云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INAS/GASB

INAS/GASB: 作品数：130被引量：146H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陈建新周易牛智川徐应强何力更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院大学哈尔滨工业大学华北光电技术研究所更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国航空科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

磷酸在Ⅱ类超晶格背减薄技术中的作用机理研究: 《云光技术》2024年第2期1-6,共6页王静李海燕王晓乾刘铭马腾达; 文中主要针对于Ⅱ类超晶格混成芯片背减薄工艺,基于氧化铝磨料和络合剂磷酸,详细分析了磷酸在整个抛光过程中的作用机理。通过实验与理论相结合的方式,运用原子力显微镜、金相显微镜和量子化学计算等手段,讨论了磷酸基化学机械抛光液在...; 关键词：INAS/GASB 背减薄磷酸量子化学

12.5μm 1024×1024长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器: 《红外与毫米波学报》2024年第6期738-743,共6页白治中黄敏徐志成周易朱艺红沈益铭张君玲陈洪雷丁瑞军陈建新; 国家自然基金资助项目(62004205,62104236,62104237,62222412);国家重点研发计划项目(2022YFB3606800);上海市启明星培育项目扬帆专项(21YF1455000、22YF1455800);中国科学院上海技术物理研究所创新专项基金资助项目(CX-455)。; 报道了12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器。实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料。吸收区超晶格结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb)。探测器采用PBπBN的双势垒结构以抑制长波探测器暗电流。研制了规模为1024×...; 关键词：焦平面 INAS/GASB 超晶格长波

InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究综述: 《航空兵器》2024年第5期41-49,共9页张翔宇蒋洞微贺雯王金忠; 国家自然科学基金青年基金项目(62004189);国家重点研发计划(2019YFA0705203);航空科学基金项目(20182436004);西北稀有金属材料研究院稀有金属特种材料国家重点实验室开放课题基金项目(SKL2023K00X)。; 本文综述了InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究。从湿法和干法刻蚀的物理化学机理以及参数调控等方面进行分析,旨在阐明工艺条件对台面形貌的影响,以抑制带隙较窄的长波和甚长波超晶格表面漏电流。结果表明,湿法刻蚀中恰当的腐蚀液配比可...; 关键词：INAS/GASB超晶格湿法刻蚀干法刻蚀刻蚀机理工艺优化

1280×1024元InAs/GaSb II类超晶格中/中波双色红外焦平面探测器: 《红外与毫米波学报》2024年第4期437-441,共5页白治中黄敏徐志成周易梁钊铭姚华城陈洪雷丁瑞军陈建新; 国家自然科学基金资助项目(62004205,62104236,62104237,62222412);国家重点研发计划项目(2022YFB3606800);上海市启明星培育项目扬帆专项(21YF1455000,22YF1455800);中国科学院上海技术物理研究所创新专项基金资助项目(CX-455)。; 本文报道了1280×1024元InAs/GaSb II类超晶格中/中波双色红外焦平面阵列探测器的研究结果。探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用叠层双色结构和顺序读出方式。运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收...; 关键词：焦平面 INAS/GASB 超晶格双色

界面特性对InAs/GaSb Ⅱ型超晶格光学性质影响理论研究: 《发光学报》2024年第5期817-823,共7页马泽军李远朱申波程凤敏刘俊岐王利军翟慎强卓宁陈涌海张锦川刘舒曼刘峰奇; 国家自然科学基金(12393832,62327813,62235019,62235016,61991431)。; InAs/GaSb Ⅱ型超晶格是中红外谱段光电子器件的核心结构,其Ⅱ型能带排列特点使电子、空穴在实空间分离而跨过界面,其非公共原子构型使得界面态丰富。我们在Burt-Foreman包络函数理论的基础上,讨论了不同界面态对超晶格电子能态和波函...; 关键词：锑化物超晶格界面态前后向差分法

pπBn型Ⅱ类超晶格暗电流特性研究被引量：1: 《激光与红外》2024年第5期750-757,共8页闫勇王晓华周朋刘铭; InAs/GaSbⅡ类超晶格(T2SL)红外探测器由于具有宽光谱探测能力、较好的材料均匀性、可以抑制载流子俄歇复合率和灵活的能带设计等优点,在长波红外探测领域具有很大的优势。但由于暗电流较大,其性能并未达到理论预测。pπBn结构是在超晶...; 关键词：INAS/GASB 能带结构暗电流密度

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的Si离子注入研究: 《红外与毫米波学报》2024年第1期15-22,共8页何苗周易应翔霄梁钊铭黄敏王志芳朱艺红廖科才王楠陈建新; 国家自然科学基金(61904183,61974152,62004205,62104236,62104237,62222412);国家重点研发计划(2022YFB3606800);上海市启明星培育项目扬帆专项(21YF1455000、22YF1455800);中国科学院上海技术物理研究所创新专项基金(CX-399、CX-455)。; Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种...; 关键词：InAs/GaSbⅡ类超晶格离子注入平面结退火 HRXRD

带间级联红外探测器的光电流输运与量子效率研究: 《红外与毫米波学报》2023年第6期716-723,共8页白雪莉柴旭良周易朱艺红梁钊铭徐志成陈建新; 国家自然科学基金(62222412,61904183);国家重点研发计划(2022YFB3606800);中国科学院青年创新促进会(Y202057);上海市科技启明星计划(21YF1455000)。; 带间级联红外探测器可以利用多级吸收区级联的方式实现高的工作温度,但不同的吸收区厚度设计方式会使得器件在不同级数吸收区中出现光生载流子的不匹配现象,从而对器件量子效率造成影响。为更好地理解带间级联探测器的级数和吸收区厚度...; 关键词：InAs/GaSb II类超晶格带间级联探测器电子增益量子效率

Mid-wavelength InAs/GaSb type-Ⅱ superlattice barrier detector with nBn design and M barrier: 《Optoelectronics Letters》2023年第10期577-582,共6页LIU Zhaojun ZHU Lianqing LU Lidan DONG Mingli ZHANG Dongliang ZHENG Xiantong; supported by the Beijing Scholars Program(No.74A2111113);the National Natural Science Foundation of China(No.62205029);the Young Elite Scientist Sponsorship Program by the China Association for Science and Technology(No.YESS20200146);the Beijing Natural Science Foundation(No.4202027).; This study reports the performance of an InAs/GaSb type-Ⅱ superlattices(T2SLs) detector with nBn structure for mid-wavelength infrared(MWIR) detection. An electronic band structure of M barrier is calculated using 8-...; 关键词：INAS/GASB BARRIER structure

基于Ⅱ类超晶格的中波红外带间级联探测器(特邀): 《光子学报》2023年第10期62-69,共8页薛婷黄建亮鄢绍龙张艳华马文全; 国家自然科学基金面上项目(No.61874103)。; 为了提高红外探测器的工作温度,基于InAs/GaSb II类超晶格材料设计了一种五级带间级联结构中波红外光电探测器,并采用分子束外延技术和标准化光刻及刻蚀技术进行了器件的制备。在77 K时,该器件的50%截止波长是4.02μm,在0 V时峰值探测率...; 关键词：半导体探测器中波分子束外延带间级联探测器 INAS/GASB超晶格

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