暗电流密度

作品数：17被引量：44H指数：4
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pπBn型Ⅱ类超晶格暗电流特性研究被引量：1
《激光与红外》2024年第5期750-757,共8页闫勇 王晓华 周朋 刘铭 
InAs/GaSbⅡ类超晶格(T2SL)红外探测器由于具有宽光谱探测能力、较好的材料均匀性、可以抑制载流子俄歇复合率和灵活的能带设计等优点,在长波红外探测领域具有很大的优势。但由于暗电流较大,其性能并未达到理论预测。pπBn结构是在超晶...
关键词：INAS/GASB 能带结构 暗电流密度 
基于SE技术的硼扩散和氧化退火工艺研究
《科技风》2024年第8期55-57,91,共4页成秋云 陈骏 李明 赵增超 刘湘祁 
文中探究了关于N-TOPCon电池应用于选择性发射极(SE)技术中的硼扩散和氧化退火工艺。通过设定实验变量,包括无氧推进过程及其所处的硼扩散和氧化退火工艺阶段,进行了方阻、ECV和钝化方面测试验证。在氧化退火工艺中,低温氧气注入(860℃...
关键词：低温氧化 方阻均匀度 推进 表面浓度 饱和暗电流密度 
基于非富勒烯受体的可见光-近红外有机光电探测器模拟研究
《半导体光电》2023年第3期330-335,共6页陆之南 孙久勋 
高灵敏度的有机光电探测器(OPD)具有从可见光到近红外(NIR)的宽带响应和优异的整体器件性能,在包括高质量生物成像在内的各种应用中起到了非常重要的作用。文章使用Silvaco TCAD模拟了一种活性层由宽带隙聚合物PBDTTT-C-T作为给体以及...
关键词：Silvaco TCAD 有机光电探测器 非富勒烯受体 暗电流密度 外量子效率 
截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器
《红外与毫米波学报》2022年第5期804-809,共6页程吉凤 李雪 邵秀梅 李淘 王红真 马英杰 杨波 龚海梅 
上海市优秀学术/技术带头人计划资助(21XD1404200);中国科学院重点部署项目(ZDRW-CN-2019-3);中国科学院联合基金(6141A01170106);上海市级科技重大专项(2019SHZDZX01);国家自然科学基金(62075229);国家自然科学基金(62175250)。
采用闭管扩散的方法成功研制了截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器芯片。在分子束外延法(MBE)生长的In_(0.75)Al_(0.25)As/In_(0.75)Ga_(0.25)As/In_(0.75)Al_(0.25)As外延材料上,采用砷化锌作为扩散掺杂源、SiN_(x)作为扩散...
关键词：延伸波长 INALAS/INGAAS 扩散 暗电流密度 量子效率 
近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的结构设计与仿真被引量：1
《材料导报》2019年第20期3358-3362,共5页陈豪 肖清泉 谢泉 王坤 史娇娜 
国家自然科学基金(61264004);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目([2018]09);贵州省高层次创新型人才培养项目([2015]4015)~~
本工作设计了近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的器件结构,并采用Silvaco-TCAD对器件主要性能参数(包括光谱响应、暗电流等)进行模拟仿真,优化了器件的结构参数和工艺参数。仿真结果表明:所设计的pin型光电二极管在波长为0.6~1.5μm时比p...
关键词：Mg2Si/Si异质结 光谱响应 暗电流密度 界面态密度 
中心距10 μm截止波长2.6 μm的延伸波长InGaAs焦平面探测器（英文）被引量：1
《红外与毫米波学报》2018年第6期649-652,共4页何玮 李平 邵秀梅 曹高奇 于一榛 张亚光 邓双燕 杨波 李雪 李淘 龚海梅 
Supported by the National Key R&D Program of China(2016YFB0402401);National Natural Science Foundation of China(61376052,61475179,61604159)
采用ICP(inductively coupled plasma etching)刻蚀与湿法腐蚀相结合的方式,研制了像元中心距为10μm、截止波长2. 6μm的p-i-n型10×10元延伸波长In Ga As探测器.不同温度下的电流—电压特性研究和激活能分析,显示了器件优异的暗电流特...
关键词：延伸波长 INGAAS探测器 小像元 暗电流密度 量子效率 
光电化学腐蚀法制备高长径比硅微通道被引量：2
《半导体技术》2018年第3期216-220,共5页陈奇 王国政 王蓟 杨继凯 端木庆铎 
在高长径比硅微通道光电化学腐蚀中,需要根据通道尺寸要求实时修正腐蚀电流。研究了物质输运、暗电流对腐蚀电流控制的影响,并提出了腐蚀电流的控制曲线。根据电解液扩散方程和边界条件,推导出通道尖端处HF质量分数与通道长度的关系。...
关键词：硅微通道 光电化学腐蚀 腐蚀电流密度 电解液扩散 暗电流密度 
锑基二类超晶格中波红外焦平面探测器技术被引量：3
《激光与红外》2014年第3期258-260,共3页巩锋 马文全 谭振 刘铭 王亮 张燕华 邢伟荣 
InAs/GaSbⅡ类超晶格以其特有的量子效率高、暗电流小、能带结构可调等材料性能和器件优势,成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一。本文报道了中波InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的设计、生长、器件工艺技术,制备出了高性能的128×128中波I...
关键词：INAS GASB II类超晶格 128×128 像元暗电流密度 量子效率 
空间辐射对CCD器件暗电流的影响研究被引量：2
《空军工程大学学报（自然科学版）》2011年第4期64-68,共5页侯睿 赵尚弘 幺周石 姜晓峰 石磊 李勇军 占生宝 
国家"863"计划资助项目(2007AA01Z294);中国博士后科研基金资助项目(20090461466);陕西省自然科学基金资助项目(2009JQ8013)
电荷耦合器件CCD(Charge Coupled Device,CCD)作为卫星光通信系统中光信标子系统的关键部件,它的工作性能直接影响着光通信系统的整体性能。根据Shockley-Read-Hall理论,对粒子辐照条件下CCD器件的暗电流变化进行了深入的理论分析,依据...
关键词：CCD 空间辐射 暗电流密度 温控技术 
硅微通道阵列光电化学腐蚀中通道尺寸控制技术被引量：5
《长春理工大学学报（自然科学版）》2010年第3期59-62,共4页王国政 熊峥 王蓟 秦旭磊 付申成 王洋 端木庆铎 
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(200801860003)
高长径比硅微通道阵列在光子晶体、硅微通道板、MEMS器件等领域应用前景广阔。本文开展了硅微通道阵列光电化学方法腐蚀实验,重点研究了孔径控制技术。给出了型硅在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线,讨论了临界电流密度JPS的意义,提出...
关键词：高长径比 硅微通道阵列 光电化学腐蚀 诱导坑 暗电流密度 
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