双色红外探测器的优选材料之一。本文报道中长波双色二类超晶格器件结构设计、材料外延、读出电路设计、芯片加工、组件化等方...
关键词：中长双色 二类超晶格 红外探测 成像演示 
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