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INP: 作品数：791被引量：632H指数：8; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：孙聂枫程伟孙同年赵有文金智更多>>; 相关机构：中国科学院中国电子科技集团第十三研究所南京电子器件研究所电子科技大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

DC~170GHz InP DHBT超宽带双模混频器: 《固体电子学研究与进展》2025年第2期F0003-F0003,共1页项萍杨昆明王维波程伟陈膺昊苗鹤瑜陈莹梅; 南京电子器件研究所基于自主101.6 mm(4英寸)250 nm InP DHBT工艺平台,设计制备了DC-170GHZ超宽带双模混频器芯片(如图1所示,单只芯片尺寸835μm*650μm)研究了亚微米难熔发射极制备,高质量基极欧姆接触等核心工艺,突破了微带耦合反馈、...; 关键词：亚微米难熔发射极工艺平台基极欧姆接触

Correlation between the whole small recess offset and electrical performance of InP-based HEMTs: 《红外与毫米波学报》2025年第1期40-45,共6页GONG Hang ZHOU Fu-Gui FENG Rui-Ze FENG Zhi-Yu LIU Tong SHI Jing-Yuan SU Yong-Bo JIN Zhi; Supported by the Terahertz Multi User RF Transceiver System Development Project(Z211100004421012).; In this work,we investigate the impact of the whole small recess offset on DC and RF characteristics of InP high electron mobility transistors(HEMTs).L_(g)=80 nm HEMTs are fabricated with a double-recessed gate proces...; 关键词：InP high-electron-mobility transistor(InP HEMT) INGAAS/INALAS DC/RF characteristic smallsignal modeling double-recessed gate process

One-pot synthesis of Cu:InP multishell quantum dots for nearinfrared light-emitting devices: 《Nano Research》2024年第12期10655-10660,共6页Pan Huang Xiaonan Liu Xiao Liu Jing Wei Fangze Liu Hongbo Li; supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.22179009,U22A2072,22105018,52372135,and 22379017).; InP quantum dots(QDs)are promising heavy-metal-free materials for next-generation solid-state lighting,covering from visible to near-infrared(NIR)range.Compared with the rapid development of visible InP QDs,the synthe...; 关键词：NEAR-INFRARED InP quantum dots CORE-SHELL light-emitting diodes

基于0.7μm InP HBT工艺的宽带差分行波放大器: 《微波学报》2024年第6期6-9,共4页余芹潘晓枫于伟华潘碑毕博葛振霆; 文中设计了一款基于0.7μm InP HBT的宽带差分行波放大器。该行波放大器拥有三个增益单元,为了得到更高的增益,采用了差分共射共基极放大结构;为了得到更高的带宽,每级都采用了射级退化电阻。集电极偏置低于最大电流增益的值,这使得放...; 关键词：InP HBT 宽带行波放大器差分放大器

基于101.6 mm晶圆35 nm InP HEMT工艺的340 GHz低噪声放大器芯片研制: 《固体电子学研究与进展》2024年第5期379-383,共5页孙远陈忠飞陆海燕吴少兵任春江王维波章军云; 实现了在101.6 mm InP晶圆上制备35 nm的增强型InP高电子迁移率晶体管。通过InAs复合沟道外延结构设计,使得室温二维电子气迁移率面密度乘积达到4.2×10^(16)/(V·s)。采用了铂钛铂金埋栅工艺技术,典型器件最大跨导达到2900 mS/mm,电流...; 关键词：磷化铟(InP) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电子束直写太赫兹低噪声放大器

InP中点缺陷迁移机制的第一性原理计算: 《物理学报》2024年第18期112-120,共9页闫丽彬白雨蓉李培柳文波何欢贺朝会赵小红; 国家自然科学基金(批准号:62104260)资助的课题。; 磷化铟作为重要的第二代半导体材料,具有禁带宽度大、电子迁移率高、光电转换效率高、抗辐照性能强等优点,是制备航天器电子器件优良材料之一.但空间辐射粒子在磷化铟电子器件中会产生点缺陷,导致其电学性能发生严重下降.本文采用第一...; 关键词：磷化铟第一性原理点缺陷迁移

VB/VGF法制备掺FeInP晶体的电阻率均匀性: 《半导体技术》2024年第9期825-831,共7页韩家贤韦华刘汉保惠峰雷云何永彬唐康中王茺; 昆明市春城青年高层次人才创新项目(CCQNRC2023WH);昆明市春城青年拔尖人才创新项目(CCQNBJRC2023-009)。; 针对4.5英寸(1英寸≈2.54 cm)掺Fe InP晶体普遍存在的轴向和径向电学参数分布不均匀问题,深入研究了晶体生长工艺参数对电学参数分布的影响。结合垂直布里奇曼(VB)法和垂直梯度凝固(VGF)法,利用六段温区控制及坩埚线性下降的装置,优化...; 关键词：INP 晶体生长垂直布里奇曼(VB)法垂直梯度凝固(VGF)法电阻率均匀性

InP衬底上制备GaInAsP/GaInAs双结太阳电池的研究: 《电源技术》2024年第7期1375-1379,共5页张恒刘如彬张启明孙强; 基于InP衬底的GaInAsP/GaInAs太阳电池是制备五至六结叠层太阳电池必需的低带隙子电池。采用MOCVD制备了与InP衬底晶格匹配的Ga_(0.47)In_(0.53)As三元材料和Ga_(0.16)In_(0.84)As_(0.3)P_(0.7)四元材料,禁带宽度分别为0.77和1.11 eV,...; 关键词：INP GAINASP GAINAS 太阳电池 MOCVD

Sr_(2)InP_(3)O_(11):Eu^(3+)红色荧光粉的发光性能及占位影响: 《发光学报》2024年第6期913-922,共10页梁力赵淑娟李贵花刘一佳王荣荣蔡格梅; 国家自然科学基金(51472273,51772330)。; 红色荧光粉是提高发光二极管(LED)显色指数、降低色温的重要组分。本文选择具有红色特征发射的Eu^(3+)作为激活剂离子,以新型磷酸盐Sr_(2)InP_(3)O_(11)为荧光粉基质,通过高温固相反应合成了系列Sr_(2-x)InP_(3)O_(11):xEu^(3+)(简化为S...; 关键词：荧光粉 Eu^(3+)掺杂占位发光性能

Erratum to:Exciton recycling via InP quantum dot funnels for luminescent solar concentrators: 《Nano Research》2024年第6期5756-5756,共1页Houman Bahmani Jalali Sadra Sadeghi Isinsu Baylam Mertcan Han Cleva W.Ow-Yang Alphan Sennaroglu Sedat Nizamoglu; The article“Exciton recycling via InP quantum dot funnels for luminescent solar concentrators”written by Houman Bahmani Jalali,Sadra Sadeghi,Isinsu Baylam,Mertcan Han,Cleva W.Ow-Yang,Alphan Sennaroglu,and Sedat Niza...; 关键词：quantum Open LICENSE

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