GAINASP

作品数：9被引量：3H指数：1
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InP衬底上制备GaInAsP/GaInAs双结太阳电池的研究
《电源技术》2024年第7期1375-1379,共5页张恒 刘如彬 张启明 孙强 
基于InP衬底的GaInAsP/GaInAs太阳电池是制备五至六结叠层太阳电池必需的低带隙子电池。采用MOCVD制备了与InP衬底晶格匹配的Ga_(0.47)In_(0.53)As三元材料和Ga_(0.16)In_(0.84)As_(0.3)P_(0.7)四元材料,禁带宽度分别为0.77和1.11 eV,...
关键词：INP GAINASP GAINAS 太阳电池 MOCVD 
Voltage reduction of 808 nm GaAsP/(Al)GaInP laser diodes with GaInAsP intermediate layer
《Journal of Semiconductors》2015年第1期105-107,共3页朱振 张新 李沛旭 王钢 徐现刚 
Project supported by the National Key Basic Research Program of China(No.2013CB632801)
Ga In As P layers and Ga As P/（Al） Ga In P laser diodes（LDs） have been grown on Ga As substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The Ga In As P layer, which is lattice matched to Ga As, has an intermedi...
关键词：MOCVD GaInAsP layer heterojunction voltage reduction 
Ga_xIn_(1-x)As/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算被引量：3
《功能材料与器件学报》2002年第3期218-222,共5页高少文 陈意桥 李爱珍 
对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层。研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双...
关键词：GaInAs/GaInAsP 应变量子阱 色散 能带 粒体激光器 
超薄溶液LPE技术生长GaInAsP／InP超晶格的理论与实验
《发光学报》1995年第1期70-77,共8页李洵 陈根祥 简水生 
本文由有限厚度溶液及自由表面浓度和恒定表面浓度二种模型出发对ＬＰＥ生长动力学过程进行了理论分析，并导出了实现薄层生长的参数控制条件，根据这一条件用ＬＰＥ技术实际生长了ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ超晶格，５７０℃下用突冷法及...
关键词：液相外延 量子阱 超晶格 GAINASP INP 
使用GaInAsP半导体器激光器激发掺铒头纤中断放大器...
《光纤光缆传输技术》1992年第2期57-59,共3页江滨 李学信 
关键词：半导体激光器 掺铒光纤放大器 激发 中断 
超低反射率的宽带1.5um GaInAsP半导体光放大器
《光纤通信技术》1991年第2期29-31,共3页Barn.,PE 刘卫平 
关键词：光放大器 半导体器件 低反射率 
长波长GaInAs／AlGaInAs／InP改进型MQW激光器的制造及其特性
《光纤通信技术》1991年第2期32-34,共3页Caswell 李恩平 
关键词：激光器 GAINASP ALGAINAS 
掺杂GaInAsP／InP LPE生长特性的计算机模拟与实验之比较
《科技通讯（上海）》1990年第3期47-50,共4页肖德元 郭康瑾 
关键词：掺杂 计算机模拟 生长 GAINASP 
在n—InP(100)衬底上低温液相外延生长1.55μm GaInAsP双异质结构层的研究
《半导体光电》1990年第4期324-328,332,共6页邢启江 王舒民 陈娓兮 章蓓 王若鹏 
在590℃温度下,不使用1.3μm GaInAsP 防回熔层,直接在 n-InP(100)衬底上液相外延生长出1.55μm InP/GaInAsP/InP 双异质结构外延片。对这种外延片的生长情况及其特性和 InP 衬底的热损伤情况,本文作了详细的分析和讨论。
关键词：GAINASP 异质结构 液相外延 n-InP 
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