INAS

作品数：290被引量：564H指数：12
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Carrier Relaxation Times in InAs/AlAs Superlattices:Modulating by Layers,Temperature,and Carrier Concentrations
《Chinese Physics Letters》2025年第2期271-275,共5页Enrui Zhang Jinshan Yao Zhiming Geng Yueying Hou Jiayu Dai Hong Lu 
supported by the Science and Technology Innovation Program of Hunan Province(Grant No.2021RC4026)。
InAs/AlAs superlattice structures have significant potential for application in low-noise avalanche photodetectors.With their performance in practical applications linked to the fundamental physical properties of carr...
关键词：RELAXATION TIMES PHONON 
The influence ofⅤ/Ⅲratio on electron mobility of the InAs_(x)Sb_(1-x)layers grown on GaAs substrate by molecular beam epitaxy
《红外与毫米波学报》2025年第1期25-32,共8页ZHANG Jing YANG Zhi ZHENG Li-Ming ZHU Xiao-Juan WANG Ping YANG Lin 
Supported by the Natural Science Basic Research Program of Shaanxi Province(2023-JC-QN-0758);Shaanxi University of Science and Technology Research Launch Project(2020BJ-26);Doctoral Research Initializing Fund of Hebei University of Science and Technology,China(1181476).
This paper discusses the influence of Sb/In ratio on the transport properties and crystal quality of the 200 nm InAs_(x)Sb_(1-x)thin film.The Sb content of InAs_(x)Sb_(1-x)thin film in all samples was verified by HRXR...
关键词：molecular beam epitaxy InAs_(x)Sb_(1-x) Ⅴ/Ⅲratio high electron mobility 
Overexpression of arginase gene CAR1 renders yeast Saccharomyces cerevisiae acetic acid tolerance
《Synthetic and Systems Biotechnology》2024年第4期723-732,共10页Liang Xiong Ya-Ting Wang Ming-Hai Zhou Hiroshi Takagi Jiufu Qin Xin-Qing Zhao 
supported financially by National Key Research and Development Program(No.2022YFE0108500);National Natural Science Foundation of China(No.21978168)to X.-Q.Z;JFQ appreciates the grant from Sichuan Natural Science Foundation(No.2023NSFSC0132).
Acetic acid is a common inhibitor present in lignocellulose hydrolysate,which inhibits the ethanol production by yeast strains.Therefore,the cellulosic ethanol industry requires yeast strains that can tolerate acetic ...
关键词：Saccharomyces cerevisiae ARGINASE CAR1 Acetic acid tolerance Amino acid metabolism Ethanol production 
非互易热辐射研究综述
《光电工程》2024年第9期14-38,共25页王雅婷 王明军 吴小虎 刘皓佗 吴必园 
国家自然科学基金重大研究计划培训项目(92052106);国家自然科学基金资助项目(61771385,62101313,52106099);山东省自然科学基金(ZR2022YQ57);泰山学者计划。
非互易热辐射是一种突破传统基尔霍夫定律对称互易性的辐射传热新方式,它打破了物体光谱定向发射率与光谱定向吸收率必须相等的限制,实现了辐射器光谱、角度发射率和吸收率在时间和空间上的独立控制。本文综述了非互易热辐射在理论计算...
关键词：非互易热辐射 磁光材料InAs 外尔半金属 太阳能电池 
原子层沉积Al_(2)O_(3)钝化对InAs/InGaAsSbⅡ类超晶格发光特性的影响被引量：1
《光子学报》2024年第7期85-93,共9页项超 王登魁 方铉 房丹 闫昊 李金华 王晓华 杜鹏 
国家自然科学基金(Nos.62074018,62174015,62275032);吉林省科技发展项目(Nos.20230508053RC,20210509061RQ);吉林省自然科学基金(Nos.20210101473JC,20210101150JC)。
提出一种基于干法刻蚀与原子层沉积相结合的钝化方法,采用干法刻蚀去除InAs/InGaAsSb超晶格表面及端面固有的氧化层,利用原子层沉积Al_(2)O_(3)薄膜钝化刻蚀表面,对钝化前后光致发光光谱的表征研究其发光性能与长期稳定性。处理后超晶格...
关键词：InAs/InGaAsSb超晶格 钝化 Al_(2)O_(3) 原子层沉积 发光特性 
Long-wave infrared emission properties of strain-balanced InAs/In_(x)Ga_(1-x)As_(y)Sb_(1-y)type-Ⅱsuperlattice on different substrates
《Rare Metals》2024年第7期3194-3204,共11页Chao Shi Xuan Fang Hong-Bin Zhao Deng-Kui Wang Xi Chen Dan Fang Dong-Bo Wang Xiao-Hua Wang Jin-Hua Li 
financially supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.62074018,62174015 and 62275032);the Developing Project of Science and Technology of Jilin Province(No.20210509061RQ);the Natural Science Foundation of Jilin Province(No.20210101473JC);National Key R&D Program of China(No.2021YFB3201901);The Natural Science Foundation of Chongqing China(No.cstc2021jcyjmsxmX1060);supported by R&D project of Collighter Co.,Ltd。
High-performance type-Ⅱsuperlattices ofⅢ-Ⅴsemiconductor materials play an important role in the development and application of infrared optoelectronic devices.Improving the quality of epitaxial materials and clarif...
关键词：Photoluminescence Alloy compositions fluctuations InAs(Sb)/In_(x)Ga_(1-x)As_(y)Sb_(1-y) Type-Ⅱsuperlattice Substrate 
液滴外延下生长参数对InAs纳米结构形貌的影响
《原子与分子物理学报》2024年第2期68-72,共5页马玉麟 郭祥 王一 丁召 
国家自然科学基金(61564002,11664005);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础[2020]1Y271);贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07))。
利用液滴外延法在GaAs(001)衬底表面制备InAs量子点,通过控制变量分别研究沉积速率、沉积量对In液滴在GaAs表面生长过程中的影响.使用原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM)表征I⁃nAs纳米结构形貌,得出结论:(1)沉积速率主要通过影...
关键词：液滴外延 沉积速率 成核率 沉积量 熟化 INAS量子点 
ZrO_(2)/InP和ZrO_(2)/InAs堆栈的元素扩散研究
《真空电子技术》2023年第6期50-56,共7页刘澳 冯泽 井美艺 郑旭 单一洋 刘晖 王维华 卢峰 程雅慧 罗锋 孔亚萍 李治云 黄荣 董红 
国家重点研发计划项目(2018YFB2200500,2018YFB2200504);国家自然科学基金项目(22090010,22090011)。
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体有望在5 nm以下节点替代Si作为场效应管的沟道材料,其与高k栅介质界面质量对器件性能极为关键。本文分别在InAs和InP衬底上通过H_(2)^(18)O蒸汽预处理表面,再利用原子层沉积技术原位制备了ZrO_(2)薄膜,通过角分辨X...
关键词：18 O同位素示踪法 INP ZrO 2 角分辨X射线光电子能谱 飞行时间二次离子质谱 退火 
利用^(18)O追踪研究退火对InAs/Al_(2)O_(3)堆栈中界面元素扩散行为的影响
《真空电子技术》2023年第6期57-63,共7页井美艺 冯泽 刘澳 郑旭 刘晖 王维华 卢峰 程雅慧 罗锋 孔亚萍 李治云 黄荣 董红 
国家重点研发计划项目(2018YFB2200500,2018YFB2200504);国家自然科学基金项目(22090010,22090011)。
研究了Al_(2)O_(3)/InAs堆栈在退火前后表面界面的物理和化学,通过X射线光电子能谱仪发现了扩散的In原子总是以氧化态的形式存在,通过湿法去除InAs衬底的氧化物后,利用18 O的水蒸汽预先氧化,再利用飞行时间二次离子质谱分析追踪18 O原子...
关键词：高K栅介质 Ⅲ-Ⅴ族半导体 原子层沉积 元素扩散 沉积后退火 
InAs基范德华异质结界面电荷转移特性第一性原理计算的研究进展被引量：1
《红外与毫米波学报》2023年第5期666-680,共15页成田恬 张坤 罗曼 孟雨欣 祖源泽 王奕锦 王鹏 余晨辉 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(62074085 and 62104118);Basic Science Research Project of Nantong(JC2021031)。
由低维InAs材料和其他二维层状材料堆叠而成的垂直范德华异质结构在纳米电子、光电子和量子信息等新兴领域中应用广泛。探索跨结界面的电荷转移机制对于全面理解该类器件的非凡特性至关重要。第一性原理计算在揭示界面电荷转移特性与各...
关键词：InAs异质结 范德华堆叠结构 界面电荷转移 第一性原理计算 
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